河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所
- 作品数：302 被引量：872H指数：12
- 相关作者：李炎王其民栾晓东李洪波王娜更多>>
- 相关机构：河北科技大学化学与制药工程学院天津理工学院光电信息与电子工程系河北科技大学人事处更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制被引量：3
- 2005年
- 化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重。随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合。文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面的吸附状态,对已经吸附的颗粒可以起到解吸的作用。实验证明用表面活性剂对硅片进行处理,可以有效控制颗粒的吸附状态,对CMP清洗有重要作用。
- 李薇薇刘玉岭周建伟王娟
- 关键词：化学机械全局平面化键合表面活性剂
- 金刚石膜电化学氧化液的制备及清洗技术研究被引量：1
- 2012年
- 提出了一种采用电化学去除硅片表面有机物的新的清洗方法,用金刚石膜电极作为阳极,电化学氧化硫酸铵溶液生成稳定的强氧化溶液,电解液的氧化性通过间接碘量法测量。通过大量实验,优化初始电解液的浓度以及初始温度等因素,得到氧化强度最佳的电化学清洗液。用自制氧化液进行硅片表面有机物的清洗实验,并与传统的RCA清洗方法进行对比。通过XPS分析可知,采用新的电化学氧化溶液清洗后的硅片表面有机物去除效果明显优于对比实验样品。
- 张艳檀柏梅高宝红刘玉岭黄妍妍
- 关键词：金刚石膜电极电化学有机物氧化液
- 微电子工艺中的清洗技术现况与展望被引量：11
- 2002年
- 介绍了微电子行业的清洗现状以及其工艺的清洗原理(包括颗粒、金属离子等),分析了存在的问题,阐述了硅片清洗的急待解决的难题和ODS(破坏臭氧层物质)清洗液的替代问题.说明了润湿剂、渗透剂和螯合剂的作用,并对今后的微电子清洗发展方向进行了展望.
- 刘玉岭李薇薇檀柏梅
- 关键词：微电子ODS螯合剂渗透剂
- 碱性多羟多胺螯合剂对Cu CMP后BTA去除作用及机理被引量：4
- 2018年
- 苯并三唑（BTA）在微电子领域常被用于铜抛光液中的抗蚀剂,抛光后的BTA残留需要通过化学机械抛光（CMP）后清洗工序从晶圆表面去除,否则会影响器件的性能。通过实验研究了碱性多羟多胺类螯合剂对抛光后晶圆表面残留BTA的去除效果及机理。首先通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）研究了BTA在铜表面的吸附状态,发现铜表面的氧化程度会影响BTA在晶圆表面的吸附状态;然后采用体积分数为0.02%、pH值为10.3的碱性多羟多胺螯合剂去除铜表面BTA薄膜。FTIR和XPS测试结果显示,碱性多羟多胺螯合剂可以有效去除铜表面BTA薄膜;最后,通过实验数据研究了碱性多羟多胺螯合剂去除BTA的机理。
- 高宝红高宝红车佳漭檀柏梅杨柳刘玉岭
- The Application of Alkali Nano-sized SiO2 Slurry on Ultra-Precision Machining Process of the Material surface
- Aiming at some problems on ultra-precision machining process of the material surface by chemical mechanical po...
- 刘玉岭武亚红孙薇
- 关键词：NANO-SIZE
- 阻挡层抛光液中助溶剂和H2O2对铜残留缺陷的影响被引量：1
- 2018年
- 针对化学机械抛光（CMP）过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液。分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形坑和蚀坑的修正能力,通过扫描电子显微镜（SEM）观察铜残留缺陷的情况。结果显示,在FA/O阻挡层抛光液中加入1. 5 g/L助溶剂和体积分数0. 05%H2O2对SiO2和铜的去除速率选择比最优,为1. 96。同时,添加了助溶剂和H2O2的FA/O阻挡层抛光液对碟形坑修正的能力为48. 2 nm,对蚀坑修正的能力为38. 9 nm,修正能力非常强。铜布线片阻挡层抛光后,碟形坑深度为4. 7 nm,蚀坑深度为19. 9 nm,将碟形坑和蚀坑的深度降到较小的范围。SEM检测结果表明,铜残留较少,表面形貌较好。
- 胡轶张凯何彦刚刘玉岭
- CMP Study of NiP Substrate of Computer Hard-disk with Alkali Nanometer Slurry
- In this paper, the chemical character of NiP substrate of computer disk is analyzed. New type of alkali slurry...
- 刘玉岭田军唐文栋张国玲王立发
- 关键词：CMPROUGHNESSPLANARIZATION
- 基于流量传感器的风速风向测量与无线数据传输被引量：5
- 2009年
- 本文讨论了研制一套风速风向无线数据采集系统的基本原理和电路设计.在分析了风对人类的重要的作用、流量传感器及无线数据传输模块工作原理的基础上,设计了以AT89S52单片机为主控单元的风速风向无线数据采集系统硬件电路和软件,采集了实际风速、风向的数据.
- 许世霞孙以材潘国峰
- 关键词：AT89S52流量传感器无线传输
- 基于单片机的四探针测试系统的研制被引量：1
- 2009年
- 利用改进的Rymaszewski法自动消除探针纵向游移影响的优点,将它应用于斜置式方形探针测试法中;在斜置式方形四探针机械平台的基础上,完成了整个测试电路的硬件设计和软件编程,研制出一台具有输出高精度高稳定性恒流源的斜置式方形探针分析仪。该系统是基于单片机的智能化控制系统,实现了10μA^1mA、步长为10μA的高精度数字控制恒流源,具有较高精度的电压测量电路,并能和上位机PC进行RS-232串口通讯。
- 常涛孙以材潘国峰
- 关键词：微区薄层电阻数控恒流源
- ULSI中CMP纳米磨料制备技术的研究被引量：2
- 2004年
- 介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果:15～20nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液、用于介质CMP的120 nm水溶胶磨料抛光液、互连插塞钨和铝的CMP纳米SiO2磨料碱性抛光液及ULSI硅衬底CMP抛光液及切削液、磨削液、倒角液和应力控制技术等研究成果.
- 刘玉岭李薇薇周建伟王娟
- 关键词：CMP碱性抛光液水溶胶应力
