蒋最敏
- 作品数：125 被引量：139H指数：7
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- Ge在Si(001)面纳米圆柱上的表面扩散研究
- 蒋主文莫德林胡小锋周通樊永良钟振扬蒋最敏
- 基于镜像电荷效应增强硅锗同轴量子阱光致发光的研究
- 由于与成熟的硅工艺的兼容特性和近红外波段的发光特性，硅锗纳米材料在光电器件应用方面具有很大的前景，但是，硅锗材料属于间接带系，其光电转换效率非常低。人们尝试了从不同的途径来改善硅锗材料的光电特性，如增加光吸收，提高自发辐...
- 尹叶飞王曙光王泽周通蒋最敏钟振扬
- 超薄层、亚单原子层固体薄膜的X射线测量结构表征
- 1998年
- 蒋最敏姜晓明等
- 关键词：X射线
- 固体薄膜、超薄膜X射线测量结构表征
- 2002年
- 蒋最敏郑文莉贾全杰姜晓明
- 关键词：X射线晶格溅射
- 非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究被引量：8
- 2008年
- 采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
- 方泽波谭永胜朱燕艳陈圣蒋最敏
- 关键词：高K栅介质
- 第32届国际物理奥林匹克竞赛试题与解答
- 2001年
- 郑永令蒋最敏陆申龙
- 关键词：教学解题
- GeSn薄膜材料的分子束外延生长和发光性质研究
- 刘桃王利明祝广健蒋最敏
- 锗硅量子点掠入射小角X射线散射研究被引量：1
- 2008年
- 采用同步辐射X射线对MBE制备的锗硅量子点试样进行了掠入射小角X射线散射(GISAXS,grazing incidence small angle X-ray scattering)研究。根据AFM测量得到的量子点尺寸、形状和间距等参数,采用DWBA理论以及合适的分布函数,利用IsGISAXS程序对一维和二维GISAXS测量结果进行了模拟,模拟结果与实验数据符合很好,表明GISAXS是一种探测锗硅量子点尺寸、形状和分布等结构信息有效的方法。
- 王玉柱贾全杰陈雨薛宪营姜晓明崔健林健晖蒋最敏何庆
- 关键词：锗硅量子点
- 高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法
- 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法。本发明利用大直径聚苯乙烯纳米球，在Si衬底上自组装生成单层纳米球膜作为掩模，经过反应离子刻蚀，直流溅射金薄膜和选择性腐蚀等多次工艺后，最...
- 钟振扬马英杰崔健樊永良蒋最敏
- 文献传递
- Si晶体中δ掺杂Sb原子的分布研究
- 1997年
- 贾全杰蒋最敏等
- 关键词：Δ掺杂SB硅半导体锑X射线
