赵守安
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
- 供职机构：暨南大学理工学院电子工程系更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自然科学总论交通运输工程更多>>
- MNOS存储晶体管的研制
- 1990年
- 用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10^(-2)至10^(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。
- 赵守安刘竞云刘涛
- 关键词：氮化硅
- 一种新型氮化硅氢离子敏器件及其特性被引量：1
- 1996年
- 新型氮化硅氢离子敏器件采用ＰＥＣＶＤ法淀积ＳｉＮｘＨｙ膜同时作敏感膜与二次钝化保护膜。改善了器件的密封性能；敏感灵敏度β＝５６～６０ｍＶ／ｐＨ，比用ＬＰＣＶＤ法淀积的Ｓｉ３Ｎ４膜提高１４％，β的线性度有明显改善；响应时间也缩短一倍。
- 钟雨乐赵守安刘涛
- 关键词：PECVD氮化硅氢离子
- 十八酸质子交换铌酸锂光波导的性能及其退火性能的研究被引量：2
- 1996年
- 报道了采用十八酸作为质子源制作的铌酸锂光波导的性能及其退火对波导性能的影响，给出了退火前后波导层中非常光有效折射率的剖面分布，得出了质子交换的扩散参数和波导层的表面非常光折射率的增量．给出了波导层的表面非常光折射率的增量和扩散深度的增量与退火时间的指数关系．
- 赵守安潘裕斌锺宝璇
- 关键词：质子交换铌酸锂
- KTiOPO_4波导的扩散性质及波导测量的研究
- 1996年
- 采用不同来源的ＫＴＰ样品，利用离子交换法制备ＫＴＰ平面波导。借助于ｍ线技术测量了有效折射率，并利用逆ＷＫＢ法计算了波导的折射率分布、扩散深度和扩散系数，发现其扩散性质差异。产生原因可能与其双晶结构有关。本文还讨论了精确测量单轴或双轴晶衬底上波导的方法，提出了一个测量判据。
- 施路平王继扬刘耀岗魏景谦蒋民华赵守安
- 关键词：晶体扩散非线性光学晶体磷酸钛氧钾
- MNOS晶体管的存储特性及其测量方法
- 1989年
- 本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.
- 钟雨乐赵守安
- 全文增补中
- pH－ISFET 输出时漂特性的研究被引量：2
- 1994年
- 本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压上ΔＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成ΔＶＴ（ｔ）的正向时漂．提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释．
- 钟雨乐赵守安刘涛
- 关键词：PH-ISFET
- SiN_xH_y/SiO_2氢离子敏器件及其特性被引量：1
- 1992年
- 新型的氢离子敏器件采用 PECVD 法淀积含氢量较高的 SiN_xH_y 膜,同时作为敏感膜与二次钝化保护膜,改善了器件的密封性能.器件敏感灵敏度在56～60 mV/pH 之间,较 LPCVD 法淀积的 Si_3N_4 膜高14%.敏感灵敏度的线性度也有明显的改善.
- 钟雨乐赵守安骆伙有
- 关键词：PECVD敏感膜
