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无锡华润上华科技有限公司

作品数：1,828 被引量：37H指数：2
相关机构：无锡华润上华半导体有限公司东南大学中机生产力促进中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,775篇专利
  • 35篇期刊文章
  • 11篇标准
  • 6篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 277篇电子电信
  • 75篇自动化与计算...
  • 30篇文化科学
  • 27篇电气工程
  • 19篇经济管理
  • 18篇金属学及工艺
  • 7篇化学工程
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇机械工程
  • 4篇理学
  • 3篇建筑科学
  • 3篇轻工技术与工...
  • 3篇医药卫生
  • 2篇矿业工程
  • 2篇交通运输工程

主题

  • 485篇半导体
  • 276篇半导体器件
  • 260篇光刻
  • 202篇晶圆
  • 182篇刻蚀
  • 137篇多晶
  • 131篇导电类型
  • 126篇氧化层
  • 122篇电阻
  • 109篇漂移区
  • 106篇晶体管
  • 104篇衬底
  • 99篇掩膜
  • 95篇电路
  • 93篇介质层
  • 90篇晶片
  • 86篇多晶硅
  • 78篇栅极
  • 70篇导通
  • 69篇接触孔

机构

  • 1,828篇无锡华润上华...
  • 429篇无锡华润上华...
  • 74篇东南大学
  • 9篇中机生产力促...
  • 7篇北京大学
  • 6篇电子科技大学
  • 6篇苏州大学
  • 5篇北京晨晶电子...
  • 5篇深圳市美思先...
  • 4篇明石创新(烟...
  • 3篇天津大学
  • 3篇中国科学院
  • 3篇信息产业部电...
  • 3篇深圳市速腾聚...
  • 3篇南京高华科技...
  • 3篇美的集团股份...
  • 3篇中国科学院空...
  • 3篇华东电子工程...
  • 3篇无锡芯感智半...
  • 3篇合肥美的电冰...

作者

  • 23篇孙伟锋
  • 12篇徐申
  • 8篇张龙
  • 8篇钱钦松
  • 8篇刘斯扬
  • 2篇李铁
  • 2篇祝靖
  • 2篇钟锐
  • 2篇王跃林
  • 2篇章文通
  • 1篇黄创君
  • 1篇乔明
  • 1篇张卫
  • 1篇张威
  • 1篇张波
  • 1篇李海斌
  • 1篇顾枫
  • 1篇秦宏
  • 1篇张卫平
  • 1篇王浩

传媒

  • 15篇中国集成电路
  • 3篇微处理机
  • 2篇电子科技
  • 2篇电子学报
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇中国设备工程
  • 2篇数字通信世界
  • 1篇价值工程
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇理化检验（化...
  • 1篇工业加热
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国电器工业...

年份

  • 123篇2024
  • 100篇2023
  • 139篇2022
  • 109篇2021
  • 147篇2020
  • 130篇2019
  • 104篇2018
  • 76篇2017
  • 96篇2016
  • 99篇2015
  • 96篇2014
  • 190篇2013
  • 252篇2012
  • 146篇2011
  • 16篇2010
  • 5篇2009
共 1,828 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
钴硅薄膜的制备方法和用于制备钴硅薄膜的半导体结构
本发明涉及一种钴硅薄膜的制备方法和用于制备钴硅薄膜的半导体结构，该钴硅薄膜的制备方法包括在硅衬底上形成富硅氧化物层，在富硅氧化物层上形成钴金属层，在钴金属层上形成第一反应层，然后进行硅化处理，由于第一反应层的第一物质从富...
缪海生徐少辉冯冰
层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法
本发明涉及一种层间介质层和层间介质层内接触孔的刻蚀方法，利用双刻蚀阻挡层结构，可以减少各区域厚度不同的ILD层的刻蚀进度差异，使不同厚度区域的刻蚀进度差异大幅缩小。提高刻蚀的均匀性，防止氧化膜层过薄区域的阻挡层被过早刻穿...
李健
文献传递
一种LPCVD沉积多晶硅的方法
本发明揭示了一种LPCVD沉积多晶硅的方法，通过在沉积之前分阶段升温，以及在沉积之后分阶段降温，从而使管壁上的沉积颗粒物在温度变化过程中能够脱落，然后利用同步的氮气吹洗，保证这些颗粒物不会对晶圆表面造成污染，不仅增加了多...
权昊
文献传递
曝光方法
本发明提供了一种曝光方法，其包括以下步骤：对光刻版进行曝光，将其上的测试图形曝光后投影到圆片上；调整曝光镜头相对所述光刻版上的x方向移动第一步进距离或相对所述光刻版y方向移动第二步进距离；曝光，并投影缩放到圆片上；其中，...
黄玮
文献传递
MOS器件及其制造方法
一种MOS器件，包括衬底、在所述衬底内形成的阱区以及位于阱区内且相对设置的源端和漏端，在所述源端和所述漏端之间形成掺杂浓度均匀的表面沟道区域。采用本发明的结构，沟道区采用外延淀积的方式，其掺杂浓度均匀，浓度和厚度容易控制...
王乐
文献传递
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；所述顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，所述源引出区和所述漏引出区分别位于所述漂移区沿第一...
刘腾何乃龙张森宋华朱佳佳王婷石永昱朱峰章文通张波
静电保护结构及其制备方法
本申请涉及一种静电保护结构及其制备方法，包括衬底、埋层、第一深阱、第二深阱及第三深阱，第一深阱中设有相反导电类型的阱区和相同导电类型的重掺杂区，第二深阱及第三深阱中分别设有相同导电类型的阱区和重掺杂区，且第一深阱、第一阱...
孙俊
反激变换器及其输出电压获取方法、装置
本发明涉及一种反激变换器及其输出电压获取方法、装置，其中输出电压获取方法包括以下步骤：获取反激变换器的参考输出电压；在反激变换器的连续M个开关周期的每个开关周期的复位时间内，采样反激变换器的当前输出电压，其中，M为正整数...
孙伟锋张华鑫张琥余梦霖赵思宇徐申时龙兴
文献传递
一种光刻检查图形结构
本发明涉及一种光刻检查图形结构，所述结构至少包括对位游标图形，所述对位游标图形包括：第一层次对位图形，作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形选用若干相互间隔的宽度不大于2μm的条形图案；第二层次对位图形，...
顾嘉威杨顺舟兰云马如军
文献传递
一种多晶硅蚀刻方法
本发明提供一种多晶硅蚀刻方法，其包括：提供在基底上依次形成有多晶硅层和光刻胶图形的晶圆；将所述晶圆放入蚀刻腔体，以光刻胶图形为掩膜干法蚀刻多晶硅层，在干法蚀刻多晶硅层的过程中会在所述光刻胶图形的侧壁上形成聚合物；向所述刻...
周耀辉
文献传递
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