顾四朋
- 作品数：12 被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>
- Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究被引量：2
- 2002年
- 用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.
- 顾四朋侯立松
- 关键词：结晶动力学XRDDSC锗碲基合金磁控溅射
- 相变光盘溅射靶材和Ge-Sb-Te-O薄膜的制备和性能研究
- 该文对磁控溅射制备的氧掺杂Ge-Sb-Te薄膜的结构、光学及光存储性能进行了系统研究. 对相变光盘溅射用靶材的粉末冶金工艺进行了全面的研究,制备了φ100mm靶材.通过对整个工艺过程中各元素的百分含量的分析测定,对稳定靶...
- 顾四朋
- 关键词：光存储相变光盘靶材光学常数
- 文献传递
- 氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响
- 2003年
- 研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。
- 顾四朋侯立松刘波陈静
- 关键词：薄膜物理学光学常数X射线衍射
- Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究
- 研究了单层Ge-Sb-Te-O射频溅射薄膜在400nm～800nm区域的光学常数(N,K)和反射、透射光谱,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度,可以通过氧掺杂改良Ge-Sb-Te相变材料的光存储性能.
- 顾四朋侯立松曾贤成赵启涛
- 关键词：光存储光存储技术
- 文献传递
- 溶胶模板法合成CdS纳米棒被引量：10
- 2004年
- 以硝酸镉与硫代乙酰胺为起始物,采用DMF为溶剂,在低温(～50℃)下通过软化学法合成了CdS纳米棒,其直径为7～20nm,长度达500nm.通过XRD、TEM、SAED以及EDS对纳米棒的结构和成分进行了表征;通过引入乙酰丙酮(AcAc)控制钛酸丁酯水解,形成的溶胶中分子间网络孔道为CdS纳米棒提供了有效的生长模板.
- 赵启涛侯立松黄瑞安顾四朋
- 关键词：CDS纳米棒
- 相变光存储研究的新进展被引量：17
- 2002年
- 光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理。
- 顾四朋侯立松
- 关键词：相变材料高密度存储技术存储介质信息存储
- Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究被引量：2
- 2001年
- 研究了单层 Ge- Sb- Te- O射频溅射薄膜在 40 0 nm～ 80 0 nm区域的光学常数 ( N,K)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度 ,因此 ,可以通过氧掺杂改良 Ge- Sb-
- 顾四朋侯立松曾贤成赵启涛
- 关键词：光存储
- 掺杂（O<,2>,Sn,Ag）Ge-Sb-Te相变薄膜的制备和性能研究
- 该文全面综述了光盘存储技术和光存储材料的研究现状和发展趋势,并对可擦重写相变光盘材料的工作原理、制备和性能研究作了重点的介绍.以发展对短波长敏感、相变速度快的新型光存储材料为目标,选取Ge<,2>Sb<,2>Te<,5>...
- 顾四朋
- 关键词：银掺杂结晶动力学
- 文献传递
- Sn掺杂Ge-Sb-Te相变薄膜的晶化特性被引量：2
- 2004年
- 用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
- 顾四朋侯立松赵启涛
- 掺杂氧的Ge-Sb-Te相变薄膜的光学性质被引量：4
- 2002年
- 研究了氧掺入Ge Sb Te射频溅射相变薄膜在 40 0nm～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,κ)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺入能大大增加退火前后反射率对比度 ,因此可通过氧掺入改良Ge Sb
- 顾四朋侯立松刘波陈静
- 关键词：光学性质光存储
