邹春莉
- 作品数：15 被引量：19H指数：3
- 供职机构：清华大学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划深圳市水务发展中长期战略研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物及其制备方法
- 本发明公开了属于化学机械抛光技术领域的一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物及其制备方法。抛光组合物由功能化二氧化硅溶胶、氧化剂、螯合剂、碱性化合物、表面活性剂和去离子水组成，其中，按重量百分比，磨料为0.05～50wt％...
- 潘国顺顾忠华邹春莉高源
- 文献传递
- Fe-N/C-TsOH催化剂应用碱性介质催化氧还原的电催化活性(英文)被引量：1
- 2014年
- 通过溶剂分散热处理方法制备了一种吡咯和对甲苯磺酸(TsOH)共同修饰的碳载非贵金属复合催化剂(Fe-N/C-TsOH),并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对催化剂的形貌和组成成分进行表征.借助循环伏安法(CV)和旋转圆盘技术研究了TsOH对催化剂在0.1 mol·L-1KOH介质中催化氧还原性能的影响.结果表明:TsOH的存在对催化剂催化氧还原反应(ORR)的活性影响很大.以其制备的气体扩散电极在碱性电解质溶液中催化氧还原过程时转移的电子数为3.899,远比不含TsOH修饰的催化剂催化氧还原的电子数(3.098)高.此外,研究发现600°C热处理过的Fe-N/C-TsOH催化剂表现出最佳的氧还原催化性能.相比未经热处理过的Fe-N/C-TsOH催化剂,起峰电位和-1.5 mA·cm-2电流密度对应的电压分别向正方向移动30和170 mV.XPS研究结果表明吡咯氮是催化剂主要活性中心,提供氧还原活性位,而TsOH加入形成的C―Sn―C和―SOn―有利于催化剂催化氧还原活性的提高,从而使该催化剂对氧还原表现出很好的电催化性能和选择性.
- 徐莉潘国顺梁晓璐罗桂海邹春莉罗海梅
- 关键词：非贵金属催化剂碱性燃料电池氧还原反应
- 一种GaN厚膜片CMP组合物及其制备方法
- 本发明涉及一种GaN厚膜片CMP组合物及其制备方法，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域，特别涉及一种含有固相催化剂的抛光组合物。本发明组合物包括去离子水、固相催化剂、氧化剂、抛光磨粒、pH调节剂，该抛光组合物的p...
- 潘国顺邹春莉徐莉顾忠华龚桦史晓磊周艳
- 文献传递
- 一种适用于氮化镓材料的CMP抛光组合物
- 本发明涉及一种适用于氮化镓的材料抛光组合物，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域，特别涉及高性能晶片的加工领域。该抛光液组合物包含纯化硅溶胶抛光磨粒、腐蚀剂、氧化剂、促进剂和水，所述抛光磨粒为纯化硅溶胶，水为去离子...
- 潘国顺邹春莉周艳
- 文献传递
- 一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物及其制备方法
- 本发明公开了属于化学机械抛光技术领域的一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物及其制备方法。抛光组合物由功能化二氧化硅溶胶、氧化剂、螯合剂、碱性化合物、表面活性剂和去离子水组成，其中，按重量百分比，磨料为0.05～50wt％...
- 潘国顺顾忠华邹春莉高源
- 一种GaN厚膜片CMP组合物及其制备方法
- 本发明涉及一种GaN厚膜片CMP组合物及其制备方法，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域，特别涉及一种含有固相催化剂的抛光组合物。本发明组合物包括去离子水、固相催化剂、氧化剂、抛光磨粒、pH调节剂，该抛光组合物的p...
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- 一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法
- 本发明涉及一种集成电路铜CMP组合物及其制备方法，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域，特别涉及一种具有催化作用的抛光组合物。本发明组合物包括去离子水、含催化剂组合磨粒、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、界面反应助剂、pH调...
- 潘国顺邹春莉顾忠华徐莉龚桦王鑫
- 文献传递
- LED蓝宝石衬底抛光表面原子台阶形貌及其周期性研究被引量：11
- 2017年
- LED蓝宝石衬底的表面质量会极大影响到后续外延质量,进而影响到LED器件性能。蓝宝石研磨片经Al2O3磨粒粗抛液、SiO2磨粒精抛液下进行化学机械抛光(CMP),最终表面经原子力显微镜(AFM)所测表面粗糙度达到0.101nm,获得亚纳米级粗糙度超光滑表面,并呈现出原子台阶形貌。同时,通过使用Zygo表面形貌仪、AFM观察蓝宝石从研磨片经Al2O3粗抛液、SiO2精抛液抛光后的表面变化,阐述蓝宝石表面原子台阶形貌的形成原因,提出蓝宝石原子级超光滑表面形成的CMP去除机理。通过控制蓝宝石抛光中的工艺条件,获得a-a型、a-b型两种不同周期规律性的台阶形貌表面,并探讨不同周期规律性台阶形貌的形成机理。
- 周艳潘国顺史晓磊龚桦邹春莉汤皎宁
- 关键词：化学机械抛光蓝宝石
- 一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液及其制备方法
- 本发明涉及一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液及其制备方法，属于化学机械抛光（CMP）领域，特别涉及一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液。本发明包括胶体二氧化硅/水溶性聚合物复合磨粒、含羟基和/或胺基的表面保护剂、碱...
- 龚桦顾忠华邹春莉潘国顺
- 一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法
- 本发明涉及一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法，属于化学机械抛光（CMP）领域，特别涉及一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液。本发明包括胶体二氧化硅磨粒、抛光促进剂、抛光界面控制剂、表面活性剂、碱性化合物...
- 龚桦顾忠华邹春莉陈高攀潘国顺
- 文献传递
