吴帅
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：内蒙古科技大学机械工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金包头市科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- Ti-Si-N界面相形成条件的第一性原理研究
- 众所周知，Ti-Si-N纳米复合薄膜具有良好的力学、光学、电学等性能。研究者认为TiN与Si3N4两相分离，且界面相SiN包裹纳米晶TiN是导致超硬的主要原因。为了明确Ti-Si-N纳米复合薄膜的超硬机理，首先应该明确T...
- 吴帅
- 关键词：TI-SI-N激活能第一性原理
- 文献传递
- 氮粒子对Ti-Si-N岛构型演变影响的第一性原理计算被引量：1
- 2014年
- 为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN(001)表面上3N-2Ti-1Si、4N-1Ti-1Si和4N-2Ti-1Si岛的各构型的总能量和吸附能,并且利用推移弹性带(NEB)的方法计算了各岛构型演变过程中所需的迁移激活能。计算结果表明:Ti粒子在岛内的构型是低能量的稳定结构,这种构型是由SiN相从TiN相中分离出来而形成的;在3N-2Ti-1Si、4N-1Ti-1Si和4N-2Ti-1Si 3种构型的演变方式中,3N-2Ti-1Si构型演变所需的激活能较小,更容易实现构型演变;适量地增加N粒子的沉积比例,可以使岛构型演变所需的激活能减小,促进SiN相与TiN相的分离;当N与Ti的粒子数比例达到3∶2时,界面最容易形成。
- 刘学杰魏怀陆峰吴帅任元银永杰张素慧
- 关键词：激活能第一性原理
- TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛构型及其演变的第一性原理研究被引量：1
- 2013年
- 为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛的各构型的总能量和吸附能,并计算了Si-in-3N1Ti构型转向Ti-in-3N1Si构型的两种演变方式所对应的激活能。计算结果表明:在3N1Ti1Si的几种构型中,Ti-in-3N1Si构型是最低能量的稳定结构,这种构型是由SiN相从TiN相中分离出来而形成的;两种演变方式中以Si粒子迁出Ti粒子迁入所需构型演变的激活能较小,更容易实现构型演变;与2Ti2N1Si构型演变相比,3N1Ti-1Si岛演变中SiN与TiN分离比较容易实现,这意味着适当增加氮分量有利于SiN与TiN的分离。
- 刘学杰吴帅任元
- 关键词：激活能第一性原理
