张一倩
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
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- CIGS粉体的合成与表征(英文)被引量：1
- 2012年
- Cu(InxGa1-x)Se2（CIGS）是四面体黄铜矿结构的半导体材料,因为效率高、反射少而成为太阳能电池热点材料,通过简单方便的溶剂热方法合成CIGS粉体。采用XRD对合成的粉体进行了表征,结果表明,随着温度变化,粉体中的组成也发生变化,当反应温度为150℃时,包含CIGS相和其它相,当反应温度升为1 80℃时,主要成分为CuGaSe2和Ga2Se3相。当反应温度为200℃时,主要成分为CuGa0.3In0.7Se2和CuSe4。当反应温度为230℃时,形成单相C1GS,通过SEM和ICP,对单相CIGS进行了表征,SEM结果表明CIGS粒子的尺寸为100500 nm。ICP结果表明CIGS的结构为CuIn0.43Ga0.28Se1.65。
- 曹慧群张晟颉樊先平胡居广张一倩罗仲宽
- 关键词：CIGS溶剂热
- 温度对PLD法制备CIGS薄膜性能的影响被引量：5
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积(PLD)法在40～600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征。结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40～400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显;温度达到600℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加。认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因。
- 胡居广林晓东曹慧群罗仲宽李启文张一倩刁雄辉
- 关键词：CIGS薄膜脉冲激光沉积温度扩散
- CIGS薄膜的非真空法制备及其性质研究(英文)
- 2012年
- 用非真空法制备Cu(in_xGa_(1-x))Se_2(CIGS)薄膜,首先以Cu,In,Ga,Se单质为原料用溶解热法制备出CIGS粒子,加入溶剂和助剂后形成墨水,用旋涂法在玻璃基底上制备薄膜。对薄膜的结构、形貌、成分进行表征,由于前躯体粒子成分直接转移到CIGS薄膜中,制备的薄膜成分可控。并对薄膜的光学和电学性能进行研究。
- 张欣鹏张一倩曹慧群罗仲宽
- 关键词：CIGS
- MgZnO薄膜的准分子激光晶化(英文)
- 2012年
- 利用KrF准分子激光,在室温下对PLD法制备的MgZnO薄膜进行激光退火处理,研究了激光能量密度为50~167 mJ/cm^2时对薄膜结晶性能的影响,并用XRD、AFM、透射光谱等测试手段对薄膜进行表征。结果表明,在能量密度为125 mJ/cm^2时,薄膜具有最佳结晶效果。由于激光具有良好的可控性,可以实现区域选择性退火。本实验为维持较低的基底温度下实现MgZnO薄膜的退火处理提供了参考。
- 胡居广李启文林晓东罗仲宽曹慧群刁雄辉张一倩陈展耀汤华斌
- 关键词：晶化激光退火
- 铜铟镓硒粉体的溶剂热法合成及表征被引量：1
- 2011年
- 采用溶剂热法制备了铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2,CIGS)粉体。对合成的粉体采用X射线衍射进行物相分析,结果表明反应温度为230℃时可以得到单相CIGS粉体。对所制备的样品采用扫描电镜和电感耦合等离子体发射光谱仪等方法进行了表征,结果表明,反应温度对粒子大小的影响不大。反应时间对产物的形貌有较大的影响,230℃制备的CIGS为100～500 nm的片状结构晶体,片状晶体组成为Cu In0.38 Ga0.71Se1.82。
- 曹慧群张一倩樊先平张欣鹏胡居广罗仲宽刘剑洪
- 关键词：铜铟镓硒溶剂热太阳能电池
