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孙辉

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
发文基金：广东省重点攻关基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：理学自然科学总论更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体参数
  • 1篇直管
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇离子密度
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇化学气相沉积...
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇感应耦合
  • 1篇感应耦合等离...

机构

  • 1篇华南师范大学

作者

  • 1篇孙辉
  • 1篇樊双莉
  • 1篇符斯列
  • 1篇吴先球
  • 1篇蒙高庆
  • 1篇向鹏飞
  • 1篇陈俊芳
  • 1篇赵文锋

传媒

  • 1篇华南师范大学...

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究被引量：2
2004年
采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律,弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.
樊双莉陈俊芳吴先球赵文锋孙辉符斯列向鹏飞蒙高庆
关键词：感应耦合等离子体氮化硅薄膜离子密度直管化学气相沉积法等离子体参数
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共1页<1>
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