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吉林大学电子科学与技术研究所

作品数：9 被引量：3H指数：1
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合作机构

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇辐射发光
  • 3篇INGAAS...
  • 3篇超辐射
  • 3篇超辐射发光二...
  • 2篇量子阱激光器
  • 1篇电流
  • 1篇电流密度
  • 1篇选择性
  • 1篇衍生物
  • 1篇一氧化碳
  • 1篇乙烯
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇应变量子阱激...
  • 1篇增透膜
  • 1篇输出功率

机构

  • 9篇吉林大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇石家纬
  • 2篇刘式墉
  • 2篇马东阁
  • 1篇陈松岩
  • 1篇景遐斌
  • 1篇马春生
  • 1篇洪志勇
  • 1篇祝进田
  • 1篇李正庭
  • 1篇金恩顺
  • 1篇孙良彦
  • 1篇王佛松
  • 1篇卢革宇
  • 1篇王淑彬
  • 1篇高鼎三
  • 1篇彭宇恒
  • 1篇陈维友
  • 1篇李玉东
  • 1篇胡礼中
  • 1篇赵晓江

传媒

  • 3篇吉林大学自然...
  • 2篇第六届全国光...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国科学（B...
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 4篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1990
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
超辐射发光二极管(SLD)被引量：2
1993年
概述了实现超辐射发光二极管的主要手段以及制备的器件性能和特点,并讨论了其发展趋势。
马东阁石家纬刘明大高鼎三
关键词：光纤陀螺超辐射发光二极管
压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的简单计算
1996年
本文根据一维势阱和应变效应以及能带填充效应的简单理论，提供了一种既简单又较准确的计算压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的方法。给出影响峰值增益能量的两个主要因素，讨论了在压缩应变的情况下，Ｆｅｉｍｉ－Ｄｉｒａｃ分布函数随注入载流子浓度的变化对峰值增益波长的影响，并且，以ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ压缩应变量子阱激光器为例，利用广泛采用的Ｌｏｒｅｎｔｚｉａｎ线形函数，计算了不同的载流子注入浓度时的峰值增益波长。
彭宇恒陈维友赵铁民刘式墉
关键词：量子阱激光器
1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长
1994年
本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。
祝进田李玉东胡礼中陈松岩胡朝辉刘式墉
关键词：激光器化学汽相沉积
CO选择性厚膜气敏元件及其特性
1992年
本文采用丝网印刷技术制作了CO选择性厚膜气敏元件,并对其加热器特性及气敏特性进行了研究。结果表明,元件的电参数具有较好的一致性;在低温下对CO具有较高的灵敏度和选择性。加热器在CO的工作温度下具有一定的稳定性。
卢革宇孙良彦吕德安吴家琨刘正绣韩敬魏秀红邱要武
关键词：气敏元件厚膜一氧化碳
腔长和注入电流对１．３μｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ减反射涂层结构超辐射发光二极管特性的影响
马东阁石家纬
关键词：发光二极管电流密度
腔长和注入电流对１．３ｕｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ减反射涂层结构超辐射发光二极管特性的影响
马东阁石家纬
关键词：发光二极管输出功率测量发射光谱分析速率方程高增透膜
半导体激光器的电导数测试和可靠性分析被引量：1
1993年
采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.
金恩顺石家纬马靖李正庭高鼎三
关键词：半导体激光器可靠性
指数折射率平面光波导的WKB模方程
1990年
文应用WKB法导出了指数折射率平面光波导的模方程。实算结果表明,所给模方程具有很高的精度。
马春生刘式墉
聚(对-苯撑乙烯)衍生物蓝色发光二极管及平面显示
1997年
成功地合成了柔性脂肪链段和刚性发光链段相互交替的共聚物,并对其进行了表征.发现该聚合物的荧光随柔性链段的增长而增强的实验结果.用所合成的共聚物作发光层,研制出了发光亮度可达190cd/m^2,最小开启电压为15V的发蓝色光的聚合物发光二极管及平板显示屏.讨论了(口恶)二唑衍生物(PBD)和8-羟基喹淋铝(Alq_3)电子输运层的引入对器件的发光亮度和稳定性的影响.
马东阁赵晓江洪志勇王岱珂王淑彬景遐斌王佛松石家纬金恩顺向海洲李淑文刘明大
关键词：发光二极管PPVPLEDS
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