西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室
- 作品数：25 被引量：42H指数：5
- 相关作者：蔡芳共谢思思黎颖苏宇峰邓敏更多>>
- 相关机构：北京大学物理学院北京大学物理学院技术物理系西华师范大学物理与空间科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体SrZrO_3(SZO)缓冲层
- 2013年
- 采用高分子辅助的化学溶液沉积法，通过720～800℃之间进行烧结成相，分别在氩气和空气中SrTiO3（STO）单晶基底上沉积得到织构良好的SrZr03（SZO）PbN薄膜，重点研究不同热处理气氛对SZO薄膜织构和表面微结构的影响。结果表明：氩气中制得的SZO外延薄膜C轴取向较好，且表面更加平整致密；氩气中770℃制备的SZO薄膜厚度超过230nm。而空气中制得的SZO薄膜表面呈现局部团聚和开裂。在氩气中采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一SZO缓冲层。
- 张欣王文涛张勇张敏张酣雷鸣赵勇
- 关键词：涂层导体化学溶液沉积法织构
- ZnO/Cu2O异质结中深能级表面光伏特性被引量：2
- 2012年
- 采用恒电压沉积法在导电玻璃(FTO)上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜(FESEM)与X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.利用表面光电压谱(SPS)、场诱导表面光电压谱(FISPS)和相位谱(PS)研究了单一Cu2O与ZnO/Cu2O异质结薄膜的表面光伏性质.结果表明,与单一Cu2O薄膜相比,ZnO/Cu2O异质结薄膜的光伏响应范围拓展到了600～800nm.根据SPS,FISPS和PS的作用原理,拓展部分的光伏响应归因于ZnO/Cu2O异质结中Cu2O层的深能级跃迁,该跃迁在ZnO-Cu2O界面电场(方向由ZnO指向Cu2O)的作用下得到加强,同时深能级跃迁产生的电子-空穴对在ZnO-Cu2O界面电场的作用下得到了有效分离和传输.
- 王蓉史占花蔡芳共杨峰贾永芳黎颖程翠华赵勇
- 关键词：表面光电压谱
- 双通TiO2纳米管阵列膜制备及应用研究
- 2016年
- 双通TiO_2纳米管阵列膜的成功制备可有效提高TiO_2纳米管阵列膜的光催化活性,同时还可扩展其在太阳能电池、气体敏感器等方面的应用,具有很强的实际意义。在大量文献调研的基础上,综述了双通TiO_2纳米管阵列膜的阳极氧化制备方法及其在催化与制氢、氢敏特性、分子过滤等方面的应用进展,并侧重讨论了双通TiO_2纳米管阵列膜的分离机制。最后,对双通TiO_2纳米管阵列膜的后续发展方向和应用前景进行了展望。
- 贾永芳蔡芳共鲁双伟杨峰赵勇
- 关键词：双通
- PbS量子点/ZnO纳米片复合膜的制备及其光电化学性能被引量：6
- 2012年
- 通过两步法合成PbS量子点(QDs)修饰ZnO纳米片复合膜.首先利用电化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米片,然后在ZnO纳米片上通过逐次化学浴法沉积PbS量子点形成PbS/ZnO复合膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)详细表征了样品的表面形貌和晶体结构,并研究了PbS/ZnO复合膜作为量子点敏化太阳能电池光阳极的紫外可见吸收谱、光电化学性能和表面光电压谱.对比ZnO纳米片经PbS量子点修饰前后,发现PbS量子点修饰后光阳极的光吸收和光伏响应均从紫外区拓宽到了可见光区,同时光电化学性能有了显著提高,短路电流密度从敏化前的0.1 mA/cm2增加到0.7 mA/cm2,效率由0.04%增加到0.57%.与单一ZnO纳米片相比,PbS/ZnO复合膜的表面光伏响应强度明显增强,说明PbS与ZnO之间形成了有利于光生电荷分离的异质结,从而导致了PbS/ZnO复合膜光电性能的增加.
- 廖鑫杨峰蒲明华赵勇程翠华
- 分子动力学模拟H原子与Si的表面相互作用
- 2013年
- 通过分子动力学模拟了入射能量对H原子与晶Si表面相互作用的影响.通过模拟数据与实验数据的比较,得到H原子吸附率随入射量的增加呈先增加后趋于平衡的趋势.沉积的H原子在Si表面形成一层氢化非晶硅薄膜,刻蚀产物(H2,SiH2,SiH3和SiH4)对H原子吸附率趋于平衡有重要影响,并且也决定了样品的表面粗糙度.当入射能量为1eV时,样品表面粗糙度最小.随着入射能量的增加,氢化非晶硅薄膜中各成分(SiH,SiH2,SiH3)的量以及分布均有所变化.
- 柯川赵成利苟富均赵勇
- 关键词：分子动力学吸附率表面粗糙度氢化非晶硅薄膜
- 镍钴元素比对高温固相法所制备富锂锰材料电化学性能的影响
- ＜正＞【引言】富锂锰基材料是当今高性能锂电正极材料的首选材料之一,但实际运用中存在首次不可逆容量损失较大、倍率性能和循环稳定性较差等诸多问题,当下研究主要集中在优化合成工艺,掺杂包覆改性和寻找合适电解液等方面。高温固相法...
- 邱家欣江奇李欢邓敏刘青青蒋理卢晓英
- 文献传递
- 拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶体的研究进展被引量：9
- 2013年
- 拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。
- 吕莉张敏杨立芹羊新胜赵勇
- 关键词：拓扑绝缘体晶体生长
- Cl掺杂对n-Cu2O的光电性能的影响被引量：4
- 2016年
- 在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段研究了氯掺杂对Cu_2O表面形貌和晶体结构的影响。紫外-可见吸收光光谱确定得到的Cu_2O和Cl掺杂Cu_2O(Cu_2O-Cl)样品的禁带宽度分别为1.98和1.95eV。根据表面光电压谱和相位谱,掺杂前后的Cu_2O均为n型,Cu_2O-Cl有更强的表面光电压响应。场诱导表面光电压谱结果表明未掺杂Cl的Cu_2O在加负偏压时易形成反型层;氯离子的掺杂引入杂质能级可以提高n型导电性。光电化学性能测试发现,以Cu_2O、Cu_2O-Cl为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G、100mW/cm^2标准光强作用下光电转换效率分别为0.12%和0.51%。
- 谢思思鲁双伟马文利杨峰席金芳邹龙生蔡芳共程翠华赵勇阚香张勇
- 关键词：CU2O表面光电压谱光电化学性能
- 退火对TiO_2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响
- 2011年
- 采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化前由于自建场较弱,束缚激子态能在正负电场作用下发生不对称偏转;晶化后,晶体结构从非晶态变为晶态,自建场增强,束缚激子态对正电场敏感并表现出明显的光伏响应,而在负电场作用下束缚激子态没有任何光伏响应.
- 杨峰蔡芳共柯川赵勇程翠华
- 关键词：表面光伏束缚激子
- Bi1.85In0.15Se3单晶的结构及输运特性研究
- 2017年
- 主要研究了Bi_(1.85)In_(0.15)Se_3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存。当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2Se3相反的负磁电阻效应。这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关。
- 张敏魏占涛羊新胜
- 关键词：单晶
