云南大学物理科学技术学院佐波传感技术研究中心
- 作品数：32 被引量：99H指数：6
- 相关作者：杨兴妍王玉德苏群赵康更多>>
- 相关机构：玉溪师范学院物理与教育技术系昆明理工大学材料与冶金工程学院玉溪师范学院理学院物理与教育技术系更多>>
- 发文基金：中日国际合作项目云南省自然科学基金国家民委科研基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学环境科学与工程更多>>
- 掺杂SnO_2氨气敏感材料研究被引量：17
- 1998年
- 通过主体材料 Sn O2 掺入多种掺杂剂对气敏特性影响的研究 ,得到了对氨气 ( NH3)敏感的材料的较佳配方 ,该敏感材料制作成的气敏传感器对氨气具有较高的灵敏度和较好的稳定性。
- 王毓德苏群吴兴惠
- 关键词：氨气气敏元件稳定性掺杂二氧化锡
- 一种实用的气体检测电路
- 1997年
- 报道了一种利用气敏传感器对气体体积分数进行高精度、宽范围测量的电路及实验结果．该电路的稳定性高且易于实现。
- 王彩君王毓德吴兴惠
- 关键词：气敏传感器取样电路
- 尖晶石型铁酸盐(MFe2O4)半导体材料的气敏机理研究
- 本文对尖晶石型铁酸盐(MFe2O4)半导体材料的气敏机理进行了研究.用化学共沉淀法制备了纳米尺寸的复合金属氧化物铁酸盐(MFe2O4)粉体.以MFe2O4纳米粉体为原料做成烧结式气敏元件,测试了元件的敏感特性和响应恢复特...
- 杨留方谢永安吴兴惠
- 关键词：铁酸盐半导体材料气敏机理
- 文献传递
- WO_3对O_3敏感特性研究被引量：7
- 1999年
- 】实验发现ＷＯ３半导体材料对Ｏ３有好的敏感特性，而且元件的烧结温度和工作温度对其敏感特性有大的影响。在对这些参数优化的基础上，研制出了具有较好特性的Ｏ３气敏元件。测定了元件灵敏度与Ｏ３浓度的关系，初步讨论了元件对Ｏ３气体敏感的机制。
- 杨留方赵景畅吴兴惠袁波
- 关键词：半导体臭氧敏感特性
- NiFe_2O_4纳米材料的气敏性能研究被引量：3
- 2004年
- 以FeSO4 ·7H2 O和NiCl2 ·6H2 O为原料 ,通过新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的NiFe2 O4 粉体 ,利用XRD、TEM等手段研究了其结构特性。NiFe2 O4 是一种新型的P型半导体气敏材料。以NiFe2 O4 纳米粉体为原料制备了烧结型旁热式气敏元件 ,该元件对甲苯具有较高的灵敏度和好的选择性 ,并对气敏机理给予了解释。
- 杨留方陈洛恩赵鹤云吴兴惠
- 关键词：NIFE2O4气敏材料化学共沉淀甲苯
- 丁烷气敏传感器寿命分布研究
- 2000年
- 通过 QM- Y3型丁烷敏旁热式气敏传感器的工作寿命试验和试验数据处理 ,获得了该元件的寿命分布及分布参数等信息 ,了解了该类型元件的可靠性水平 ,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。
- 王毓德周桢来吴兴惠
- 关键词：气敏传感器丁烷
- 提高QM-Y系半导体气敏传感器可靠性的措施
- 2000年
- 通过对气敏传感器的可靠性试验 ,找到了一些引起元件失效的主要原因 ,从元件结构的设计、材料。
- 杨留方王毓德吴兴惠
- 关键词：气敏传感器
- SnO_2分级纳米结构的研究进展被引量：3
- 2014年
- 分级纳米结构不仅具有低维纳米构成基元的特征,还具备较大的比表面积及特别的空间孔道结构,从而表现出不同于单一构成基元的独特的物理、化学性质。综述了近年来Sn O2分级纳米结构的研究进展,重点介绍了球状、花状、枝棒状等SnO2分级纳米结构的合成方法、形貌及气敏性能,并对SnO2分级纳米结构作为高性能气敏材料的应用和发展前景进行了展望。
- 杜国芳赵康秦国辉王海赵鹤云
- 关键词：SNO2低维纳米结构气敏性能
- 一种实现气敏元件互补增强原理的新结构①被引量：2
- 1997年
- 提出了实现气敏元件互补增强原理的一种新结构，即Ｐ－Ｎ型半导体组合气敏元件理论分析表明，该Ｐ－Ｎ型气敏元件也可实现灵敏度的倍增，同时还给出了元件实际设计应满足的条件。
- 王毓德吴兴惠田子华
- 关键词：气敏元件灵敏度半导体
- 一种新型N-N结构气敏元件①
- 1997年
- 利用“气敏元件的互补反馈和互补增强原理”，讨论了Ｎ－Ｎ结构的Ｂ－Ａ型元件要获得高的选择性和好的热稳定性，Ａ，Ｂ敏感体应满足的条件并通过实验获得了热稳定性好、选择性高的Ｂ－Ａ型丁烷敏元件。
- 张硕王彩君吴兴惠
- 关键词：气敏元件灵敏度半导体
