李成
- 作品数：7 被引量：15H指数：3
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- 双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究被引量：2
- 2009年
- 模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用。在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性。
- 李成李好斯白音李耀耀王凯顾溢张永刚
- 关键词：探测器暗电流INGAAS
- 波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制被引量：1
- 2008年
- 采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量结果表明此探测器系列可在高速下工作,实测响应速度已达数十ps量级,可以满足此波段激光雷达等方面的需要。
- 张永刚顾溢王凯李成李爱珍郑燕兰
- 关键词：光电探测器化合物半导体铟镓砷气态源分子束外延
- 采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)被引量：3
- 2011年
- 利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.
- 顾溢王凯李成方祥曹远迎张永刚
- 关键词：光电探测器缓冲层INGAASINALAS
- InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)
- 2012年
- 采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着Al组分的增加,样品的光致发光强度、电子浓度和迁移率均有所下降.样品的三族元素组分由光致发光及X射线衍射实验获得,测试结果与设计值吻合,Al组分的实验设计值与测试结果的关系提供了一种实用的精确控制组分的方法.
- 王凯顾溢方祥周立李成李好斯白音张永刚
- 关键词：化合物半导体分子束外延X射线衍射光致发光
- 异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善被引量：3
- 2009年
- 采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.
- 王凯张永刚顾溢李成李好斯白音李耀耀
- 关键词：INXGA1-XAS位错
- 中红外半导体光源和探测器件及其应用被引量：4
- 2011年
- 中红外波段(2～25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs光伏型探测器的研制以及器件应用方面的工作。这些光电子器件所用高性能材料都是笔者采用分子束外延方法生长的,中红外分布反馈量子级联激光器可在高于室温下脉冲工作,2μm波段锑化物量子阱激光器可在80℃下连续波工作,室温工作InGaAs探测器的截止波长扩展已至2.9μm。这些器件已在气体检测等方面获得应用。
- 张永刚顾溢李耀耀李爱珍王凯李成李好斯白音张晓钧
- 关键词：中红外半导体激光器光电探测器化合物半导体分子束外延
- 晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)被引量：3
- 2010年
- 利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、X射线衍射、光致发光和器件特性测试对样品进行了表征。结果显示该晶格失配度达2.6%的探测器结构具有较好的表面形貌、较大的晶格弛豫度和理想的光学特性。器件室温截止波长约为2.9μm,直径为300μm的器件室温下在反向偏压10mV时的暗电流为2.56μA。
- 顾溢李成王凯李好斯白音李耀耀张永刚
- 关键词：光电探测器缓冲层INGAAS晶格失配
