华伟民
- 作品数：12 被引量：11H指数：1
- 供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
- 发文基金：浙江省分析测试基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生更多>>
- 适用于半导体晶体生长的双温加热炉
- 一种适用于半导体晶体生长的双温加热炉，采用微机自动控温，在主温区温度变化过程中，副温区的位置和坪长能保持恒定，或者当主、副温区温度同时按预定的要求变化时，主温区和副温区的坪的位置和长度均保持不变。应用于半导体晶体材料合成...
- 丁祖昌华伟民过云龙
- 文献传递
- P型掺杂GaAs液相外延材料的辐射复合研究
- 1995年
- 对Ｓｉ掺杂和Ｚｎ掺杂ｐ型ＧａＡｓ液相外延材料在３００Ｋ～６０Ｋ温区的辐射复合进行了光致发光研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８，２ｎｍ的溴化亚铜激光器作为激发光源，样品的低温由氦循环制冷机提供，样品室温度在１０Ｋ～３００Ｋ中可调。主所选取的狭缝宽度下，谱仪的分辨率大致为２ｎｍ．本文所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。本文讨论了Ｓｉ掺杂ｐ型ＧａＡｓ样品ＰＬ谱中一些主要特征。认为Ａ１、Ａ２、Ａ３三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁。其温度依赖关系和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外，我们还观察了掺Ｚｎ的ｐ型ＧａＡｓ样品的ＰＬ谱。与接Ｓｉ样品比较，具有明显不同的特征。谱线在长波端（～９５０ｎｍ）的上扬趋势表明可能在低能区域存在一个与深能级复合有关的宽发射带。
- 华伟民沈雅珍陈美云
- 关键词：砷化镓光致发光谱P型液相外延
- 一种高发光效率的磷化镓外延材料
- 提供一种高发光效率的磷化镓外延材料，含有N<Sub>1</Sub>-N<Sub>2</Sub>-N<Sup>-</Sup>-P<Sup>-</Sup>-P五个磷化镓层，外延层N<Sup>-</Sup>和外延层P<Sup>...
- 华伟民丁祖昌
- 磷化镓发光二极管
- 一种能使发光效率提高一倍的磷化镓发光二极管，其特征是采用含有N<Sub>1</Sub>—N<Sub>2</Sub>—N<Sup>-</Sup>—P<Sup>-</Sup>—P五层结构的芯片材料，其中处延层N<Sup>-<...
- 华伟民丁祖昌
- 文献传递
- 磷化镓液相外延装置
- 一种磷化镓液相外延装置，设有中心通道15和端口通道18，进入反应区的工作气体均匀混合，掺杂舟16布置在中心通道15内，处于室温状态，掺杂时用磁铁推到副温区内汽化，由携带气体直接送到反应区。;制成的磷化镓外延材料掺杂均匀，...
- 丁祖昌华伟民
- 一种高发光效率的磷化镓外延材料
- 提供一种高发光效率的磷化镓外延材料，含有 N<Sub>1</Sub>—N<Sub>2</Sub>—N<Sup>-</Sup>—P<Sup>-</Sup>—P五个磷化镓层，外延层N<Sup>-</Sup>和外 延层P<Su...
- 华伟民丁祖昌
- 文献传递
- Te掺杂n型GaAs材料的光致发光研究
- 1997年
- 对Ｔｅ掺杂ｎ型ＧａＡｓ材料在３００～６０Ｋ之间的辐射复合进行光致发光（ＰＬ）研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器为激发光源。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率约为２ｎｍ。所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对ＰＬ谱中一些主要特征进行讨论，认为Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３三个发射带分别对应着导带价带（Ｔ１）和施主受主（Ｔ２，Ｔ３）的跃迁，它们随温度变化的情况与带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外，还注意到ＰＬ谱的长波端（～９５０ｎｍ）呈上扬趋势。
- 华伟民沈雅珍陈美云
- 关键词：光致发光砷化镓半导体材料
- 磷化镓液相外延装置
- 一种磷化镓液相外延装置，设有中心通道15和端口通道18，进入反应区的工作气体均匀混合，掺杂舟16布置在中心通道15内，处于室温状态，掺杂时用磁铁推到副温区内汽化，由携带气体直接送到反应区。制成的磷化镓外延材料掺杂均匀，成...
- 丁祖昌华伟民
- 文献传递
- 磷化镓液相外延方法及装置
- 一种磷化镓液相外延方法及装置，设有中心通道15和端口通道18，进入反应区的工作气体均匀混合，掺杂舟16布置在中心通道15内，处于室温状态，掺杂时用磁铁推到副温区内汽化，由携带气体直接送到反应区。; 制成的磷化镓外延材料掺...
- 丁祖昌华伟民
- 文献传递
- p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究
- 1993年
- 对Si掺杂和Zn掺杂p型GaAs液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6nm和578.2nm的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对Si掺杂p型GaAs样品PL谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺Zn的p型GaAs样品的PL谱,与掺Si样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(～950nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。
- 华伟民陈美云沈雅珍董绵豫张松斌丁祖昌
- 关键词：光致发光掺杂液相外延砷化镓
