姜霞
- 作品数：15 被引量：16H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学天文地球更多>>
- 热效应对AlGaN/GaN HEMT的影响
- 2015年
- 分析了载流子迁移率,薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度,导带断续,沟道温度等与自热效应的关系,建立了模拟Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。仿真结果同试验结果吻合良好,说明了该模型的正确性。
- 姜霞贾英茜郭正红张志伟唐红梅
- 关键词：热效应ALGAN/GANHEMT
- 考虑自热效应的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管建模与仿真被引量：1
- 2010年
- 基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计。
- 姜霞赵正平张志国骆新江杨瑞霞冯志红
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管解析模型自热效应
- 大学创新教育浅析被引量：3
- 2011年
- 本文论述了大学创新教育的重要性,提出提高创新教育效果的一些建议。
- 王娟姜霞王如
- 关键词：创新教育课程
- 以成果为导向的信号处理软件课程教学改革浅析
- 2021年
- 从本校信息工程学院专业课教学特点出发,以成果为导向,针对课堂教学和实验教学内容进行改革实践。讨论了在授课时引入"案例教学法",把MATLAB的相关知识点和实际相关问题结合,使学生在学习软件语言的同时,掌握如何用软件解决实际问题,培养学生创新思维和自主学习意识,提高综合实践能力。
- 姜霞卢嘉李薇薇
- 关键词：MATLAB案例教学实验教学
- 基于Transformer的天文亮源污染去除网络
- 本发明公开了一种去除天文亮源污染的网络，该网络基于U‑Net架构，结合Transformer特征提取模块，构建了一种分层编解码网络。在特征提取部分，使用了多尺度稀疏通道Transformer模块(MSCTB)，该模块包括...
- 张雅娟姜霞张子怡
- 微机原理及接口课程改革的探讨与研究
- 2015年
- 微机原理及接口技术是普通高校的一门重要专业基础课,课程具有教学面广、逻辑性强、实践性高等特点,在该课程的传统教学模式中,理论授课以教师的讲课为主;实验教学多以验证性实验为主,扼杀了学生的创新能力;课程的考核方式则是单一的一张考卷定结果,针对这些问题,为了提升教学效果,培养科技创新型人才,从理论教学,实验教学、课程考核方式三个方面对微机原理及接口课程进行了改革,改变传统的教学模式,彻底突出学生的主体地位,实践证明,该改革方法行之有效,能够提高教学质量和教学效果,受到广大学生的欢迎。
- 张志伟马杰曾祥烨姜霞
- 关键词：微机原理教学改革实验教学
- 网络环境下多生物特征识别的关键技术研究
- 张志伟杨帆周亚同马杰陈盛华姜霞刘枫闫朋飞
- 实现了网络环境下的人脸虹膜融合识别，客户通过网络实施注册，在注册时采集客户的生物特征保存在数据库中作为模板。而客户在登录时，只要再次进行生物特征的提取，然后与存在数据库中的生物特征模板进行匹配处理，匹配成功即可登录，否则...
- 关键词：
- 关键词：生物特征识别虹膜图像人脸图像数据库
- 2W6～18GHz宽带MMIC功率放大器
- 2008年
- 运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT器件进行了大信号建模,并利用此模型,采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法,制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为:在6～18GHz频段内,平均输出功率Po为33dBm,功率增益Gp在22～24dB之间,功率附加效率PAE在23%～28%之间,输入输出端口电压驻波比VSWR<1.8,稳定性判断因子K>1(在5～19GHz内)。
- 骆新江杨瑞霞吴景峰周晓龙姜霞
- 关键词：功率放大器宽带微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
- AlGaN//GaNHEMT模型研究及MMIC功率放大器设计
- 随着无线通讯技术和航空航天技术的飞速发展,对具有更高频率和更大输出功率的高性能半导体器件的需求日益增加。传统的Si和GaAs基半导体微波功率晶体管由于受材料参数的限制已经接近性能的极限,而以GaN和SiC等宽禁带半导体材...
- 姜霞
- 关键词：自热效应大信号模型单片微波集成电路功率放大器分布式放大器
- 文献传递
- 用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMT热解析模型被引量：1
- 2010年
- 研究了温度的升高对低场迁移率及阈值电压的影响,建立了模拟AlGaN/GaN HEMT直流I-V特性的热解析模型。模型考虑了极化、材料热导率、电子迁移率、薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度及导带断续的影响。模拟结果表明,低场迁移率随温度的升高而下降,阈值电压随温度的升高略有增加,但变化很小,而沟道温度随漏压的增加上升很快,并最终导致输出漏电流的下降。最后将模拟结果与实验值进行对比,符合较好,证明了该模型的正确性,并可以应用于SiC和蓝宝石两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的模拟。
- 姜霞赵正平张志国骆新江杨瑞霞冯志红
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管解析模型迁移率
