刘凤琼
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 溶胶-凝胶法制备Li_xMg_(0.2)Zn_(0.8-x)O四元合金薄膜及其性能表征被引量：1
- 2010年
- 采用sol-gel法在载玻片上制备了ZnO薄膜和LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜。利用XRD、SEM、PL、范德堡法以及热探针等测试手段对LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结构性能、表面形貌、光学特性和电学特性进行了表征。研究发现LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜具有ZnO薄膜的结构特性,相对于ZnO薄膜LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的结晶性和晶粒尺寸显著提高,并且光致发光强度大大增强。在LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的光致发光谱中出现了紫外发光峰和可见发光峰,紫外发光峰随着Mg/Zn的值的增加向短波长方向移动,可见光的发光强度较紫光峰的强度更强。LixMg0.2Zn0.8-xO四元合金薄膜的电阻率约为103～104Ω.cm,并随着Li组分的增加而降低。
- 刘凤琼刘肃锁雅芹尹小丽常鹏温燕
- 关键词：光致发光
- Na-Mg共掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质被引量：3
- 2010年
- 利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的Na-Mg共掺杂的ZnO薄膜。用XRD、SEM、光致发光(PL)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。结果表明:Na-Mg共掺杂有利于ZnO薄膜的c轴择优取向生长,并且随着Na+掺杂浓度的增加,晶粒尺寸先增大后减小;通过比较不同掺杂浓度ZnO薄膜的PL谱,推测发光峰值位于380nm的紫外发射与ZnO的自由激子复合有关;发现掺入Mg的确能使ZnO禁带宽度增大,掺杂组分为Na0.04Mg0.2Zn0.76O时,其PL谱只有一个很强的紫光发射峰,其近带边紫外光发射强度较未掺杂的ZnO增强了近10倍,极大地提高了薄膜紫外发光性能;并且随Na+浓度增加薄膜透光性减弱。
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- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法光致发光谱
- Li、Mg掺杂/Li-Mg共掺杂ZnO薄膜及其ZnO-金属肖特基二极管的研制
- ZnO是一种宽禁带的直接带隙半导体,其禁带宽度约为3.26 eV,激子束缚能高达60 meV,利用这一优良特性可以在室温下实现高效率的紫外受激发光。随着近年来对ZnO的不断深入研究,发现ZnO还具有优异的结构、电学和光学...
- 刘凤琼
- 关键词：ZNO薄膜
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