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刘立浩

作品数：6 被引量：10H指数：2
供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
发文基金：天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇击穿电压
  • 2篇砷化镓
  • 2篇晶体管
  • 2篇击穿
  • 2篇半导体
  • 2篇NH
  • 2篇SEM分析
  • 2篇GAAS_M...
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇导体
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇砷化合物
  • 1篇砷化镓微波功...
  • 1篇通孔
  • 1篇硫钝化
  • 1篇金属半导体
  • 1篇金属半导体场...
  • 1篇化合物
  • 1篇击穿特性

机构

  • 6篇河北工业大学
  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 6篇刘立浩
  • 4篇杨瑞霞
  • 2篇刘芳芳
  • 2篇周瑞
  • 2篇张雄文
  • 2篇申华军
  • 2篇邢东
  • 2篇王同祥
  • 1篇郭荣辉
  • 1篇李效白

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2003
  • 4篇2002
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
GaAs MESFET击穿特性研究
砷化镓/(GaAs/)晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、低功耗、低噪声等突出的优点而得到广泛应用。GaAs器件及其集成电路在微波通信和...
刘立浩
关键词：砷化镓金属半导体场效应晶体管击穿电压
文献传递
半磁半导体材料GaMnAs被引量：5
2002年
利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析.
刘芳芳杨瑞霞刘立浩申华军
关键词：GAMNAS半磁半导体磁畴磁性质DMS
使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
刘立浩杨瑞霞王同祥张雄文周瑞
文献传递
使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
2002年
刘立浩杨瑞霞王同祥张雄文周瑞
关键词：SEMGAASMMIC扫描电镜砷化镓微波功率场效应晶体管
(NH_4)_2S_x溶液改善GaAs MESFETs击穿特性的机理研究被引量：2
2003年
使用 (NH4) 2 Sx 溶液对GaAsMESFETs进行处理。处理后 ,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了 ,栅漏击穿电压有了显著提高。我们认为负电荷表面态影响着栅边缘的电场 ,负电荷表面态密度的增大会提高器件的击穿电压 ,这就是 (NH4) 2 Sx
刘立浩杨瑞霞邢东郭荣辉申华军刘芳芳
关键词：GAASMESFETS击穿电压
硫钝化GaAs MESFET的机理研究被引量：3
2002年
研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。
邢东李效白刘立浩
关键词：硫钝化GAASMESFET击穿电压
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