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迪源光电股份有限公司

作品数：7 被引量：0H指数：0
相关机构：惠州雷士光电科技有限公司北京大学深圳市九洲光电科技有限公司更多>>
相关领域：经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇标准

领域

  • 1篇经济管理

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇倒角
  • 1篇电子阻挡层
  • 1篇性能要求
  • 1篇粘附
  • 1篇粘附力
  • 1篇生长温度
  • 1篇去除方法
  • 1篇全反射
  • 1篇阻挡层
  • 1篇阈值
  • 1篇外量子效率
  • 1篇外延片
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片封装
  • 1篇量子效率
  • 1篇晶格
  • 1篇晶圆
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺

机构

  • 5篇迪源光电股份...
  • 1篇北京大学
  • 1篇南京工业大学
  • 1篇惠州雷士光电...
  • 1篇山西光宇半导...
  • 1篇大连金三维科...
  • 1篇江苏稳润光电...
  • 1篇杭州华普永明...
  • 1篇无锡华兆泓光...
  • 1篇西安重装渭南...
  • 1篇深圳市聚作照...
  • 1篇深圳市九洲光...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种改进的晶圆减薄加工方法
本发明适用于LED芯片生产领域，提供了一种改进的晶圆减薄加工方法，包括：获得经过外延生长氮化镓层的晶圆；获取晶圆的边缘的倒角度和晶圆面上各点的晶圆厚度；通过计算边缘上的多个晶圆厚度与中心晶圆厚度之间距离，确定所述距离超过...
陈冲陈晓刚杨广英靳彩霞
文献传递
一种具有导光孔结构的发光二极管
本发明公开了一种具有导光孔结构的发光二极管，所述发光二极管的发光芯片的上表面形成有导光层，所述导光层包括与发光芯片接触的下层薄膜、以及处于上方的上层薄膜，所述上层薄膜中贯穿形成有多个导光孔，每个导光孔中均填充有折射率大于...
翟阳项艺艾常涛
文献传递
一种粗化材料表面粗化图形的去除方法
本发明公开一种粗化材料表面粗化图形的去除方法，具体为在粗化图形的表面形成掩膜；在掩膜的表面形成光刻胶，并利用曝光掉需要去除的粗化图形上方的光刻胶；利用刻蚀工艺，将需要去除的粗化图形及其表面的掩膜刻蚀去除，并去除多余的掩膜...
翟阳项艺艾常涛
文献传递
一种高外量子效率GaN基LED外延片及其制作方法
本发明适用于外延片制造领域，提供一种高外量子效率GaN基LED外延片及其制作方法，所述方法包括：在蓝宝石衬底上依次生长出GaN成核层、非故意掺杂U-GaN层、N型掺杂GaN层、有源区MQW层、量子阱保护层、电子阻挡层、P...
罗绍军艾常涛李鸿建李四明靳彩霞董志江
文献传递
爆炸性气体环境用LED防爆灯 性能要求
本标准规定了LED防爆灯的术语和定义、分类与命名、技术要求、试验方法、标志、使用说明、包装、储存、运输和检验规则。 本标准适用于存在爆炸性气体环境用电气设备为Ⅱ类的LED防爆灯照明产品。
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