您的位置： 专家智库 > >

陆书龙

作品数：183 被引量：67H指数：4
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 141篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 48篇电子电信
  • 23篇电气工程
  • 13篇理学
  • 7篇机械工程
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 84篇电池
  • 41篇太阳能电池
  • 36篇衬底
  • 32篇太阳能
  • 27篇键合
  • 25篇电极
  • 23篇光电
  • 22篇太阳电池
  • 21篇晶格
  • 17篇分子束
  • 17篇半导体
  • 16篇外延层
  • 16篇分子束外延
  • 12篇光谱
  • 11篇二极管
  • 9篇叠层
  • 9篇有源
  • 8篇电池效率
  • 8篇势垒
  • 8篇金属

机构

  • 176篇中国科学院
  • 6篇曲阜师范大学
  • 6篇中国科学技术...
  • 3篇上海大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇西安理工大学
  • 2篇河北工业大学
  • 2篇南通大学
  • 2篇中国人民武装...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇南京工业大学
  • 1篇新疆大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇上海空间电源...

作者

  • 182篇陆书龙
  • 53篇吴渊渊
  • 48篇杨辉
  • 47篇李雪飞
  • 44篇杨文献
  • 40篇谭明
  • 37篇季莲
  • 37篇代盼
  • 25篇董建荣
  • 23篇何巍
  • 22篇边历峰
  • 17篇赵勇明
  • 12篇朱建军
  • 11篇郑新和
  • 10篇张东炎
  • 7篇李奎龙
  • 6篇李宝吉
  • 6篇陈俊霞
  • 5篇李国华
  • 5篇贾少鹏

传媒

  • 3篇光学学报
  • 3篇红外与毫米波...
  • 3篇中国科学：物...
  • 3篇第十三届全国...
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇曲阜师范大学...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇物理学报
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇真空
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 18篇2024
  • 11篇2023
  • 19篇2022
  • 9篇2021
  • 16篇2020
  • 7篇2019
  • 14篇2018
  • 6篇2017
  • 13篇2016
  • 20篇2015
  • 3篇2014
  • 10篇2013
  • 15篇2012
  • 7篇2011
  • 6篇2010
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 4篇2000
  • 2篇1999
共 183 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于InGaAs/AlAs材料的共振隧穿二极管
本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种基于InGaAs/AlAs的共振隧穿二极管，在复合集电区采用In<Sub>0.53</Sub>Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>0.47-x</Sub>As/InP复合集电结构...
杨文献陆书龙吴渊渊谭明
文献传递
人工光合作用装置
本实用新型公开了一种人工光合作用装置，包括反应槽、光电转换器件、氧化电极、还原电极和蓄电池，氧化电极和还原电极设置于反应槽内，氧化电极电性连接于光电转换器件的正极，还原电极电性连接于光电转换器件的负极，蓄电池的正极分别与...
邢志伟杨文献黄欣萍李雪飞龙军华边历峰陆书龙
文献传递
有序Si基Al<Sub>1-x</Sub>Ga<Sub>x</Sub>N量子点的可控外延生长方法
本发明公开了一种有序Si基Al<Sub>1‑x</Sub>Ga<Sub>x</Sub>N量子点的可控外延生长方法，包括步骤：S1、提供一Si衬底；S2、对Si衬底的表面进行纳米图形化处理，Si衬底的表面向内凹陷形成Si纳...
赵宇坤陆书龙
文献传递
三结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种三结太阳能电池，包括Si子电池、以及在Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池。本发明还公开了三结太阳能电池的制备方法，包括：制备Si子电池；在...
代盼陆书龙吴渊渊谭明季莲杨辉
文献传递
GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga<Sub>1-x</Sub>In<Sub>x</Sub>P；C、在第二过渡层...
代盼陆书龙季莲吴渊渊谭明杨辉
文献传递
基于Os衬底的外延结构及其制作方法
本发明公开了一种基于Os衬底的外延结构，其包括Os衬底和依次生长于Os衬底上的AlN过渡层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层及InGaN/GaN多量子阱。其中，所述Os衬底以(100)面作为外延生长面，并且所述Os衬底的晶体...
李宝吉吴渊渊陆书龙
文献传递
在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法及InGaAs薄膜
提供了一种在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法，所述方法包括：在GaP/Si衬底上生长形成GaP缓冲层；在所述GaP缓冲层上生长形成层叠的若干InP/InGaAs超晶格结构缓冲层；在所述若干InP/InGa...
魏铁石李雪飞陆书龙吴渊渊杨文献张雪孙强健邢志伟
五结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种五结太阳能电池，包括InP衬底、以及在InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。本发明还公开了五结太阳能电池的制备方法，...
代盼陆书龙谭明吴渊渊季莲杨辉
文献传递
倒置GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳电池失效分析
2022年
利用衬底剥离和临时键合技术制备了倒置GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳电池并研究了其可靠性。通过温度为85℃、相对湿度为85%环境下的可靠性测试发现,当湿热实验进行至144 h时三结电池的初始光电转换效率从31.86%急剧下降到了24.84%。随着实验时间的继续增加,太阳电池性能相对稳定。外量子效率和电致发光光谱测试结果表明,三结电池性能的退化主要来自GaInP顶电池。在高温、高湿环境下,AlInP窗口层中元素含量分布发生变化,导致材料对340~480 nm波段的反射率提高,此外高含量Al元素的聚集导致顶电池缺陷密度增加,引起GaInP顶电池载流子收集效率下降,从而限制了三结太阳电池的整体性能。二次离子质谱的结果也直观地证明了这种现象。该研究结果证明了AlInP窗口层对多结太阳电池环境稳定性有重要影响。
张怡龙军华孙强健宣静静李雪飞王霞陈志韬吴晓旭陆书龙
关键词：光伏GAAS太阳电池可靠性
全光单片集成光电器件及其制作方法
本发明提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法，所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4 ev，在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内，所...
任昕陆书龙边历峰
文献传递
全选 清除 导出
共19页<12345678910>
聚类工具0