徐化勇
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究被引量：2
- 2010年
- 利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布。显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<112-0>方向容易出现裂缝。裂缝两侧有不同的生长形貌。拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志。纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<112-0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<112-0>方向,轴向生长方向平行于<0001->方向。
- 彭燕宁丽娜高玉强徐化勇宋生蒋锴胡小波徐现刚
- 关键词：4H-SIC晶型转变
- 基于透明衬底的GaN/InN蓝光LED芯片制备及相关技术研究
- GaN材料为直接带隙、宽禁带半导体材料，具有优良的的光、电与热传导特性，因此适合作为短波长光电元件的材料。自1993年第一只商业化GaN/InGaN蓝光LED问世以来，GaN基发光器件的研究与应用一直是全球研究的前沿和热...
- 徐化勇
- 关键词：氮化镓倒金字塔结构激光剥离
- 6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究被引量：5
- 2009年
- 利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量。根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区。平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角晶界和多型夹杂等)的存在导致结晶质量变差。依据温场分布以及籽晶的固定分析了凹坑产生的可能原因。根据观察纵切片发现源于斜坡区以及凹坑区的缺陷随着晶体的生长继承到晶体内部导致后期生长的晶体质量变差。最后我们提出了通过优化成核温场分布以及改善籽晶固定方法来提高晶体成核质量的思路。
- 王英民宁丽娜彭燕徐化勇胡小波徐现刚
- 关键词：6H-SIC成核表面形貌
- 基于透明衬底的GaN/InGaN蓝光LED芯片制备及相关技术研究
- GaN材料为直接带隙、宽禁带半导体材料,具有优良的的光、电与热传导特性,因此适合作为短波长光电元件的材料。自1993年第一只商业化GaN/InGaN蓝光LED问世以来, GaN基发光器件的研究与应用一直是全球研究的前沿和...
- 徐化勇
- 关键词：倒金字塔结构激光剥离
- 文献传递
