冯红亮
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省教育厅自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 真空热退火温度对单相Ag_2O薄膜微结构和光学性质的影响被引量：1
- 2011年
- 利用直流磁控反应溅射技术在玻璃衬底上沉积了单相Ag2O薄膜,并采用真空热退火对单相Ag2O薄膜在不同热退火温度(TA)下进行了1h热处理.利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜和分光光度计研究了TA对单相Ag2O薄膜微结构和光学性质的影响.研究结果表明,TA=300℃时Ag2O薄膜中开始出现Ag纳米颗粒,且随着TA的升高薄膜中Ag的含量明显增加.特别是当TA=475℃时Ag2O相完全转化为Ag.随着TA的升高,薄膜的表面形貌发生了由致密到疏松的结构演变.薄膜微结构的变化显示在真空热退火过程中伴随着Ag2O相热分解为Ag和O原子及O原子在体内的扩散和从表面的逃逸过程.薄膜的透射率、反射率和吸收率随TA的变化归结于热退火过程中Ag2O的热分解和薄膜结构的演变.
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- 关键词：微结构光学性质
- 氧化银薄膜的微结构对其反射率和透射率的影响被引量：5
- 2010年
- 保持150℃的衬底温度不变,通过调节氧氩比(OFR=[O2]/[Ar]),利用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了一系列氧化银薄膜。利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜和分光光度计重点研究了薄膜的微结构对其反射率和透射率的影响。研究表明随着OFR的升高,氧化银薄膜呈现了从Ag+Ag2O多晶结构到Ag2O多晶结构的演变。薄膜的表面相应地呈现了从疏松的多孔结构到类金字塔结构的演变。较高的Ag2O含量和致密的表面形貌有利于薄膜可见和红外区的透光性,而较高的银含量和疏松的多孔结构则造成对光的强烈吸收,急剧地降低了薄膜的透射率和反射率。特别是在OFR为0.5条件下成功制备了具有(111)择优取向的Ag2O多晶薄膜,有效地将氧化银热分解的临界温度降低到200℃左右。
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- 关键词：直流反应磁控溅射
- 光快速热处理温度对氧化银多孔薄膜微结构和表面形貌演化的影响
- 2010年
- 利用直流反应磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了氧化银薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明制备的氧化银薄膜主要由Ag和Ag2O组成,具有疏松、多孔的表面特征。制备的氧化银薄膜经过5 min光快速热处理后,薄膜由多晶转变为非晶;随着退火温度由200℃升高到300℃,氧化银薄膜表面由疏松、多孔结构向沟道、坑和孔洞联通结构,再向孔洞和洼地结构演变。这些演变归结为氧化银薄膜的不稳定性和严重的表面再构的结果。
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- 关键词：磁控溅射多孔薄膜
- 掺铝氧化锌薄膜表面织构机制的研究
- 2009年
- 采用氯化铵(NH4Cl)溶液对磁控溅射技术制备的掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对其表面织构机制进行研究。研究结果表明NH4Cl溶液优先与间隙锌、间隙铝等缺陷和晶界处的堆积铝反应,而较大的相对应力和稀疏表面有助于间隙锌、间隙铝等缺陷和堆积铝的形成。它们对NH4Cl对AZO薄膜的表面织构很关键。
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- 关键词：氯化铵表面织构
- 掺磷氢化纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶格畸变的研究被引量：2
- 2010年
- 采用等离子增强化学气相沉积在玻璃衬底上制备了掺磷氢化纳晶硅薄膜,并利用X射线衍射谱(XRD)和拉曼散射谱研究了PH3浓度(GFR=[PH3]/[Si H4])对薄膜平均晶粒尺寸和晶格畸变的影响.结果显示磷弱掺杂有利于晶化,而重掺杂抑制晶化.随着GFR的增大,Si(111)方向上的平均晶粒尺寸呈现出先减小后增大的趋势,而对应的晶格畸变则呈现了相反的变化趋势,小的晶粒尺寸诱导了大的晶格畸变.该结果可归结于与平均晶粒尺寸相关的表面增强效应.在掺磷氢化纳晶硅薄膜的制备过程中,PH起了关键的有效掺杂作用.
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- 关键词：晶格畸变平均晶粒尺寸
- 反应气压对直流磁控反应溅射制备的氧化银薄膜的结构和光学性质的影响被引量：2
- 2011年
- 利用直流磁控反应溅射技术,通过调节反应气压(RP),在250℃衬底温度下制备了一系列氧化银(AgxO)薄膜,并利用X射线衍射谱、能量色散谱和分光光度计重点研究了RP对AgxO薄膜的结构和光学性质的影响.研究结果表明,随着RP从0.5Pa升高到3.5Pa,薄膜明显呈现了从两相(AgO+Ag2O)到单相(Ag2O)结构再到两相(Ag2O+AgO)结构的演变.特别是在RP=2.5Pa时成功制备了单相Ag2O薄膜,使AgxO薄膜的热分解临界温度的有效降低成为现实.AgxO薄膜透明区的透射率随RP的增加而增加,而反射率和吸收率随RP的增加而减小.该结果可归结于薄膜相结构的演变和薄膜厚度的减小.两相(AgO+Ag2O)薄膜的吸收边在2.75eV附近,而单相(Ag2O)和Ag2O相占主导的两相(Ag2O+AgO)薄膜的吸收边在2.5eV附近.
- 张增院郜小勇冯红亮马姣民卢景霄
- 关键词：直流磁控反应溅射X射线衍射谱光学性质
