房昌水
- 作品数：103 被引量：293H指数：11
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- KDP晶体中点缺陷Na取代K的电子结构研究被引量：3
- 2006年
- 对磷酸二氢钾(KDP)晶体中Na取代K点缺陷的几何结构及电子结构进行了第一性研究。计算的形成能约为0.46 eV,因此在KDP晶体中此类缺陷比较容易形成。Na取代K以后没有在带隙中形成缺陷态,但在价带中引入两个占据态。它们分别位于费米面以下49 eV和21.5 eV处,这两个占据态分别由Na原子的s和p轨道形成。相对于K来说,由于它们位于价带深处,具有很低的能量,因此Na在KDP中比K稳定。Na在KDP晶体中与周围氧原子的重叠布居仅为0.09,故它不与主体原子发生共价作用,仅以静电库仑力影响周围原子,此缺陷周围晶格仅发生微小畸变。
- 王坤鹏张建秀房昌水赵显于文涛王圣来顾庆天孙洵
- 关键词：KDP晶体点缺陷第一性原理
- 硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响被引量：15
- 2005年
- SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”。
- 张建芹王圣来房昌水孙洵顾庆天李毅平王坤鹏王波李云南刘冰
- 关键词：硫酸根KDP晶体晶体生长
- 红外材料Tl_3AsSe_3晶体的生长
- 1995年
- Ｔｌ＿３ＡｓＳｅ＿３是一种性能优良的红外非线性和声光材料。我们用元素直接化合的方法制备了多晶料，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长出了Ｔｌ＿３Ａｓｓｅ＿３晶体并对该晶体进行了初步测试。报道了我们的生长方法及有关结果。
- 卓洪房昌水王庆武王从先
- 关键词：TAS晶体非线性光学材料声光晶体布里奇曼法
- 新技术使晶体材料走向商业化
- 2001年
- 美国第12届晶体生长及外延会议于2000年8月13～18日在美国卡罗拉多州Vail市召开,与会者有美、英、法、德、中、日、印等20余国科技人员。会议内容丰富,包括块状大晶体生长技术及理论、半导体晶体及薄膜材料的研究、氧化物晶体材料及薄膜、探测器材料、非线性及光折变、激光晶体材料、SiC晶体及外延、Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体生长等。
- 房昌水
- 关键词：晶体材料
- 估算SOI单模脊形弯曲波导最小弯曲半径的简单方法被引量：4
- 2001年
- 采用有效折射率方法计算了 SOI弯曲波导由于辐射损耗引起模式截止的最小弯曲半径 。
- 魏红振余金中张小峰刘忠立王启明史伟房昌水
- 关键词：集成光学SOI辐射损耗弯曲波导
- 杂质对KDP晶体光学质量的影响被引量：11
- 2004年
- 研究了几类可能出现在KDP晶体的生长溶液中的有机物杂质和无机阴离子杂质基团对KDP晶体散射、透过率、光损伤阈值等光学质量的影响,结果表明,不同种类的杂质的影响并不相同,造成这一结果的根本原因在于杂质离子的结构及其与晶体表面原子成键能力的不同。
- 孙洵程秀凤王正平顾庆天王圣来李毅平李云南王波许心光房昌水
- 关键词：KDP晶体
- SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构被引量：13
- 2001年
- 用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅 )及GeSi Si脊形光波导的单模条件进行了模拟 ,与Soref的单模条件进行了比较 ,将两者与实验结果进行了比较 ,得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波导进行了模拟 。
- 魏红振余金中张小峰韩伟华刘忠立王启明史伟房昌水
- 关键词：集成光学脊形光波导SOIGESI/SI
- 快速响应SOI马赫曾德热光调制器被引量：10
- 2002年
- 给出了 Y分支 MZI热光调制器的模型 ,实验研制了基于 SOI( silicon- on- insulator)的 MZI热光调制器 ,调制器的消光比为 - 16.5 d B,开关的上升时间为 10 μs,下降时间为 2 0 μs,相应的功耗为 0 .3
- 魏红振余金中夏金松严清峰刘忠立房昌水
- 关键词：集成光学调制器SOI热光开关
- 迅速发展的蓝绿光LEDs器件
- 2000年
- 第7届国际化学束外延及相关生长技术会议于1999年7月27～30日在日本筑波市科技会议中心召开,有日、美、英、中等十几个国家的120余名代表参加了会议。研讨的问题包括:当前国际上广泛应用的CBE,MOMBE,GSMBE和MOVPE等生长技术的优缺点;材料制备期间的适时检测方法和新的检测手段;薄膜及界面生长特性、新的器件特性与制备;新的半导体材料和器件研究、新的有机源。
- 房昌水
- 关键词：半导体材料半导体器件
- 铁电晶体TGS的快速生长被引量：1
- 1992年
- 报道了TGS晶体的溶液状态及其快速生长的实验结果。发现了pH为2.52的溶液是实现快速生长的最佳溶液,利用快速旋转叶片来加速溶液对流,对于截面积为40mm×40 mm的(010)面,其生长速度达到了5mm/d,对快速生长的TGS晶体的性能研究表明:其热电和介电性能也发生了一些变化。
- 王庆武房昌水卓洪升
- 关键词：晶体铁电晶体晶体生长
