王松柏
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：福建省教育厅科技项目福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度被引量：3
- 2003年
- 根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 .
- 王松柏张声豪
- 关键词：半绝缘GAAS禁带宽度半导体材料
- 半绝缘GaAs中的双极扩散长度被引量：2
- 1999年
- 分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度，用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度，并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数．
- 王松柏张声豪
- 关键词：砷化镓半绝缘砷化镓
- 半绝缘砷化镓表面光伏谱的三区分析被引量：2
- 2005年
- 采用低温(21 K-300 K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(S i-GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的物理分析。
- 王松柏
- 关键词：半绝缘GAAS
- 正确认识做功公式和应用伽利略速度变换
- 2005年
- 通过深入分析两例,试图纠正和说明学生在大学物理学习中遇到的两个实际问题:一是如何正确认识做功A=F∫.dr中F和dr的方向问题,另一个是如何正确应用伽利略速度变换V=u+V′求解速度问题。
- 王松柏
- 砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响
- 2003年
- 采用 5种经不同砷压但相同生长温度 ( 1 0 0 0℃ )和时间 ( 5 h)处理的半绝缘 ( SI) Ga As样品 ,利用表面光伏 ( SPV)方法 ,测量和计算了 SI-Ga As在室温 ( 30 0 K)下的主要施主浓度 EL2 、禁带宽度 EgΓ和双极扩散长度 La,并从理论上给出了相应的解释 .
- 王松柏张声豪
- 关键词：半绝缘GAAS禁带宽度半导体材料
- 低维半导体GaAs圆形和矩型量子线的能带结构
- 2009年
- 利用量子力学方法对低维半导体GaAs无限深势阱圆型量子线和有限深势阱矩型量子线的能带结构进行了详细的分析研究,分别得出系统各自的能量表式和波函数表式,并对其束缚态能量存在的必然性和物理意义进行了进一步的分析探讨。
- 王松柏
- 关于高校青年教师的教书育人
- 2001年
- 王松柏程利青等
- 关键词：青年教师教书育人教学方法
