华南理工大学材料科学与工程学院电子材料科学与工程系
- 作品数：54 被引量：204H指数：8
- 相关作者：王科童盛李耀霖毛翠萍黄雯雯更多>>
- 相关机构：厦门大学材料学院材料科学与工程系厦门大学材料学院中国科学院广州能源研究所更多>>
- 发文基金：华南理工大学自然科学青年基金国家高技术研究发展计划湖北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>
- 邻域参数动态变化的局部线性嵌入被引量：37
- 2008年
- 局部线性嵌入是最有竞争力的非线性降维方法,有较强的表达能力和计算优势.但它们都采用全局一致的邻城大小,只适用于均匀分布的流形,无法处理现实中大量存在的非均匀分布流形.为此,提出一种邻域大小动态确定的新局部线性嵌入方法.它采用Hessian局部线性嵌入的概念框架,但用每个点的局部邻域估计此邻域内任意点之间的近似测地距离,然后根据近似测地距离与欧氏距离之间的关系动态确定该点的邻域大小,并以此邻域大小构造新的局部邻域.算法几何意义清晰,在观察数据稀疏和数据带噪音等情况下,都比现有算法有更强的鲁棒性.标准数据集上的实验结果验证了所提方法的有效性.
- 文贵华江丽君文军
- 关键词：流形学习邻域大小降维
- 铁电陶瓷材料在交变电场作用下的电疲劳研究被引量：1
- 2005年
- 研究了PLZT铁电陶瓷的电疲劳特性。结果表明:在加上极化电场以后,相对于未疲劳试样,电疲劳试样中沿着电场方向翻转的电畴较少,沿偏离电场方向的电畴较多。SEM分析表明疲劳前样品的断裂模式主要为穿晶断裂,而疲劳后主要为沿晶断裂。利用原位XRD分析得出样品在交流电场下由90o畴变导致的畴变应变高达0.1%,这种反复高畴变应变造成的沿晶微裂纹是造成疲劳试样电畴沿电场方向翻转减少的主要原因,并最终导致了铁电陶瓷的电疲劳。
- 陈志武张颖
- 关键词：铁电陶瓷微裂纹
- Mn改性NiCuZn铁氧体的电磁性能
- 对Mn改性NiCuZn铁氧体电磁性能进行了系统的实验研究.结果表明:引入Mn部分取代Fe对NiCuZn铁氧体的电磁性能有着极大的影响,低温烧结下的初始磁导率μi、居里温度Tc可通过调整配方式中的Ni/Zn摩尔比来优化.μ...
- 凌志远张庆秋何新华
- 关键词：铁氧体电磁性能
- 文献传递
- Sb2O3掺杂对PZT压电陶瓷结构与性能的影响
- 借助于X射线衍射(XRD)、背散射成像(BSE)和阻抗频谱等测试手段,本文系统地研究了SbO掺杂对Pb(ZrTi)O压电陶瓷结构与性能的影响。发现1250℃保温2小时条件下,SbO在Pb(ZrTi)O压电陶瓷中的固溶量约...
- 凌志远王科
- 关键词：锆钛酸铅掺杂显微结构压电性能
- 文献传递
- SiO2、MgCO3、SrCO3掺杂对SnO2压敏电阻的影响
- 实验研究了SiO2、MgCO3和SrCO3对SnO2-Co2O3-Nb2O5-Cr2O3基压敏陶瓷材料烧结性能和电性能的影响。研究结果表明，添加适量的SiO2能促进SnO2陶瓷烧结及其半导化，可有效提高材料的脉冲电流耐受...
- 周紫阳卢振亚
- 关键词：离子掺杂
- 文献传递
- La置换Pb对Sb掺杂PZT压电陶瓷介电和压电性能的影响被引量：4
- 2009年
- 研究了Pb1–xLax(Zr1–yTiy)1–x/4O3+1.5%(质量分数)Sb2O5陶瓷(PLSZT)的介电、压电性能及其微观结构,获得了高压电性能、小晶粒尺寸的压电陶瓷材料。结果显示:x≤5%时,晶体结构为纯钙钛矿相;x>5%时,为钙钛矿和焦绿石两相混和物。随着x的增大,介电常数和压电常数均呈现先增大后减小的趋势。介电常数在x=6%、y=0.45时最大,最大介电常数εmax≈3900,介电损耗tgδ≈1.8%;压电性能在x=4%、y=0.45时最强,压电应变常数d33≈600pC/N,径向机电耦合系数kp≈0.7,厚度机电耦合系数kt≈0.51,此时的平均晶粒尺寸约为2μm。
- 高瑞荣凌志远童盛
- 关键词：压电陶瓷锆钛酸铅介电性压电性能
- 高性能低温烧结多层片式电感器(MLCI)用μ15材料
- 该型材料的制备原理是选取固相法合成NiCuZn铁氧体，在合成时利用掺杂改性获得高性能基料，再向基料中加入适量烧结促进剂并结合粉体超细磨工艺实现低温烧结，制备出性能优良的多层片式电感器。创新点在于：以（Ni1-XZnX）O...
- 关键词：
- 关键词：电感器电工材料铁氧体
- 大信号下X7R MLCC的电学性能分析
- 2024年
- 为了在大功率下能更好地应用多层陶瓷电容器(MLCC),需要在大信号下评价MLCC的电学性能。利用伏安法,通过测量待测电容、采样电阻及两者串联后的有效交流电压,获得待测电容和采样电阻的相位差,计算出待测电容的电容及介电损耗,建立了大信号下MLCC数据图谱。结果表明,交流电压不变时,电容随着偏压的增加而增加,交流电压较小时,损耗几乎不随偏压变化而变化;在高直流偏压下,电容和介电损耗随着交流电压的增加而增加;在某些偏压下,电容可大范围内不随交流电压变化而变化;偏压改变时,如果同时改变交流电压,电容也可获得恒定值。一定程度上解决了材料或元器件现有的电学参数与实际应用需求之间的矛盾。
- 康超胡星李屹凌志远
- 关键词：大信号偏压交流电压MLCC介电损耗
- 在新型活泼衬底上外延生长GaN薄膜及其界面反应控制
- 通过对比蓝宝石衬底与几种非常规衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了研究非常规衬底的重要意义;并详细介绍了在非常规衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及氮化物半导体器件的应用研究,特...
- 李国强王文梁
- 关键词：GANLEDS
- 文献传递
- 低电阻率、大升阻比BaTiO_3基PTCR陶瓷材料被引量：5
- 2003年
- 研究了Sb2O3和Ta2O5双施主掺杂对低电阻率的BaTiO3陶瓷PTC特性的影响。在Sb2O3和Ta2O5的摩尔分数分别为0.1%和0.01%时,得到了室温电阻率为4.59 Ω·cm,升阻比为3.4的优质PTCR陶瓷材料。通过XRD 、SEM显微结构分析;复阻抗测试,估计晶粒和晶界电阻值,探讨了Sb2O3和Ta2O5的作用机制。
- 毛翠萍陈亿裕韩晓东江涛
- 关键词：电阻率升阻比
