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商立伟

作品数：110 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 99篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 58篇晶体管
  • 52篇有机半导体
  • 52篇半导体
  • 46篇晶体
  • 46篇场效应
  • 39篇场效应晶体管
  • 37篇有机场效应晶...
  • 29篇电极
  • 28篇光刻
  • 24篇衬底
  • 22篇绝缘衬底
  • 18篇金属
  • 17篇有机半导体材...
  • 17篇半导体材料
  • 16篇沟道
  • 14篇分子
  • 12篇真空蒸镀
  • 12篇微电子
  • 11篇纳米
  • 10篇绝缘

机构

  • 110篇中国科学院微...
  • 2篇兰州大学
  • 1篇安徽大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 110篇商立伟
  • 108篇刘明
  • 51篇刘兴华
  • 48篇刘舸
  • 45篇王宏
  • 38篇涂德钰
  • 37篇姬濯宇
  • 31篇柳江
  • 15篇甄丽娟
  • 15篇谢常青
  • 13篇王丛舜
  • 12篇刘欣
  • 11篇韩买兴
  • 9篇陈映平
  • 7篇刘新华
  • 6篇王艳花
  • 4篇龙世兵
  • 3篇李冬梅
  • 3篇王慰
  • 2篇岑专专

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇科学通报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2014
  • 24篇2012
  • 22篇2011
  • 27篇2010
  • 23篇2009
  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法
本发明公开了一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法，包括：在基片制备标准的CMOS器件；在该CMOS器件上覆盖一层钝化层；对该钝化层进行光刻、刻蚀形成通孔；沉积金属填充通孔，化学机械打磨将多余金属层去...
涂德钰刘明王慰商立伟谢常青
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采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；蒸发或沉积金属电极材料；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法
本发明公开了一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法，该方法包括：在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；真空蒸镀一层有机半导体材料；通过电子束蒸发在有机半导体材料表面蒸镀一...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
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一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到平行排列的线条图形；在平行排列的线条图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉...
刘舸刘明刘光华商立伟王宏柳江
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一种制备有机场效应晶体管结构的方法
本发明公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法，包括：在绝缘衬底上制备图形化的栅电极层；在栅电极层上沉积栅介质层；在栅介质层表面上制备图形化的源漏金属电极；将制备有图形化源漏金属电极的样品浸泡到表面修饰溶液中，对样品表面...
商立伟姬濯宇刘明
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一种制备过孔的方法
本发明公开了一种制备过孔的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；电子束蒸发过孔金...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
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有机半导体薄膜层的图形化方法
2007年
对有机半导体层的图形化方法进行了详细介绍。对比分析了非传统有机半导体薄层的图形化方法和与传统光刻技术类似的有机层图形化方法,指出了各种方法的适用范围及其优缺点。
甄丽娟刘明商立伟涂德钰刘兴华刘舸
关键词：图形化有机半导体喷墨打印
用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法
本发明公开了一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，包括：清洗基片，烘干；在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘干；在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；电子束光刻，对顶层胶进行曝光；对...
涂德钰刘明谢常青刘新华商立伟
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一种通过热压来制备各向异性有机场效应管的方法
本发明属于有机半导体学中的微细加工领域，特别是一种通过热压来制备各向异性有机场效应管的方法。其步骤如下：1.在导电基底上制备绝缘介质层；2.在绝缘介质层薄膜表面上蒸发沉积第一层有机半导体薄膜；3.利用光滑的辊筒对有机薄膜...
商立伟王丛舜刘明
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一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法
本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，利用一次掩膜光刻同时定义出有机薄膜晶体管的源漏栅电极，包括：在衬底正面形成具有透光性的有机绝缘栅介质层；用保护卡具保护有机绝缘栅介质层，腐蚀衬底的背面至介质层镂空；在有机绝缘层正...
甄丽娟商立伟刘兴华刘明
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