黄创君
- 作品数：10 被引量：72H指数：4
- 供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 以SiCl4-H2为气源制备的多晶硅薄膜的结构特性
- 以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜。用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶的颗粒尺度逐渐增大。用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,发现表面是由许多球形、近球...
- 林璇英黄创君余运鹏余楚迎林揆训魏俊红黄锐
- 关键词：多晶硅薄膜低温晶化
- 文献传递
- 优质多晶硅薄膜的低温制备技术
- 多晶硅薄膜是集晶体材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料.本文综述低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积硅基...
- 林璇英黄创君林揆训余楚迎姚若河
- 关键词：多晶硅金属诱导
- 文献传递
- 非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析被引量：25
- 2002年
- 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm .
- 林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎黄创君
- 关键词：多晶硅薄膜非晶硅薄膜
- SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜被引量：8
- 2002年
- 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。
- 黄创君林璇英林揆训余云鹏余楚迎池凌飞
- 关键词：多晶硅薄膜结晶度
- 低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用被引量：29
- 2001年
- 多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温 ( <6 0 0℃ )制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用 ,着重讨论用等离子体化学气相沉积 (PECVD)硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用。
- 黄创君林璇英林揆训余楚迎姚若河
- 关键词：多晶硅薄膜硅太阳能电池
- 以SiCl_4为气源用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜
- 多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中，日益成为一种非常重要的电子材料，被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民...
- 黄创君
- 关键词：多晶硅薄膜
- 文献传递
- PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟
- 2001年
- 利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,团簇的数目和大小都有所增长 ,且存在一个最佳温度 5 5 0K ,使团簇的数目达到饱和 ,晶粒为最大 。
- 姚若河林璇英黄创君杨坤进林揆训
- 关键词：计算机模拟MONTECARLO方法PCVD
- 铝诱导的非晶硅薄膜低温快速晶化
- 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min。退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退火温度为550℃时,大部分（约80%）的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为...
- 林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎石旺舟姚若河黄创君杨坤进
- 关键词：非晶硅多晶硅
- 非晶硅薄膜的低温快速固相晶化
- 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退温度为550℃时,大部分(约80﹪)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为6...
- 林揆训林璇英梁厚蕴池凌飞余楚迎石旺舟姚若河黄创君杨坤进
- 关键词：非晶硅薄膜
- 文献传递
- 用SiCl_4-H_2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析被引量：21
- 2004年
- 用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .
- 林璇英黄创君林揆训余运鹏余楚迎黄锐
- 关键词：拉曼散射光谱多晶硅薄膜晶体结构
