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轰击能量对离子束增强沉积Cr-N薄膜微观结构和硬度的影响被引量：3: 1996年; 采用离子束增强沉积（IBED）技术，在不同能量氮离子的辅助轰击下制备了Cr－N薄膜；通过SEM观察、XRD分析和显微硬度测定，发现离子轰击能量对Cr－N薄膜的表面形貌、相组成和硬度有显著的影响：随着能量的升高，膜表面形貌由岛形颗粒状转变成蜂窝状；一定能量轰击下获得的Cr2N和CrN混相结构有最高的薄膜硬度；高达16keV的氮离子轰击可诱发非晶化的出现，并对膜有一定的强化作用。在此基础上探讨了离子轰击能量对合成Cr－N薄膜结构与性能的影响效应。; 王兵赖祖武江崇滨李文治贺小明; 关键词：离子束增强沉积氮化铬

离子辅助轰击能量对类金刚石薄膜性能的影响被引量：3: 2000年; 研究了利用IBAD方法沉积类金刚石薄膜时,离子的辅助轰击能量对薄膜的微观结构、表面粗糙度、弹性、硬度以及摩擦系数的影响,获得了机械和摩擦性能优异的类金刚石薄膜。讨论了薄膜微观结构和性能之间的关系,分析了不同硬度测试方法的差异。; 齐军雒建斌王静李文治温诗铸; 关键词：类金刚石薄膜 IBAD 离子轰击表面粗糙度

IBED Si_3N_4和TiN薄膜的成份、结构与摩擦学性能被引量：2: 1996年; 本文考察了工艺参数对离子束增强沉积（IBED）氮化硅、氮化钛薄膜的成分和微观组织的影响。测定了薄膜的硬度以及薄膜与基体之间结合力，分析了成分和结构与薄膜的硬度和结合力的关系。考察了在不同载荷和速度条件下St_3N_4、TiN薄膜和52100钢试样的摩擦系数和耐磨性。结果显示，与无膜的52100相比，IBEDSt_3N_4和IBEDTiN的耐磨性成倍提高。探讨了薄膜的磨损机理。; 庄大明刘家浚朱宝亮李文治张绪寿杨生荣; 关键词：离子束增强沉积氮化硅氮化钛陶瓷薄膜摩擦学性能

脉冲激光真空弧薄膜制备技术被引量：3: 2002年; 本文首先介绍了脉冲激光蒸发沉积以及真空弧沉积技术,在此基础上对激光真空弧技术的原理、特点、研究现状及应用进行了文献综述。可以预测,激光真空弧技术在薄膜材料科学与技术以及工业生产中必将具有广阔的应用前景。; 周明邵天敏马洪涛金元生李文治; 关键词：脉冲激光沉积

离子束溅射制备Co/Pt多层膜的结构和磁性: 1995年; 采用离子束溅射技术制备了Co／Pt多层膜，并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度（tCo）或Pt层厚度（tPt）的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的（002）织构，Pt层表现出fcc结构的（111）织构。当Co层和Pt层都比较薄时，界面有Co-Pt的化合物形成。当tPt=2．4nm而tCo在0．6～2．4nm变化时，样品的磁矫顽力（Hc）随tCo增加而下降，饱和磁化强度（Ms）随tCo增加而增加。当tCo=1．2nm而tPt在1．2～4．8nm变化时，Hc呈现先升后降的变化，Ms随tPt增大而减小。样品的Hc还受调制周期（D）和周期数ny的影响，通过对Co层和Pt层的厚度比、调制周期、周期数的设计，可以获得较大的磁矫顽力。; 许思勇赵怀志冯嘉猷李文治; 关键词：离子束溅射

离子束增强沉积和磁控溅射硫化钼薄膜的摩擦磨损性能研究被引量：4: 1995年; 在离子束增强沉积的Ｓｉ３Ｎ４膜和ＴｉＮ膜的表面，分别利用离子束增强沉积法和磁控溅射法制取了ＭｏＳｘ薄膜．在ＳＲＶ摩擦磨损试验机上，对几种薄膜试样与５２１００钢试样作了对比试验研究，结果表明，两种ＭｏＳｘ薄膜都具有良好的摩擦磨损性能．其中，磁控溅射ＭｏＳｘ膜的减摩性能更好，而减摩持久性则是以离子束增强沉积ＭｏＳｘ膜的更好；两种ＭｏＳｘ膜的耐磨性比Ｓｉ３Ｎ４膜和ＴｉＮ膜的高３－４倍，比５２１００钢的高８－２０倍．两种ＭｏＳｘ薄膜显示出不同的减摩性能和耐磨寿命，主要原因在于ＭｏＳｘ溅射膜中的ｘ值（ｘ＜２）不同，以及膜的微观结构和界面成分的混合状态不同．; 庄大明刘家浚朱宝亮李文治张绪寿杨生荣; 关键词：离子束增强沉积磁控溅射磨损

离子束增强沉积Si─N膜被引量：1: 1996年; 用离子束增强沉积方法制备了ＳｉＮ薄膜，其中Ｓｉ由一束Ａｒ离子从Ｓｉ靶上溅射下来，在溅射沉积的同时，以一束Ｎ离子轰击正在沉积的膜层，于是获得了ＳｉＮ膜。采用卢瑟福背散射、红外光谱和透射电镜对膜层的成分和结构进行了分析，结果表明：膜面平整，膜层为非晶或微晶结构。; 罗广南李文治李恒德; 关键词：离子束增强沉积氮化硅膜

Ti、Cu离子注入Al2O3表面特性分析: 采用掠射X射线衍射(GXRD)分析了分别注Ti和注Cu的α-Al2O3样品表面物相变化。剂量较低(≤3.1×1017cm-2)时Ti原子沿着基底Al2O3的某个晶粒方向生长,形成类似单晶的结构。剂量较高时此表面结构转变为...; 李德兴康建昌王杰张济中李文治; 关键词：离子注入氧化铝; 文献传递

工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响被引量：6: 1995年; 本世纪８０年代以来，利用各种表面技术将陶瓷材料涂覆于金属零件表面的研究发展很快，离子束增强沉积技术以其突出的优点更受到重视．利用这种技术合成陶瓷薄膜是一种新的物理气相沉积方法，而沉积薄膜的质量、性能和成膜速度都会受到工艺因素的影响．由于氮化硅陶瓷的硬度高，韧性和高温稳定性都比较好，是一种相当理想的耐磨材料，且其还有一定的自润滑性．因此，着重研究了氮离子束流和束压、氮离子与硅原子在基片上的到达比，以及不同基体对离子束增强沉积氮化硅薄膜的化学组成和晶体结构的影响．结果表明，薄膜中Ｎ／Ｓｉ原子比是随着离子原子到达比的增大而增大，要使氮与硅的原子比达到Ｓｉ３Ｎ４中的化学计量比１．３３，到达比就必须达到４；将氮离子束压由３ｋＶ增大到９ｋＶ，可以使薄膜中的氮含量明显提高，但继续增大束压，氮原子含量却反而逐渐降低；沉积在单晶硅基片上的Ｓｉ３Ｎ是非晶态，而沉积于５２１００钢片上的则是β－Ｓｉ３Ｎ４多晶体。研究结果可以作为优化制膜工艺的科学依据。; 庄大明刘家浚李文治朱宝亮张绪寿张平余; 关键词：离子束增强沉积化学组成氮化硅

双离子束辅助沉积TiN薄膜的微观结构及力学性能被引量：1: 1999年; 采用双离子束辅助沉积技术制备了ＴｉＮ薄膜，并用ＸＰＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试，结果表明，在溅射沉积的同时，Ｎ＋离子的轰击使ＴｉＮ薄膜主要沿（２００）取向择优生长；离子的轰击也使ＴｉＮ薄膜的表面形貌发生显著的变化，随着轰击Ｎ＋离子能量的增加，ＴｉＮ薄膜的晶粒增大。在盘铣刀片上沉积ＴｉＮ改性薄膜后。; 向伟方仁昌李文治; 关键词：离子束辅助沉积 TIN 微观结构力学性能

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李文治