您的位置: 专家智库 > >

孙人杰

作品数:3 被引量:15H指数:2
供职机构:合肥工业大学化学工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划安徽省科技攻关计划更多>>
相关领域:化学工程电气工程理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇英文
  • 1篇导体
  • 1篇烟气
  • 1篇烟气脱硫
  • 1篇烟气脱硫工艺
  • 1篇致密
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇铜锌
  • 1篇退火
  • 1篇气脱
  • 1篇热法
  • 1篇哌嗪
  • 1篇脱硫
  • 1篇脱硫工艺
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇半导体薄膜材...
  • 1篇
  • 1篇CDS薄膜

机构

  • 3篇合肥工业大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 3篇孙人杰
  • 3篇史成武
  • 2篇陈柱
  • 2篇史高杨
  • 1篇夏梅
  • 1篇桃李
  • 1篇刘清安

传媒

  • 1篇应用化工
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 3篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
N,N’-二(2-羟丙基)哌嗪的合成及其在烟气脱硫工艺中的应用被引量:9
2011年
利用无水哌嗪和环氧丙烷合成了N,N’-二(2-羟丙基)哌嗪(HPP),利用红外光谱对其进行了表征,利用滴定法计算出HPP的共轭酸的pKa1和pKa2值,通过热重分析仪研究了HPP的半盐溶液与SO2的反应行为和SO42-在湿法烟气脱硫中对HPP挥发损失的影响。结果表明,HPP的合成反应是按照反应物的化学计量比进行的,且工艺过程简单,得到的产物纯度较高。HPP的共轭酸的pKa1和pKa2分别为3.8和8.2。SO42-能够有效的抑制HPP的挥发,可以作为烟气脱硫工艺中HPP半盐溶液的阴离子。
孙人杰刘清安桃李史成武
关键词:烟气脱硫
铜锌锡硫半导体薄膜材料的制备与表征(英文)被引量:5
2011年
采用水热法成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料,通过浸涂法制备了相应的薄膜,并在N2气氛中于400℃对薄膜进行了退火处理。用X射线荧光光谱分析了所得CZTS粉末中各组成元素的含量,并分别用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外光谱对CZTS薄膜样品的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。结果表明:所得的CZTS粉末的元素组成为Cu1.90Zn0.94Sn1.00S4.30,符合理论化学计量比,所制备的CZTS薄膜具有良好的结晶度,表面均匀、无裂纹,其直接带隙为1.51 eV,退火后降低到1.34 eV。
史成武史高杨陈柱孙人杰夏梅
关键词:水热法
超声搅拌化学浴沉积法制备大颗粒和致密的CdS薄膜(英文)被引量:1
2011年
采用超声搅拌化学浴法(UCBD)在SnO2:F透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜.研究了退火和CdCl2处理对UCBD-CdS薄膜的表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响,比较了沉积时间对UCBD-CdS薄膜中CdS聚集体颗粒大小和堆积致密性的影响.结果表明,CdCl2处理可使CdS聚集体中的小颗粒重新熔合在一起,但CdS聚集体的大小并没有改变.在UCBD-CdS薄膜的沉积过程中,CdS薄膜的横向和纵向生长速率之比会随着沉积时间的不同而改变,且沉积时间是获得大颗粒的CdS聚集体和致密的UCBD-CdS薄膜的重要影响因素.当沉积时间为40min时,获得的UCBD-CdS薄膜较致密,CdS聚集体的大小为180nm,膜厚为80.8nm,适合作为薄膜太阳电池的窗口层.
史成武陈柱史高杨孙人杰
关键词:CDS薄膜退火
共1页<1>
聚类工具0