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兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所: 作品数：67 被引量：102H指数：5; 相关作者：李思渊马朝柱汪润生蒲年年李尧更多>>; 相关机构：兰州交通大学电子与信息工程学院中国科学院半导体研究所兰州交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系更多>>; 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

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给-受体材料系统中光致发光的峰值波长随浓度变化的理论(英文)被引量：1: 2012年; 高效的给-受体(DA)能量传输材料体系被公认为有机激光器中的重要组成部分。基于Frster传输和受激发射的理论,我们提出了一种在DA系统下发射光谱的数值模型。该模型较好地描述了在DA材料系统中发射光谱随着受主浓度变化的最主要特征,即光致发光谱峰值波长随着受体浓度的增加而非线性增大,并在浓度较高时趋于受体的单体发射波长。; 彭应全范国莹周茂清吕文理王颖; 关键词：发射光谱

超高频RFID芯片中高灵敏度ASK解调器的设计被引量：1: 2014年; 为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路。基于0.18μm标准CMOS工艺实现了该解调器,其芯片面积为0.010 mm2,满足第2代第1类UHF RFID通讯协议(EPC C1G2)的要求。测试结果表明,当载波频率为900 MHz、调制深度为80%~100%、数据率为26.7~128 kbit/s时,解调器能够解调信号的能量强度范围为-16^+20 dBm。在工作电压为0.8 V时,其功耗仅为0.56μW。; 张胜广冯鹏杨建红谷永胜吴南健赵柏秦; 关键词：解调器高灵敏度

高精度低噪声基准电压源的设计被引量：4: 2011年; 利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源。该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度。Hspice仿真结果表明,在0.95V电源电压下,输出基准电压为233.9mV,温度系数为7.6×10-6/°C,30Hz频率下输出频带噪声谱线密度是15nV/Hz。在0.9～2.0V的电源电压范围内,室温下基准电压的变化为1.7mV。流片后的测试结果验证了所设计的基准电压源能工作于较低电源电压,输出基准电压的温度系数小,噪声与功耗低。; 刘春娟王永顺刘肃; 关键词：基准电压源低电压自偏置低噪声

从多子角度阐述p-n结理论: 本文是通过数值模拟的方法来研究p-n结二极管。模拟中几乎包含了所有在实际中影响二极管电流与电压特性的因素，如扩散区中过剩多子的影响以及耗尽区中产生与复合作用的影响。过去大多数对p-n结电流与电压特性的研究都是基于肖克莱方...; 杨建红赵飞虎吴承龙盛晓燕

Si基JBS整流二极管的设计与制备被引量：5: 2012年; 基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。; 王朝林王一帆岳红菊刘肃; 关键词：I-V特性场限环

基于肖特基接触IV分析法的有机半导体迁移率确定方法: 2010年; 载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要。在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一种测量有机半导体中载流子迁移率的新方法:用真空蒸镀法制作结构为"金属-有机半导体-金属"的肖特基接触有机半导体器件,通过选取适当的理论模型进行数值计算,然后用理论计算的结果对实验测得的该器件IV特性进行数值拟合,从而得到该有机半导体材料中载流子的迁移率,以及该材料的其他输运参数,如陷阱密度、陷阱特征深度等。本文利用这种方法测量了酞菁铜(CuPc)的空穴迁移率,并得到了CuPc的陷阱密度、陷阱特征深度等参数。; 谢宏伟李训栓王颖马朝柱汪润生李荣华宋长安彭应全; 关键词：有机半导体迁移率酞菁铜

采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究: 2009年; 本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性。对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大。XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等。; 赵明李训栓宋长安马朝柱袁建挺汪润生李远飞张光辉郭晗叶早晨彭应全; 关键词：真空镀膜叠层结构

Mechanism of Reverse Snapback on I-V Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure被引量：1: 2008年; The reverse snapback phenomena （RSP） on I-V characteristics of static induction thyristors （SITH） are physically researched. The I-V curves of the power SITH exhibit reverse snapback phenomena, and even turn to the conducting-state,when the anode voltage in the forward blocking-state is increased to a critical value. The RSP I-V characteristics of the power SITH are analyzed in terms of operating mechanism, double carrier injection effect, space charge effect, electron-hole plasma in the channel, and the variation in carrier lifetime. The reverse snapback mechanism is theoretically pro- posed and the mathematical expressions to calculate the voltage and current values at the snapback point are presented. The computing results are compared with the experiment values.; 王永顺李海蓉吴蓉李思渊; 关键词：LIFETIME

有机场效应晶体管最新实验研究进展被引量：2: 2012年; 介绍了近两年新报道的有机半导体材料,列举了其场效应性能参数;综述了有机场效应晶体管(OFET)在器件结构上的改进,重点阐述了基于常见有机功能层材料富勒烯及其衍生物、并五苯、聚3-己基噻吩的OFET对栅介质层及有机功能层与电极的界面的改进,讨论了器件结构改进对OFET阈值电压、开关比、载流子迁移率的影响;介绍了衬底温度、退火处理对OF-ET性能的影响。最后,针对有机场效应晶体管研究现状,指出未来研究中应注重开发高迁移率、高薄膜稳定性的有机功能材料和高介电常数、高成膜质量的有机栅介质材料,继续优化器件结构,改进制备工艺以提高器件性能。; 谢吉鹏马朝柱杨汀姚博彭应全; 关键词：有机半导体材料衬底温度退火处理

一种两级误差放大器结构的LDO设计被引量：2: 2012年; 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种两级误差放大器结构的LDO稳压器。该电路运用两级误差放大器串联方式来改善LDO的瞬态响应性能,采用米勒频率补偿方式提高其稳定性。两级放大器中主放大器运用标准的折叠式共源共栅放大器,决定了电路的主要性能参数;第二级使用带有AB类输出的快速放大器,用来监控LDO输出电压的变化,以快速地响应此变化。电路仿真结果显示:在电源电压为5 V时,输出为1.8 V,输出电压的温度系数为10×10-6/℃;当电源电压从4.5 V到5.5 V变化时,线性瞬态跳变为48 mV;当负载电流从0 mA到60 mA变化时,负载瞬态跳变为5 mV。且环路的相位裕度为74°,整个电路的静态电流为37μA。该电路结构的瞬态跳变电压值远小于其他电路结构,且能实现低功耗供电。; 高俊丽马玉杰耿晓勇后永奇杨建红; 关键词：低压差线性稳压器低功耗

兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所

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