南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心
- 作品数：76 被引量：223H指数：10
- 相关作者：刘卫华姜乐苏宏波熊贻婧汪延明更多>>
- 相关机构：华南理工大学轻工与食品学院制浆造纸工程国家重点实验室华南理工大学轻工与食品学院北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- Si衬底InGaN大功率LED芯片制备
- 通过衬底图形化技术,在Si(111)衬底上生长了厚度大于4μm无裂纹的GaN薄膜。采用特殊的Al_xGa_((1-x))N/Al_yGa_((1-y))N多层缓冲技术,GaN/Si薄膜的位错密度可以低于5×10~8/cm...
- 王立莫春兰熊传兵汤英文刘军林方文卿王小兰刘卫华周印华江风益
- 关键词：氮化镓铟镓氮半导体照明
- 文献传递
- Si基GaN大功率LED的可靠性研究
- 本文报道了最新Si上GaN大功率芯片(400um×600um)的封装老化结果。芯片制备采用的上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺，封装采用普通大功率封装支架封装，封装好后的蓝光LED管芯在20mA下光功率达到了18mW。最后...
- 游达程海英刘彦松全知觉王立江风益
- 关键词：大功率LED硅基可靠性研究
- 文献传递
- Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究
- 报道了本研究组制备的Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片的光电性能与电流、老化时间的关系。采用压焊和化学腐蚀转移技术,制备出1 mm×1 mm的芯片,该芯片封装的LED经过900 mA、常温下老化1 044 h后...
- 封飞飞刘军林江风益
- 关键词：硅衬底光衰外量子效率
- 文献传递
- 缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响被引量：1
- 2007年
- 采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜。分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光。
- 李璠李冬梅戴江南王立蒲勇方文卿江风益
- 关键词：ZNO缓冲层MOCVD
- δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究被引量：5
- 2006年
- 用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值。通过使用晶格旋转(Lattice-rotation)模型拟合,计算出样品的螺位错密度和刃位错密度。结果表明,δ掺杂Si处理后生长出的样品螺位错密度增大、刃位错密度减小,总位错密度有所减小。通过对未经δ掺杂处理和δ掺杂处理的GaN外延膜相应ω-2θ扫描半峰全宽值的比较,发现δ掺杂Si处理后生长出的样品非均匀应变较大;相应样品的LED电致发光光谱I、-V特性曲线显示δ掺杂后样品性能变好。
- 程海英方文卿莫春兰刘和初王立江风益
- 关键词：薄膜光学GANSI衬底Δ掺杂
- Si衬底功率型绿光LED光电性能及其可靠性研究
- 介绍了Si衬底GaN基功率型绿光LED器件最新研究进展。芯片尺寸为500μm×500μm的功率型绿光LED，采用硅胶封装后，在正向60mA电流下，工作电压为3.37V，主波长520nm，光功率23mW。对该批次样管的裸芯...
- 程海英毛清华汤英文江风益
- 关键词：氮化镓功率型可靠性
- 文献传递
- 转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响被引量：17
- 2008年
- 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。
- 邝海刘军林程海英江风益
- 关键词：光学材料SI衬底硅基板
- Si衬底功率型绿光LED光电性能及其可靠性研究
- 介绍了Si衬底GaN基功率型绿光LED器件最新研究进展。芯片尺寸为500μm×500μm的功率型绿光LED,采用硅胶封装后,在正向60 mA电流下,工作电压为3.37 V,主波长520 nm,光功率23 mW。对该批次样...
- 程海英毛清华汤英文江风益
- 关键词：氮化镓功率型可靠性
- 文献传递
- 裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响被引量：3
- 2010年
- 本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放。随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大。PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移。
- 肖宗湖张萌熊传兵江风益王光绪熊贻婧汪延明
- 关键词：SI衬底INGAN/GANLED应力
- N_2O为氧源金属有机化学气相沉积生长ZnO薄膜的光学性能研究被引量：6
- 2006年
- 采用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)技术、三步生长法,分别以H2O和N2O为氧源,DEZn为Zn源,N2作载气,在c-Al2O3衬底上生长出了晶体质量较好的ZnO薄膜。用X射线双晶衍射(DCXRD)和光致发光谱对ZnO薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果显示,ZnO倾斜对称面(10-12)的ω扫描半峰全宽为350″,表明ZnO薄膜结晶性能良好;低温10 K光致发光谱结果表明,N2O为氧源生长的ZnO膜和H2O为氧源生长的ZnO膜的发光特性明显不同,没有观察到与氢有关的中性施主束缚激子对应的3.331 eV双电子卫星峰(TES)。这一结果表明,用N2O为氧源生长的ZnO薄膜中不易引进氢杂质。
- 苏宏波戴江南王立蒲勇方文卿江风益
- 关键词：薄膜光学光致发光ZNON2O
