付玉霞
- 作品数：13 被引量：11H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 用正交试验方法确定SiO2干法刻蚀菜单
- 本文介绍用正交试验方法确定二氧化硅干法刻蚀工艺菜单.还介绍了用该工艺菜单进行刻蚀可得到良好的片内均匀性、片间均匀性及批间重复性.
- 付玉霞仲涛林发永
- 关键词：正交试验均匀性SIO2干法刻蚀
- 文献传递
- 多晶发射极微波SiGe/Si HBT
- 本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5'圆片0.8umCMOS工艺线上,研制...
- 张伟熊小义刘志弘许军付玉霞单一林刘爱华窦维治王玉东刘朋钱佩信
- 关键词：SIGEHBTUHV/CVD多晶发射极
- 文献传递
- 高阻多晶硅电阻的研究与实现
- 对使用磷离子注入方式的轻掺杂多晶硅进行试验，研究了注入剂量、退火温度、退火时间、后续热处理过程于高阻多晶硅电学特性的关系。采取一定的工艺手段来控制后续热处理工艺对高阻多晶硅电阻的影响。
- 肖方兴吴正立付玉霞
- 关键词：电学性能
- 截止频率为22GHz的梳状结构SiGe HBT研究
- 介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8...
- 雒睿张伟李高庆周卫徐阳蒋志李希有付玉霞钱佩信
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究
- 2003年
- 在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。
- 熊小义刘志农张伟付玉霞黄文韬刘志弘陈长春窦维治钱佩信
- 关键词：SIGEHBT湿法腐蚀异质结双极晶体管硅锗
- 统计技术在集成电路生产中应用
- 本文扼要介绍统计过程控制在集成电路生产中应用,对理论的经验和控制图做了比较,详细介绍了层别法和散布图相结合研究改善IC生产工艺,减少产品某些特性的离散率应用工作.
- 林发永刘志弘刘爱华张伟郭英姿仲涛付玉霞鲁勇夏苏
- 关键词：集成电路生产工艺统计技术控制图
- 文献传递
- 铝-RIE刻蚀工艺被引量：8
- 2000年
- 干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不太低的气压 (BCl3∶ Cl2 ∶ CHCl3∶ N2 =70 sccm∶ 1 5 sccm∶ 1 0 sccm∶ 0～ 5 0 sccm,2 0 0 m Torr,2 0 0 W)可以实现细线条 (0 .6μm) Al的刻蚀。
- 付玉霞刘志弘刘荣华仲涛李希有
- 关键词：刻蚀工艺VLSI集成电路
- 二氧化硅刻蚀实验模型参数优化提取
- 本文研究了在PE8310全自动二氧化硅刻蚀的实验模型基础上,通过最小二乘法优化提取了模型参数,从而求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系.借助于在较宽的工艺条件范围内建立的经验公式实现了对被刻蚀二氧化硅厚度的精确...
- 殴阳毅刘志弘刘荣华乔忠林仲涛付玉霞刘爱华林发永
- 关键词：二氧化硅刻蚀工艺参数
- 文献传递
- 一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法被引量：2
- 2003年
- 在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点。
- 刘志农熊小义付玉霞张伟陈培毅钱佩信
- 关键词：EFL四探针双极性晶体管
- 氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量
- 2005年
- 通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测 量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足 的实验数据。
- 李煜李瑞伟王纪民付玉霞
- 关键词：干法刻蚀半导体工艺
