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南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心: 作品数：77 被引量：117H指数：5; 相关作者：王小兰彭国印王佳斌陈鹏刘彦松更多>>; 相关机构：商洛学院化学工程与现代材料学院安徽工业大学数理科学与工程学院闽南师范大学物理与信息工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

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中小学校教室LED照明技术规范

MOCVD原位监测系统的设计与实现: 2018年; 设计以TSMF32028335和AD7656为核心的数据采集与处理系统,采用以太网芯片W5300实现开发板与上位机的TCP/IP通信.作为监控端的上位机,采用通过Delphi开发的集数据处理、存储、显示与监控于一体的平台,且具有良好的人机交互界面.应用于自主研发的金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备,测试结果表明:该设计具有采集数据准确、通信快速稳定、人机界面友好、程序运行流畅的特点,完全符合工程控制要求.; 徐龙权徐龙权刘新卫刘新卫; 关键词：数据采集数据处理人机界面

半导体照明核心技术发展机遇与挑战: ＜正＞～～; 江风益; 文献传递

半导体异质结构SIMS表征中的能量偏移研究: 离子质谱(secondary ion mass spectroscopy,SIMS)是目前半导体行业中非常重要的分析表征工具,对于材料的基体分析、掺杂表征和污染控制等,都起到了非常重要的作用.然而随着半导体技术的迅速发展...; 潘拴李丹张萌; 关键词：半导体材料二次离子质谱

基于光谱分析的明视觉照度传感器设计研究被引量：2: 2020年; 基于光谱分析,给出了非镀膜明视觉照度传感器的设计流程,通过计算传感器理论相对光谱响应与明视觉光谱光效率函数的中心波长、半峰全宽和在380~780nm波段的积分面积的相对偏差,评估传感器匹配误差。利用蓝色玻璃QB21、黄色玻璃LB9和LB16与LXD44MQ硅光电池组合自主设计非镀膜明视觉照度传感器,与明视觉光谱光效率函数相比,该照度传感器理论相对光谱响应中心波长、半峰全宽和在380~780nm波段的积分面积的相对偏差分别为0.36%、5.00%和14.15%。以TES 1330A照度计作为标准参考,0~2000lx内10组测量值的平均绝对误差及平均相对误差分别为7.82lx和1.77%。研究结果证明了该明视觉照度传感器设计方法可行,可为相关照度传感器的设计开发提供参考。; 杨超普方文卿阳帆赫蕊蕊祝飞; 关键词：探测器照度视觉光学设计光谱分析

量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响: 2017年; 使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度,生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱,研究了两类量子阱组合对含V形坑InG aN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高分辨率X射线衍射仪和LED电致发光测试系统对LED外延结构和LED光电性能进行了表征。结果表明:限制阱靠近n层、发光阱靠近p层的新型量子阱结构,在室温75 A/cm^2时的外量子效率相对于其最高点仅衰减12.7%,明显优于其他量子阱结构的16.3%、16.0%、28.4%效率衰减,且只有这种结构在低温时(T≤150 K)未出现内量子效率随电流增大而剧烈衰减的现象。结果表明,合理的量子阱结构设计能够显著提高电子空穴在含V形坑量子阱中的有效交叠,促进载流子在阱间交互,提高载流子匹配度,抑制电子泄漏,从而减缓效率衰减、提升器件光电性能。; 吕全江莫春兰张建立吴小明刘军林江风益; 关键词：硅衬底量子阱结构

InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响被引量：4: 2016年; 采用有机金属化学气相沉积技术在Si(111)衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管(LED)结构,通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN超晶格,比较了超晶格厚度对LED光电性能的影响.结果显示:随超晶格厚度增加,样品的反向漏电流加剧;300 K下电致发光仪测得随着电流增加,LED发光光谱峰值的蓝移量随超晶格厚度增加而减少,但不同超晶格厚度的两个样品在300 K下的电致发光强度几乎无差异.结合高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对样品的位错密度和V形坑特征分析,明确了两样品反向漏电流产生巨大差异的原因是由于超晶格厚度大的样品具有更大的V形坑和V形坑密度,而V形坑可作为载流子的优先通道,使超晶格更厚的样品反向漏电流加剧.通过对样品非对称(105)面附近的X射线衍射倒易空间图分析,算得超晶格厚度大的样品其InGaN量子阱在GaN上的弛豫度也大,即超晶格厚度增加有利于减小InGaN量子阱所受的应力.综合以上影响LED发光效率的消长因素,导致两样品最终的发光强度相近.; 齐维靖张萌潘拴王小兰张建立江风益; 关键词：反向漏电应力弛豫

一种便携式漫反射LED均匀光源的设计与实现被引量：3: 2017年; 为了满足光电探测仪器校准修正过程中对标准光源的要求,设计了一种采用积分球技术,通过纽扣电池供电的便携式漫反射LED均匀光源。给出了光源的装配图、主要零件3D图及电路图,并对其进行了详细说明。通过Matlab分析光源出光口CCD照片各像素的灰度值,得到出光口ф14mm范围内光强均匀度为95.1%;采用Ocean Optics USB 2000+型光谱仪分析光源出光口光强均匀性及漫反射性,得到沿出光口径方向2个位置光强与中心光强相比,分别下降了2.93%和6.30%的结果。光源出光口平面旋转10°,中心位置光强下降6.30%。测试分析表明:设计的光源具有较好的均匀度和漫反射性,在光电探测仪器校准方面具有一定的应用价值。; 杨超普方文卿刘明宝李春韩茜张美丽刘彦峰; 关键词：光学设计 LED 漫反射

一种用于MOCVD石墨盘的红外测温装置被引量：2: 2018年; 根据MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)在线红外测温的发展需要,结合Thomas Swan CCS MOCVD反应室的结构特征,考虑加热比调节空烧过程的特定条件,设计了一种能够在线监测MOCVD石墨盘上表面温度及径向19个点温度分布的简易940nm红外测温装置。通过安装于光学视窗上方的红外探头,探测高温石墨盘及外延片的红外辐射强度,根据Planck黑体辐射公式及光谱发射率修正进行测温。红外测温装置主要由可读数轨道、红外探头、连接板以及精密平移台4部分组成。将该装置应用于MOCVD Si(111)衬底上制备InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构外延片加热程序的空烧过程,结果表明:最低能够测量的温度为430℃,700℃~850℃测量误差在2.3℃内,900℃~1 100℃测量误差在1℃内,700℃~1 100℃范围内,重复性均在0.6℃内,无需反射率修正、探孔有效面积校准;能稳定工作。; 杨超普方文卿阳帆刘苾雨李春张美丽韩茜刘彦峰; 关键词：红外测温金属有机物化学气相沉积在线监测光学设计

p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结太阳电池性能的影响机理研究: 2019年; 采用数值模拟的方法,研究了 p 层空穴浓度和厚度对不同铟组分 InGaN p-i-n 同质结太阳电池性能的影响规律及其内在机理.模拟计算的结果显示:随着 p 层空穴浓度和厚度的增加,太阳电池的转换效率均呈先增加、后略微下降的趋势;而且铟组分越高, p 层空穴浓度和厚度的影响越大.为更好地理解这一规律,本文从太阳电池的收集效率、I-V 特性、内建电场和载流子输运等方面分析,阐述了其背后的物理机理;研究结果对 InGaN 太阳电池的结构设计及实验制备有一定的理论指导意义.; 潘洪英全知觉; 关键词：数值模拟 INGAN 同质结太阳电池

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

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