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河北工业大学材料研究中心: 作品数：15 被引量：54H指数：4; 相关作者：张雯崔德升王志军王红梅更多>>; 相关机构：天津大学材料科学与工程学院河北师范大学化学与材料科学学院南昌大学理学院物理系更多>>; 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省博士后基金更多>>; 相关领域：电子电信化学工程电气工程一般工业技术更多>>

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NTDCZSi中氧的沉淀与吸除被引量：1: 1998年; 在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。; 张维连王志军孙军生张颖怀张恩怀; 关键词：中子嬗变掺杂辐照缺陷 CZSI

ANALYSIS ON THERMAL CONDUCTIVITY OF AlN CERAMIC SUBSTRATE被引量：1: 2000年; The experiments and theoretical analysis on the thermal conductivity of AlN ceramic substrate are carried out.All the results prove the following viewpoints:the maximum thermal conductivity of AlN with a lower oxygen concentration is higher and the thermal conductivity decreases with the increase of oxygen concentration in AlN ceramic;Y 2O 3 acting as a sintering additive should be mixed more into the AlN powder with a lower oxygen concentration.Secondary phases affect the thermal conductivity of AlN significantly.The quantitative relationship between the thermal conductivity and oxygen,Y 2O 3 is developed.; 梁广川梁金生梁秀红; 关键词：ALN SUBSTRATE OXYGEN; 全文增补中

多孔硅光致发光的非线性光学特性被引量：1: 1999年; 采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ＰＳ），测量了多孔硅在近红外光（８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强，被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关，光致发光谱的多峰结构表明多孔硅中存在多种发光中心。用量子限制／发光中心模型可以解释本实验结果。; 任丙彦刘彩池张颖怀崔德升王水凤曾庆城; 关键词：多孔硅发光机理非线性光学

软磁锰锌铁氧体纳米晶的制备及测试分析被引量：22: 2005年; 本文论述了用一种改进的方法—共沉淀沸腾回流法制备软磁锰锌铁氧体纳米晶。在生成反应前驱体时,通过变换溶液的pH值,得到粒径不同的五个样品,并用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和粉末样品磁强共振计(VSM)对其显微结构和磁性能进行分析。结果表明该方法成本低、无污染、反应过程易控,且制得的样品磁性能较好,可重复性高。; 崔银芳王新魏雨郝顺利王永明; 关键词：锰锌铁氧体纳米晶磁性能

NTDCZSi中与氧有关的PL谱: 1996年; 中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过的文献进行了比较,初步认定本实验条件下出现的0.896eV、0.765eV、0.909eV、0.773eV是中照硅退火时由于产生了氧沉淀及其衍生的二次缺陷引入的深能级缺陷PL峰.; 张维连闫书霞孙军生; 关键词：中子嬗变掺杂直拉硅光致发光

符合法弹性前冲测量重掺锑硅中氧含量: 1995年; 本文以能量为２７ＭｅＶ的（１２）Ｃ做为入射粒子束，采用符合法弹性前冲（ＣＥＲＤＡ）定量测量了重掺锑硅中氧含量，证实重掺锑硅中氧含量较普通直拉硅要低约４０％，且随着锑含量增加，氧含量下降．对ＣＥＲＤＡ法测量原理及影响测量精度的因素进行了分析与讨论．; 徐岳生刘彩池李养贤朱则韶王红梅韦伦存; 关键词：VLSI 锑重掺硅

利用装置环形永磁场的直拉炉(PMCZ)生长单晶硅和掺锗硅晶体被引量：6: 2001年; 设计了一种永磁 (钕铁硼 )环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅 (PMCZ法 ) .磁力线呈水平辐射状均匀分布 .只要磁场强度足够强 ,即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离心强迫对流 ,从而有效地抑制了固液界面处的温度波动 ,降低以至消除微观生长速率的起伏 ,造成了一种类似于空间微重力环境下生长晶体的条件 .在这种条件下 ,杂质和掺杂剂的运动方式受扩散规律控制 .利用这种装置生长了掺锗 (Ge∶ Si重量比为 1.0 % ,5 .0 %和 10 .0 % )和不掺锗的硅晶体 ,获得了氧浓度较低 ,掺杂剂径向分布均匀性好的较高质量的晶体 .该装置磁场强度可方便地通过调节磁环之间相对位置及磁环相对固液界面位置进行调控。; 张维连孙军生张恩怀李嘉席; 关键词：永磁场单晶硅掺杂

多孔硅红外光激发上转换兰光特性被引量：2: 1997年; 采用电化学腐蚀法制备多孔硅（PS），测量了防在近红外光（800nm）激发下的光致发光（PL）谱和光致发光激发（PLE）谱，结果表明PS具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期限内峰值强度有明显的增强．这种非线性光学响应的增强，被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激于被激发有关．硅片初始电阻车越低，发光强度越大．; 崔德升刘彩池任丙彦张颖怀; 关键词：多孔硅光激发荧光

功率器件生产过程中对硅片电阻率下滑的补偿: 2000年; 用于制造功率器件的中子辐照区熔硅片 ,在经过 12 50℃、 4 0 h高温扩硼后 ,硅片体内电阻率下滑。本文通过实验表明了高温退火后硅片的冷却速率及硅片的厚度对电阻率的影响非常明显。并且介绍了将高温退火电阻率下降的硅片通过低温退火工艺对其进行电阻率补偿的方法。; 梁秀红鞠玉林; 关键词：电阻率功率器件硅片

硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响被引量：4: 2004年; 采用 1 0 0 m m厚度 4 0 0 μm、电阻率为 0 .8～ 2 Ω· cm的 p(1 0 0 ) CZ硅片制作硅光单体电源 ,并对 RTP和铝背场烧结工艺进行了研究 .实验发现 :快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响 .铝背场烧结和适当的快速热处理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用 ,并减少了载流子的复合中心 ,从而提高了光生载流子的扩散长度。; 任丙彦左燕霍秀敏励旭东王文静许颖赵玉文朱惠民傅洪波; 关键词：RTP 氧沉淀少子寿命吸杂