曾宇昕
- 作品数：27 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- La、O<'+>双注入硅基薄膜室温可见光致发光研究
- 测量了用离子注入方法将La、O<'+>双注入硅基样品在室温下的光致发光(PL)谱，实 验结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随退火温度和注入顺序的不同而变化。用原子力显微镜观察了不同条件下制备...
- 元美玲曾宇昕王水凤徐飞程国安
- 关键词：表面形貌
- 文献传递
- 稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性
- 测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片，在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火条件的不同而改变。并对样品的发光机理作了初步...
- 王水凤曾宇昕元美玲徐飞程国安
- 关键词：稀土掺杂离子注入卢瑟福背散射
- 文献传递
- MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究被引量：1
- 2002年
- 用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。
- 王水凤曾宇昕程国安徐飞
- 关键词：离子注入集成电路导电性
- 稀土掺杂硅基氧化薄膜蓝紫发光特性研究
- 在探索有效发光电子器件和光电集成微电子材料的研究中,掺杂稀土硅材料近年来引起了人们的关注.我们用离子注入的方法制备了掺La、Nd和Ce的硅氧化膜,研究了他们的乐致发光特性.实验表明,在紫外光(λ<,ex>=250nm)激...
- 曾宇昕王平王水凤元美玲王兼善徐飞程国安沈鸿烈
- 关键词：稀土掺杂离子注入
- 铒偏析与沉淀对掺铒硅154μm光发射的影响被引量：2
- 2002年
- 用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达～ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现 ,Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关。Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的 1 5 4μm光发射。
- 徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚
- 关键词：掺铒硅偏析光致发光发光薄膜铒光发射
- 半导体芯片紫外荧光无损检测被引量：1
- 2003年
- Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件芯片有严重的负面影响,往往导致器件失效,成品率下降,必须进行有效控制处理。采用紫外荧光(UVF)法可有效检测出硅晶片及半导体器件芯片(如GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况,还能检测金属杂质的相对沾污量,对半导体器件芯片的生产可实现实时非破坏性的检测分析。
- 王水凤曾宇昕姜乐
- 关键词：半导体芯片无损检测紫外荧光
- 单光子探测装置的结构
- 一种单光子探测装置的结构，使用液氮制冷带尾纤的雪崩二极管，其特征在于：主要包括：一中空的隔热塑料塞；一中空拉杆，该中空拉杆的一端与中空的隔热塑料塞固接；一雪崩二极管，该雪崩二极管固接在中空的隔热塑料塞的另一端；一金属套管...
- 刘伟杨富华曾宇昕郑厚植
- 文献传递
- 小束流稀土Nd3+注入硅基薄膜材料结构及光致发光的研究
- 稀土元素掺杂的硅基薄膜材料是一种较有前景的新型发光材料。由于稀土元素的价电子排布在未饱和的4f内壳层,受到5p、6s壳层电子的有效屏蔽,从而使稀土元素与晶格之间的电子—声子耦合较弱。因此,这类材料受温度、晶体场和基质材料...
- 曾宇昕王水凤程国安肖志松元美玲
- 关键词：离子注入光致发光
- 文献传递
- 稀土Ce,Nd注入硅基薄膜光致发光特征
- 硅基发光材料有可能实现硅光电子集成,近年来,对其发光特性的研究受到极大重视和广泛关注。但由于它是间接带隙半导体,发光效率低而难以涉足新兴的光信息传输、存储与处理等前沿光电子领域。为了获得高效可见发光材料,人们进行了多方面...
- 元美玲曾宇昕王水风
- 文献传递
- 塑封高压硅堆成品管内部结构测试分析被引量：2
- 2002年
- 针对塑封高压硅堆反向特性差的问题 ,采用“显微剖析”技术和“紫外荧光无损检测”(UVF)技术 ,对样管的内部结构及原材料进行测试分析 ,并与进口样管内部结构进行比较 ,找出了国产样管不足之处 。
- 王水凤曾宇昕刘南生
- 关键词：塑封高压硅堆内部结构半导体芯片晶体管
