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董少光

作品数:27 被引量:31H指数:3
供职机构:佛山科学技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信文化科学理学电气工程更多>>

文献类型

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领域

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主题

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机构

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作者

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  • 6篇谭鹏
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传媒

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年份

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  • 2篇2019
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  • 2篇2017
  • 2篇2014
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2002
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MATLAB可视化程序在大学物理教学中的应用——以光栅衍射教学内容为例被引量:8
2018年
在大学物理课程光学内容的教学中,利用MATLAB软件的可视化程序演示较为复杂的光栅衍射教学内容,学生对光栅衍射的理解变得简易,思路变得清晰,从而更易理解光栅衍射的物理意义。对可视化程序的模拟结果进行分析,有助于把握复杂物理问题产生的本质和在实际生活中的具体应用。
董少光朱传云谭鹏
关键词:大学物理课堂教学MATLAB软件可视化程序设计光栅衍射
线性谐振子Schrdinger方程的波包解
2002年
通过精确求解简谐振子的含时Schr dinger方程 ,分别得到相应于基态和各激发态的波包形式解 ,并且证明这些波包的质心按照经典运动的周期振动 ,而波包的形状保持不变 .在振子的力常数随时间改变的情况下 ,所得到的波包解与通常简谐振子的波包结构相同 .其质心仍遵从经典规律 ,但波包的形状会发生改变 :可以展开、收缩或脉动 .
董少光陶才德陈元莉
关键词:SCHROEDINGER方程简谐振子相干态
高能粒子辐照对太阳能电池材料InGaN合金生长的影响
2010年
采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)的方法生长出高质量的InGaN合金薄膜,并对InGaN合金薄膜的光电性能进行高能粒子辐照损伤测试,用室温下的光致发光对InGaN合金薄膜的少数载流子寿命进行间接测量,结果显示,高In组分InGaN合金薄膜具有很好的晶体结构质量,其位错密度均没有超过5×10^(10)cm^(-2)。在辐照损伤强度超过常用太阳能电池材料GaAs和GaInP损伤强度极限2个数量级以上时,InGaN合金仍然具有良好的光电性能,说明InGaN合金是非常适合制作抗超高辐照强度的太阳能电池材料。研究分析表明,InGaN合金具有较高的抗辐照性能是由这种材料的本质属性决定的。
董少光
关键词:太阳能电池材料MOCVD
在SiO2衬底上生长多晶Ge薄膜的结晶机制研究
2019年
在低温条件下生长的多晶Ge薄膜在光伏器件和电子器件领域具有非常广泛的应用。在实验研究中,利用Al诱导结晶的生长方法在200℃的低温条件下,在SiO2衬底上生长出结晶质量很好的多晶Ge薄膜。实验中,特意在Al薄膜和非晶Ge薄膜之间生长了一层很薄的GeOx扩散控制层。研究发现,在Al/a-Ge双层薄膜样品中,当Al薄膜与非晶Ge薄膜完成层交换后,生长出的多晶Ge薄膜的晶向得到了有效控制。在非晶Ge薄膜转变为多晶Ge薄膜的结晶过程中,通过进一步控制Ge晶颗粒的成核位置和密度以及二维生长的速率就可以制备出微米量级大小的Ge晶颗粒和(111)晶向较好的多晶Ge薄膜。
董少光庄君活曾亚光
提升高等院校科技创新普及教育的对策及方案研究
2018年
高等院校的科技创新普及教育对培养大学生的科学素质和创新能力具有非常重要的意义。本文对高等院校科技创新普及教育给出了科学的定义,并对高等院校开展科技创新普及教育的必要性进行了解读,对当前高等院校开展科技创新普及教育存在的问题进行了分析。为了顺利开展高等院校科技创新普及教育,本文提出了相应的对策和解决方案,希望对高等院校科技创新普及教育的开展有一定的指导意义。
董少光曾亚光朱传云谭鹏
InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究
2014年
用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面,利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是:用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的入射光进入太阳电池器件侧面的传播路径。量子阱太阳电池通过这种结构优化设计,对于硅和Au纳米粒子,可以观察到短路电流密度分别增加了12.9%和7.3%,输出最大功率的转换效率分别增加了17%和1%。
董少光陈国杰
关键词:多量子阱太阳电池
InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究被引量:1
2008年
研究表明,In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0.7 eV改变到3.4 eV,使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系.研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子(2 MeV)照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和GaInP有更高的电阻,因此,给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力.实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征,该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释.该缺陷能用In1-xGaxN合金的Fermi能级的稳态能描述.
董少光范广涵
关键词:太阳能电池INGAN辐照损伤光致发光
InGaN合金的微结构光学特征及其Stokes偏移研究
2010年
研究了生长在GaN/Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构形态,并通过Raman光谱测定了InGaN合金的晶相,采用分光镜椭圆测量对InGaN合金的光学带隙进行了研究,分析了InGaN合金带隙产生Stokes偏移的本质及原因。AFM显微图表明生长在GaN/Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构晶体质量得到了很好的改善。In-GaN合金的Raman光谱曲线非常微弱,与GaN/Al2O3的Raman光谱曲线几乎完全重叠。通过分光镜椭圆测量可知,InGaN合金的光学带隙Eg随着In含量的增加而减少。InGaN合金在红外区域表现出强烈的光致发光峰,随着Ga含量的增加,光致发光峰表现出较大的蓝移即Stokes偏移。在InGaN合金的中间In组分附近Stokes偏移达到最大值。产生Stokes偏移的主要原因是InN在GaN中具有较低的混溶性。Stokes偏移也可归结为InGaN合金中存在局域态,InGaN合金中载流子的局域化程度越高,Stokes偏移就越大。
董少光
关键词:光致发光
基于MATLAB的可视化处理复杂电磁学问题的应用研究被引量:5
2020年
《普通物理》是高等院校物理学各专业必修的专业基础课.在《普通物理》电磁学部分的教学过程中,教师对于较为复杂的电磁学问题进行讲授时,充分利用MATLAB的可视化模拟仿真就可以使学生对复杂电磁学问题的理解变得简单易懂,物理思路也会变得非常清晰.学生在理解较为复杂电磁学问题的过程中就能更好地理解这些问题的物理规律和物理意义.对复杂电磁学问题的可视化模拟结果进行全方位的分析,有助于学生深刻理解这类复杂电磁学问题产生的本质以及它们在实际生活中的具体应用.
董少光谭鹏朱传云
关键词:普通物理电磁学问题模拟仿真
In_(1-x)Ga_xN/Si异质结太阳能电池的光伏特性研究
2007年
通过器件模拟对n—In1-xGaxN/p—Si异质结的光伏特性进行了研究,并与c—Si同质结薄膜电池的性能作了比较。在AM1.5的光照条件下,n—IGN/p—Si异质结在最佳的电池设计、最佳的材料和最佳的操作参数条件下获得的电池效率达到了27%。电池效率受到薄膜质量的强烈影响,从电子亲和势、多数载流子的迁移率、少数载流子的寿命、薄膜厚度以及掺杂水平的变化可以得到说明。
董少光范广涵
关键词:太阳能电池INGAN光伏特性光致发光
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