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李芹
作品数:
57
被引量:40
H指数:4
供职机构:
东南大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王志功
东南大学能源与环境学院射频与光...
李智群
东南大学能源与环境学院射频与光...
曹佳
东南大学
杨格亮
东南大学能源与环境学院射频与光...
熊明珍
东南大学能源与环境学院射频与光...
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李芹
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1篇
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1篇
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一种反向并联SBD太赫兹三倍频器及其制备方法
本发明公开了一种反向并联SBD太赫兹三倍频器及其制备方法,倍频器包括外壳和位于外壳内的第一绝缘子、第二绝缘子、输入波导、输出波导和倍频芯片,所述倍频芯片包括低通滤波器、第一肖特基二极管和第二肖特基二极管,所述倍频芯片的第...
唐路
郭世泽
白雪婧
唐旭升
张有明
李芹
文献传递
一种宽带、低损耗、高平衡度的片上巴伦
一种宽带、低损耗、高平衡度的片上巴伦,设有四个形同盘状蚊香的正八边形平面螺旋线圈,其中两个为平衡线圈,另外两个为非平衡线圈,平衡线圈在上,非平衡线圈在下,之间设置绝缘层,两者构成非对称的宽边耦合结构。线宽较窄的平衡线圈的...
杨格亮
王志功
李芹
李智群
文献传递
6~18GHz四位数控移相器单片集成电路的设计
被引量:5
2008年
设计了6~18GHz频带4bitGaAs数字移相器,着重介绍宽带移相单元的设计。该移相器通过ED02AH0.2μm PHEMT工艺实现。最终的单片数字移相器性能如下:在6~18GHz范围内,11.25°移相单元的移相波动小于±2°;22.5°移相单元的移相波动小于±2.5°;45°的移相波动为小于±5°;90°移相单元的移相波动小于±5°。所有状态的移相平坦度小于20°,移相均方差<7°,插入损耗<13dB,两端口所有态的回波损耗<-10dB(典型值)。
李芹
王志功
李伟
章晓丽
关键词:
微波单片集成电路
一种具有温度工艺角误差补偿功能的无源数控衰减器
本发明设计了一种具有温度工艺角误差补偿功能的无源数控衰减器,以开关嵌入式T型衰减电路和简化T型衰减电路为基本单元,其中4dB、8dB和16dB单元采用T型结构,0.25dB、0.5dB、1dB和2dB单元采用简化T型结构...
李芹
赵桐
自分类聚合物反应器的设计及分类催化作用
催化是现代化学工业的基石,实现可调制的催化作用过程是时代发展的迫切需求。以聚N-异丙基丙烯酰胺载体/金属纳米粒子活性组分为代表的聚合物反应器及新概念催化剂的发展,为这一要求的实现创造了条件。然而,在实际应用中,多数催化作...
李芹
一种创新结构的毫米波CMOS数控衰减器
本发明设计了应用于毫米波频段的CMOS数控衰减器。为了同时实现大衰减范围和小衰减步进,该结构采用无源衰减与有源增益调节相结合的方法。无源部分提供大衰减量实现增益的粗调节,有源部分提供小衰减量实现增益的细调节。本衰减器的控...
李芹
仲响
文献传递
一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路
一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路,包括上拉可控硅、下拉可控硅以及第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻。本发明结合栅接地N型MOS管(GGNMOS)低触发电压和可控硅(SCR)低寄生电容的特点,将...
李智群
程国枭
乐鹏飞
李芹
何小东
何波涌
无生产模式微波单片集成电路设计与实验研究
李芹
关键词:
微波单片集成电路
单刀双掷开关
宽带低噪声放大器
一种结构新颖的硅基毫米波差分反射型移相器
本发明设计了一种结构新颖的硅基毫米波差分反射型移相器,以两个相同的6bit控制位的90°反射型移相模块和一个1bit控制位的180°移相模块为基本单元,其中每个90°反射型移相模块包括差分3dB正交耦合器和其直通端、耦合...
李芹
胡梦成
文献传递
应用于毫米波频段的正反馈宽带低噪声放大器
一种应用于毫米波频段的正反馈宽带低噪声放大器,包括:共栅输入级、中间级以及源极跟随器输出级,共栅输入级的输入端为所述放大器的总输入端、源极跟随器输出级的输出端为总输出端,各级之间依次连接,所述的中间级包括由第二和第三晶体...
王志功
杨格亮
李芹
李智群
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