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刘宏伟

作品数:81 被引量:47H指数:3
供职机构:天津工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 44篇专利
  • 32篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 2篇会议论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 4篇电气工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇二极管
  • 12篇发光
  • 10篇金属
  • 10篇LED
  • 9篇隧穿
  • 9篇共振隧穿
  • 8篇共振隧穿二极...
  • 7篇光子
  • 7篇RTD
  • 6篇电极
  • 6篇电路
  • 6篇耦合器
  • 5篇单模
  • 5篇等离子体
  • 5篇多量子阱
  • 5篇神经网
  • 5篇神经网络
  • 5篇凸点
  • 5篇偏振
  • 5篇人工神经

机构

  • 81篇天津工业大学
  • 6篇中国科学院
  • 4篇天津大学
  • 4篇天津三安光电...
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇西北农林科技...
  • 1篇天津理工大学
  • 1篇天津城建大学
  • 1篇天津鹏翔华夏...
  • 1篇易美芯光(北...
  • 1篇飞利浦(中国...

作者

  • 81篇刘宏伟
  • 47篇牛萍娟
  • 24篇张赞允
  • 15篇李晓云
  • 14篇杨广华
  • 13篇陈力颖
  • 13篇郭维廉
  • 12篇李鸿强
  • 11篇宁平凡
  • 9篇张建新
  • 8篇高铁成
  • 7篇胡海蓉
  • 6篇郭凯
  • 5篇于欣
  • 5篇王小丽
  • 5篇贾海强
  • 5篇刘春影
  • 5篇陈弘达
  • 4篇张丽
  • 4篇王晶晶

传媒

  • 7篇发光学报
  • 5篇固体电子学研...
  • 4篇半导体技术
  • 4篇天津工业大学...
  • 4篇微纳电子技术
  • 2篇聊城大学学报...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇资源节约与环...
  • 1篇天津城建大学...
  • 1篇新型工业化
  • 1篇第六届中国国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 8篇2021
  • 5篇2020
  • 7篇2019
  • 10篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 8篇2007
  • 3篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
81 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列及制造方法
本发明公开了一种金属光子晶体耦合增强nano‑LED阵列及制造方法,自下而上包括:Si衬底、Ni/Au金属阵列和p电极连接线、nano‑LED阵列、n型GaN层、Ti/Au金属层;nano‑LED阵列结构自下而上包括:N...
刘宏伟于丹丹牛萍娟王迪
文献传递
基于VCSEL阵列混合集成和光纤垂直封装的硅基WDM光发送装置
本发明公开了一种基于VCSEL阵列混合集成和光纤垂直封装的硅基WDM光发送装置,包括VCSEL激光器、硅基光发送芯片、硅衬底和单模光纤,其特征在于:采用所述VCSEL激光器垂直向下发射光并耦合进入所述硅基光发送芯片,而模...
张赞允程倩张凯鑫刘宏伟李鸿强
文献传递
电注入三维GaN核壳结构Nano-LED及制造方法
本发明公开了一种电注入三维GaN核壳结构Nano‑LED及制造方法,涉及半导体发光技术领域,其特征在于:蓝宝石衬底上刻蚀N型GaN纳米柱;在N型GaN纳米柱的底部和顶部制备SiO<Sub>2</Sub>层或SiN<Sub...
刘宏伟王鑫炜高克牛萍娟张赞允王迪
文献传递
光子晶体Micro LED微显示阵列加工及光学特性分析
2024年
Micro LED器件具有高亮度、低功耗和高可靠性等优点,但Micro LED显示像素巨量转移和光提取效率低的问题为其应用带来挑战。开发了具有高转移效率和出光效率的单片64×64 Micro LED微显示阵列,提出了倒装型GaN基单片Micro LED微显示阵列芯片和Si基驱动电路的设计方法及集成工艺。通过时域有限差分(FDTD)方法对Micro LED微显示阵列光学特性进行了建模分析,设计了一种提高Micro LED微显示阵列出光效率的光提取结构。结合仿真结果,开发了一种在Micro LED蓝宝石衬底表面制备光子晶体结构的聚焦离子束(FIB)微纳加工工艺,并进行了器件加工。测试结果表明,蓝宝石衬底上加工的光子晶体结构可以提高Micro LED器件的表面出光效率,光功率平均值提升了16.36%,对Micro LED微显示阵列加工及微显示像素光提取问题具有借鉴意义。
孟媛肖秧冯晓雨何龙振张鹏喆宁平凡刘宏伟
关键词:光子晶体结构
基于有限元算法和人工神经网络结合的多芯片LED光源多物理场分析被引量:2
2019年
多芯片LED光源的可靠性分析涉及到光、电、热多个物理场,高精度的多场分析结果会导致计算资源过多、计算时间过长、计算难度大等问题。为解决上述问题,本文分别利用传统的有限元算法(FEM)和高效的人工神经网络方法(ANN)进行LED光源温度分析,并讨论两种方法的优劣性。最后,通过将FEM分析单一传热物理场的优势与ANN计算时间短、计算资源需求低的优势相结合,归纳出一种更为高效的方法来进行多芯片LED光源的散热分析。利用该方法,ANN的预测数据与训练数据之间的相关系数达到了0.997 79,预测结果与实际热分布图有良好的匹配,计算资源相比传统的FEM方法节约了59%。该方法的应用能够在满足精度的前提下耗费更少的计算资源和时间,同时提高了分析的灵活性。除此之外,该方法对求解大功率LED光源寿命等可靠性问题也具有一定的参考价值。
刘宏伟于丹丹牛萍娟牛萍娟张赞允郭凯张建新张建新王闯吴超瑜
关键词:多场耦合人工神经网络
基于低维相变薄膜的显示器件光学性质的研究被引量:3
2016年
采用传输矩阵模型研究了基于低维相变薄膜的显示器件的光学特性与器件结构的关系。显示器件的类型有反射型和透射型,器件结构的关键参数包括Ge_2Sb_2Te_5(GST)层的厚度、ITO层的厚度、GST层的晶态与非晶态的变化。结果表明:对于反射型器件,ITO层的厚度对器件的反射光谱影响较大,可以通过改变ITO层的厚度达到改变器件颜色的效果;GST层的厚度为12 nm时,GST的晶态与非晶态的变化使器件有最好的颜色对比度且消耗较低的电功率。对于透射型器件,通过使用超薄的GST薄膜,器件的透明度可以保持很高,器件的透明度在GST的厚度超过几纳米后迅速下降。
牛萍娟薛卫芳宁平凡刘宏伟杨洁张浩伟赵金萍崔贺凤
关键词:传输矩阵显示器件
一种异质外延薄膜结构
本发明涉及一种外延薄膜结构。所述外延薄膜结构包括:一基底,所述基底为具有一外延生长面的氮化镓基底;一外延层,所述外延层为具有介电可调性能的氧化物薄膜,该薄膜在所述基底的外延生长面上生长;以及一缓冲层,所述缓冲层设置于该基...
宁平凡牛萍娟刘宏伟张建新李玉强梁立君
文献传递
偏振多样性垂直耦合光纤接口兼四路功率分束器
一种偏振多样性的垂直耦合光纤接口兼四路功率均分器,包括:一个均匀对称二维光栅,作为光芯片和单模光纤之间的光学耦合接口以及偏振分束和偏振旋转器,将单模光纤入射的双偏振态的光进行偏振分束平均的分束到四个通道波导中去。四个绝热...
张赞允刘宏伟李鸿强陈力颖
文献传递
一种用于生化分子检测的中空微纳复合梁的设计方法
本发明公开了一种用于生化分子检测的中空微纳复合梁的设计方法,该方法提出的设计结构包括梁主体和用于生化反应的中空微流道。其中梁由硅或硅化合物基底以及柔性薄膜两种结构材料复合而成。在柔性薄膜层和硅或硅化合物基底层之间含有液体...
王晶晶史立波徐保峥张丽魏熙张赞允刘宏伟
白色大尺寸GaN基LED器件研究
牛萍娟苗长云刘宏伟胡海蓉郭维廉李晓云杨广华高铁成贾海强陈弘
该项目通过创新的三步生长,缺陷阻挡及GaN重新成核方法得到了低位错密度的外延薄膜。由综合调节InGaN量子阱的组分、厚度、势垒高度以及掺杂水平的方法,使量子阱发光强度达到最高;采用表面微腐蚀方法,改善GaN表面和优化工艺...
关键词:
关键词:大功率倒装焊
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