公共文化服务平台

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取(英文)被引量：1: 2007年; 本文在高电子迁移率晶体管（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了A1GaN／CmNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法．采用这些方法，实际测量了5～10GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数。S参数的计算值与实际测量值进行了比较．实验结果表明此方法简单易行。较为精确．; 常远程张义门张玉明王超曹全君; 关键词：ALGAN/GAN HEMTS 小信号

一种改进的4H-SiC MESFET大信号解析模型: 2007年; 提出了一种基于器件物理和结构参数并可直接应用于射频电路CAD工具的4H-SiC MESFET大信号解析模型.大信号模型基于4H-SiC MESFET的物理工作机理,源漏电流模型采用Materka的改进模型,沟道长度调制系数和饱和电压系数采用了栅源电压的一次函数建模;大信号电容模型采用电荷-电压(Q-V)的电容积分形式.该大信号模型已经应用在CAD工具中.模拟结果与实验结果符合良好,模型的有效性得到验证.; 曹全君张义门张玉明; 关键词：4H-SIC MESFET 大信号解析模型射频

一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法: 2005年; 提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法。该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC MESFET大信号模型的途径。模拟与实验测试值的比较表明这种方法是可行的,可用于预先评估器件大信号工作时的非线性特性,指导4H-SiC MESFET的器件设计。; 曹全君张义门张玉明; 关键词：4H-SIC MESFET 大信号模型射频

4H-SiC MESFET非线性模型研究: SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照等领域的有着广泛的应用前景。4H-SiC金属半导体场效应晶体管(MESFET)具有较宽的频率带宽...; 曹全君; 关键词：场效应晶体管 4H-SIC 金属半导体非线性模型; 文献传递

A New Empirical Large Signal Model of 4H-SiC MESFETs for the Nonlinear Analysis: 2007年; A new comprehensive empirical large signal model for 4H-SiC MESFETs is proposed. An enhanced drain current model,along with an improved charge conservation capacitance model,is presented by the improvement of the channel length modulation and the hyperbolic tangent function coefficient based on the Materka model. The Levenberg-Marquardt method is used to optimize the parameter extraction. A comparison of simulation resuits with experimental data is made,and good agreements of I-V curves, Pout （output power）, PAE （power added efficiency） ,and gain at the bias of Vos = 20V, Ips = 80mA as well as the operational frequency of 1.8GHz are obtained.; 曹全君张义门张玉明吕红亮郭辉汤晓燕王悦湖

4H-SiC MESFET参数模型和射频放大器的设计: SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照等领域的有着广泛的应用前景。因此基于4H-SiC的功...; 曹全君; 关键词：4H-SIC MESFET 射频大信号模型放大器; 文献传递

4H-SiC MESFET的新型经验电容模型被引量：1: 2008年; 基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。; 曹全君张义门张玉明汤晓燕吕红亮王悦湖; 关键词：4H-碳化硅金属半导体场效应晶体管

4H-SiCMESFET新型大信号模型在ADS中的自定义实现: ＜正＞4H-SiC MESFET 具有宽禁带、高功率密度、高热导率以及较宽的带宽等优点,在相控阵雷达、下一代通信基站、空间飞行器等领域具有广阔的应用潜力,日益受到广泛的关注。4H-SiC MESFET 大信号模型是利用 ...; 曹全君张义门张玉明张甲阳; 文献传递

4H-SiC MESFET DIBL效应的新型解析模型: 由于具有高功率密度、高温、耐辐射等优良特性,射频4H-SiC MESFET受到大家的日益关注.为了提高器件的高频特性,必须减少SiC MESFET器件特征尺寸(沟道长度).随着器件沟道长度的减少,4H-SiCMESFET...; 曹全君张义门张玉明; 关键词：高频特性特征尺寸沟道效应; 文献传递

n+多晶硅/N-SiC异质结欧姆接触的理论与实验研究: 从理论和实验的角度，研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触。在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的N阱。使用LPCVD淀积多晶硅，并通过P+离子注入及扩散进行掺杂，得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□...; 郭辉张义门张玉明曹全君汤晓燕; 关键词：碳化硅多晶硅

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

曹全君