您的位置： 专家智库 > >

杨卫桥

作品数：72 被引量：97H指数：6
供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇理学
  • 8篇电子电信
  • 5篇化学工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 24篇晶体
  • 21篇衬底
  • 14篇SUB
  • 12篇晶体生长
  • 11篇温度梯度法
  • 10篇籽晶
  • 9篇坩埚
  • 9篇复合衬底
  • 8篇电阻炉
  • 7篇电阻
  • 7篇淀积
  • 7篇脉冲激光
  • 7篇脉冲激光淀积
  • 7篇激光
  • 7篇激光淀积
  • 7篇铂金坩埚
  • 6篇单晶
  • 6篇GAN
  • 5篇退火
  • 5篇稀土

机构

  • 71篇中国科学院上...
  • 3篇南京大学
  • 1篇景德镇陶瓷大...

作者

  • 72篇杨卫桥
  • 61篇徐军
  • 49篇周国清
  • 38篇周圣明
  • 25篇彭观良
  • 22篇董永军
  • 22篇李抒智
  • 21篇司继良
  • 20篇苏良碧
  • 19篇赵广军
  • 17篇蒋成勇
  • 17篇杭寅
  • 14篇邹军
  • 14篇宋词
  • 13篇王海丽
  • 11篇邓佩珍
  • 11篇李红军
  • 9篇赵志伟
  • 7篇夏长泰
  • 7篇王银珍

传媒

  • 9篇人工晶体学报
  • 3篇无机材料学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇科技开发动态
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇中国硅酸盐学...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 7篇2007
  • 3篇2006
  • 14篇2005
  • 24篇2004
  • 11篇2003
  • 4篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
共 72 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法
一种铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法，其特点是采用碳酸锂(Li<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>)和氧化铝(Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)或氧化镓(Ga<Sub>2</Sub>O<...
徐军杨卫桥周圣明彭观良司继良李红军周国清
文献传递
γ－LiAlO<Sub>2</Sub>/α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>柔性衬底材料及其制备方法
一种适合于高质量GaN外延生长的γ－LiAlO<Sub>2</Sub>/α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>柔性衬底材料及其制备方法，该柔性衬底材料是在白宝石α－Al<Sub>2</Sub>O<Su...
徐军彭观良周圣明杨卫桥王海丽周国清杭寅赵广军李红军吴锋王静雅司继良蒋成勇宋词
文献传递
金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法
一种金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法，其特征在于：将(100)面或(302)面的γ-LiAlO<Sub>2</Sub>单晶衬底置于低压-金属有机化学气相沉积系统的载物台上，采用二乙基锌作为锌源，高纯氧作...
林辉周圣明顾书林张荣杨卫桥
文献传递
适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法
一种适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>构成。该复合衬底材料的制备方法是：在铂金坩埚内，放置有带气孔的M...
周圣明徐军王海丽杨卫桥李抒智彭观良周国清宋词杭寅蒋成勇赵广军司继良
文献传递
稀土硫代氧化物晶体的生长方法
一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法，是采用助熔剂并利用温度梯度炉生长晶体的方法，包括籽晶制备、料块压制和温度梯度法生长晶体步骤。该方法可以获得厘米量级，高质量的稀土硫代氧化物(Re<Sub>2</Sub>O<Sub>2</...
苏良碧徐军张连翰杨卫桥周国清董永军赵志伟赵广军
文献传递
色心蓝宝石衬底的制备方法
蒋成勇徐军周圣明杨卫桥周国清王银珍彭观良邹军刘士良张俊计邓佩珍
该项目通过辐照使蓝宝石衬底划片处产生较高浓度的F类色心，有利于划片时提高划痕质量和划片效率；此外辐照过程可以多个样品同时进行，有利于大批量生产。
关键词：
关键词：中子辐照划片
用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究被引量：2
2003年
LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.
杨卫桥干福熹邓佩珍徐军李抒智张荣
关键词：GANMOCVD法半导体材料氮化镓
ZnAl2O4／α-Al2O3复合衬底材料的制备方法
2004年
徐军王海丽周圣明杨卫桥
关键词：ZNAL2O4Α-AL2O3电阻炉
γ-LiAlO2／α-Al2O3复合衬底材料的制备方法
2004年
徐军王海丽周圣明杨卫桥
关键词：Α-AL2O3热电偶电阻炉
掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法
一种掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法，该晶体结构表示为AeWO<Sub>4</Sub>：Re，F，该晶体的生长方法包括下列步骤：①初始原料的配方；②按选定比例称取的原料，充分混合均匀后压制成块，放入铱或铂金坩埚内，采用相应...
徐军苏良碧张连翰杨卫桥周国清董永军赵志伟赵广军
文献传递
全选 清除 导出
共8页<12345678>
聚类工具0