西北工业大学理学院凝聚态结构与性质陕西省重点实验室
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 相场法模拟丁二腈枝晶生长研究被引量：2
- 2007年
- 基于相场方法对纯物质的凝固,进行了二维数值模拟。以丁二腈(SCN)为例,展示了界面形貌的演化过程,研究了相场参数对枝晶界面形貌的影响。结果表明,随着各向异性值的增加,晶核由一圆核逐渐发展为发达的枝晶,当γ=1/15时与γ=0一样,晶核生长为一圆核;随着过冷度的增大,二次枝晶出现并长大,枝晶的稳态尖端速度呈递增趋势,且增加趋势明显加快;随着耦合系数的增大,枝晶稳态尖端速度呈递增趋势,且耦合系数越大,界面的稳定性越差。
- 陈志陈长乐郝丽梅
- 关键词：相场SCN枝晶生长
- Bi_4Ti_3O_(12)/BaTiO_3铁电复合薄膜的制备被引量：3
- 2014年
- 利用脉冲激光分子束外延技术(MBE)在LaAlO3(100)基片上依次沉积了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)、BaTiO3(BTO)和Bi4Ti3O12(BIT)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、压电力显微镜(PFM)和铁电仪研究了复合薄膜的晶体结构、表面形貌、畴结构、单点压电响应信号以及电滞回线。结果表明所制BIT/BTO铁电复合薄膜沿c轴择优取向生长,其PFM相位曲线的畴翻转特征加之明显的振幅-电压蝴蝶曲线证实了该复合薄膜具有良好的铁电性;在外加8 V电压下BIT/BTO复合薄膜的剩余极化强度(2Pr)为(2.6±0.1)×10–6 C/cm2,而单层BIT和BTO铁电薄膜的2Pr仅为(1.1±0.1)×10–6 C/cm2和(0.3±0.1)×10–6 C/cm2,该现象与复合薄膜的界面效应以及晶体结构畸变有关。
- 张云婕陈长乐郭兵王晶
- 关键词：BIT分子束外延矫顽场
- 镧掺杂BaSnO_3薄膜的电学和光学特性被引量：1
- 2015年
- 利用射频磁控溅射法在(LaAlO_3)_(0.3)(SrAl_(0.5)Ta_(o.5)O_3)_(0.7)(001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO_3外延薄膜.通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO_3薄膜具有n型简并半导体特征,并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m_0(m_0为自由电子质量).镧掺杂BaSnO_3薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%).基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合,从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm,能带宽度为3.43 eV、带尾宽度为0.27 eV和复光学介电常数随波长的变化规律,而且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性.
- 费潇罗炳成金克新陈长乐
- 关键词：光学性质
