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岳之浩

作品数：134 被引量：42H指数：4
供职机构：南昌大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 109篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 32篇电气工程
  • 7篇电子电信
  • 7篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇动力工程及工...
  • 2篇化学工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 74篇电池
  • 56篇太阳电池
  • 44篇晶体硅
  • 42篇硅太阳电池
  • 40篇晶体硅太阳电...
  • 32篇发射极
  • 27篇金属栅
  • 22篇钝化
  • 20篇发电
  • 19篇体硅
  • 17篇异质结
  • 17篇硅片
  • 16篇硅
  • 15篇发电能力
  • 13篇电极
  • 12篇金属
  • 12篇SUB
  • 11篇重掺杂
  • 10篇正极
  • 10篇正极材料

机构

  • 112篇南昌大学
  • 22篇南京航空航天...
  • 1篇常熟理工学院
  • 1篇中天光伏技术...
  • 1篇北京金晟阳光...

作者

  • 134篇岳之浩
  • 105篇周浪
  • 76篇黄海宾
  • 59篇高超
  • 36篇袁吉仁
  • 19篇沈鸿烈
  • 19篇李晓敏
  • 8篇尹传强
  • 7篇王威
  • 7篇汤昊
  • 7篇孙喜莲
  • 6篇吕红杰
  • 4篇蒋晔
  • 4篇刘斌
  • 4篇吴天如
  • 4篇张磊
  • 3篇张婧
  • 3篇肖志刚
  • 3篇王涛
  • 3篇韩宇哲

传媒

  • 3篇功能材料
  • 3篇电子器件
  • 2篇无机化学学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光学学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 5篇2022
  • 9篇2021
  • 13篇2020
  • 12篇2019
  • 21篇2018
  • 19篇2017
  • 16篇2016
  • 6篇2015
  • 5篇2014
  • 8篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
共 134 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种Mn离子催化腐蚀制备“黑硅”的方法
本发明涉及一种低成本制备“黑硅”的方法。其特征在于：本发明首先使用丙酮、乙醇和超纯水依次对单晶硅片进行超声清洗，以去除硅片表面油污和金属离子；然后将硅片放入高浓度的NaOH溶液中腐蚀数分钟，以去除表面损伤层；接着将硅片放...
沈鸿烈岳之浩蒋晔
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一种太阳能电池的制造方法
本发明涉及太阳能电池的制造方法，可有效减少电池背面复合中心，提高电池<I>R</I><Sub>sh</Sub>，提升电池的性能。所述太阳能电池的制造方法，包括对硅片进行扩散制结、周边刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结，印...
沈鸿烈岳之浩杨超吴京波李琼李斌斌
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一种锂离子电池用氧化亚硅碳负极材料及其制备方法
本发明公开了一种锂离子电池用氧化亚硅碳负极材料的制备方法：(1)将氧化亚硅颗粒置于真空热处理炉中；(2)到达设定温度后，通入气态碳源，使氧化亚硅颗粒表面包覆一层碳层；(3)到达设定温度后，通入气态氮源，使氮同时掺入到碳层...
岳之浩金晨鑫周浪徐国军
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一种多功能人工SEI膜及其制备方法和应用
本发明属于锂金属电池技术领域，具体涉及一种多功能人工SEI膜及其制备方法和应用。该方法先将有机聚合物和无机金属硝酸盐溶于THF中，得到聚合物和混合溶液；然后将混合溶液涂布到金属锂表面，使金属锂与聚合物和混合溶液发生反应，...
江伟伟孙福根岳之浩张婧黄龙叶承舟
一种晶硅异质结双面太阳电池结构
一种晶硅异质结双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂p型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电...
袁吉仁周浪黄海宾高超岳之浩
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一种Si基局域发射极双面太阳电池结构
一种Si基局域发射极双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成，其中重掺杂p型晶体硅发射极层开槽较小，而金属栅线I开槽稍大，金属...
袁吉仁周浪黄海宾高超岳之浩
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一种硅粉掺杂的方法
一种硅粉掺杂的方法，包括如下步骤：依次采用丙酮、氢氟酸和超纯水对硅粉原料进行清洗；然后将清洗后的硅粉和磷粉置于保护气氛下进行热处理，使磷粉气化从而在磷的气氛下对硅粉进行掺杂，起到提高硅粉导电率的目的。本发明工艺简单、成本...
岳之浩周浪黄海宾汤昊尹传强高超
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一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法
本发明公开了一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域。ZnO薄膜通过射频磁控共溅射法制备，所用的靶材为Sn靶、本征ZnO靶和AZO靶（Al掺杂的ZnO靶），制备Sn掺杂的ZnO薄膜和Al-Sn共掺杂...
刘斌沈鸿烈王威岳之浩
一种晶体硅异质结太阳电池
一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiO<Sub>x</Sub>层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiO<Sub>x</Sub>与晶体硅形成异质...
高超黄海宾周浪岳之浩
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一种背结晶硅异质结太阳电池及其制备方法
一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法，其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶体硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层，背光面栅线状电极。首先硅...
黄海宾周浪高超岳之浩袁吉仁孙喜莲
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