史继祥
- 作品数：9 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺冶金工程更多>>
- 气相掺杂区熔硅单晶的掺杂剂量计算方法研究被引量：1
- 2013年
- 随着电力电子技术的发展,对高品质低阻高寿气相掺杂区熔硅单晶的需求越来越紧迫,欧美主要国家的气相掺杂区熔硅单晶生长技术已经趋于成熟,而我国还处于起步阶段。主要从理论方面分析气相掺杂过程PH3进入晶体中的方式和过程,并对掺入量的计算过程进行了详细说明。
- 史继祥索开南
- 关键词：电阻率区熔
- 硼扩散技术研究被引量：1
- 2011年
- 对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。
- 王春梅佟丽英史继祥王聪
- 关键词：硼
- 直拉硅单晶宽面控制工艺研究
- 2017年
- 探究了影响偏离<111>晶向硅单晶晶体宽面的主要工艺因素,通过不同的晶体生长工艺参数设定来进行<111>晶向硅单晶生长试验,通过对比不同工艺参数对晶体宽面的影响,最终确定了控制单晶宽面的最优工艺,获得了外形大幅优化的<111>晶向硅单晶。
- 史继祥韩焕鹏
- 空间太阳电池用掺锗MCZ硅单晶研究
- 本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.
- 刘锋纪秀峰赵光军栾国旗李丹王世援王富田史继祥
- 关键词：抗辐照加固
- 文献传递
- 硼扩散片弯曲度的控制技术研究
- 2010年
- 对硼扩散片弯曲度的控制技术进行了研究。结果发现单面扩散后硅片的弯曲度比双面扩散的弯曲度大,晶锭加工之前的热处理工艺有助于弯曲度的改善。在单面减薄后对硅片进行碱处理工艺,进一步改善了扩散片的弯曲度。通过对硅单晶进行热处理、以及对硅扩散片进行碱处理等一系列措施,使扩散片的弯曲度有了较大幅度的改善。
- 王春梅佟丽英史继祥王聪
- 关键词：硼扩散硅片
- 〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定被引量：1
- 2008年
- 在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。
- 佟丽英杨春明王春梅史继祥王聪
- 关键词：砷化镓单晶
- γ辐照对硅单晶电学参数的影响被引量：7
- 2005年
- 对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比。结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大,而对其少子寿命影响很大。
- 张继荣史继祥佟丽英
- 关键词：Γ辐照硅单晶电阻率少子寿命
- 化学染色法测量B,Al及P扩散结深被引量：6
- 2009年
- 采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。
- 佟丽英赵权史继祥王聪李亚光
- 关键词：染色液
- 高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命被引量：2
- 2010年
- 高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。
- 佟丽英王俭峰史继祥张继荣邢友翠戚红英李亚帅
- 关键词：锗单晶禁带宽度光注入少子寿命
