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半导体元件工业有限责任公司

作品数：2,351 被引量：0H指数：0
相关机构：双叶电子工业株式会社泰科电子有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 2,351篇中文专利

领域

  • 239篇电子电信
  • 144篇自动化与计算...
  • 50篇电气工程
  • 12篇理学
  • 9篇一般工业技术
  • 6篇经济管理
  • 6篇化学工程
  • 6篇金属学及工艺
  • 3篇机械工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 658篇半导体
  • 543篇电路
  • 311篇传感
  • 310篇感器
  • 310篇传感器
  • 303篇晶体管
  • 297篇图像
  • 278篇半导体器件
  • 277篇电压
  • 217篇信号
  • 207篇电流
  • 205篇图像传感器
  • 201篇管芯
  • 180篇电源
  • 165篇封装
  • 144篇二极管
  • 133篇衬底
  • 120篇像素
  • 118篇电容
  • 106篇电子器件

机构

  • 2,351篇半导体元件工...
  • 4篇双叶电子工业...
  • 1篇泰科电子有限...

年份

  • 143篇2024
  • 129篇2023
  • 106篇2022
  • 207篇2021
  • 236篇2020
  • 186篇2019
  • 179篇2018
  • 183篇2017
  • 102篇2016
  • 121篇2015
  • 137篇2014
  • 82篇2013
  • 80篇2012
  • 75篇2011
  • 90篇2010
  • 77篇2009
  • 64篇2008
  • 58篇2007
  • 43篇2006
  • 29篇2005
共 2,351 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于功率MOSFET的屏蔽接触件布局
一种方法包括限定在半导体衬底中以纵向方向延伸的第一类型的多个沟槽(101、101‑1、101‑2、102‑3、10‑4、101‑c、101‑L、101‑M、101‑U)，以及限定以侧向方向延伸并与该第一类型的该多个沟槽(...
P·文凯特拉曼P·A·布尔克G·H·勒歇尔特B·帕德马纳班E·M·莱恩汉
形成电磁保护半导体管芯的方法及半导体管芯
本公开涉及形成电磁保护半导体管芯的方法及半导体管芯。在一个实施例中，将半导体管芯形成为具有斜坡侧壁。在该斜坡侧壁上形成导体。
M·J·塞登F·J·卡尔尼G·M·格里瓦纳
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控制电路和致动器控制电路
本实用新型涉及一种控制电路和致动器控制电路。根据实施例，致动器控制电路包括连接到振响特征确定电路的驱动器电路。被配置以产生输出信号的信号发生器连接到振响特征确定电路，所述输出信号具有第一周期，所述第一周期具有第一部分和第...
田渊义久神谷知德
文献传递
具有共享驱动器、均衡和数据路径电路的MIPI C-PHY和D-PHY接口
本公开涉及具有共享驱动器、均衡和数据路径电路的MIPI C‑PHY和D‑PHY接口。一种成像电路可包括配置为支持移动行业处理器接口(MIPI)D‑PHY模式和C‑PHY模式的半驱动器子电路。两个半驱动器子电路的组可在D‑...
J·马拉卡A·瑞查都瑞
沟槽MOSFET接触件
本发明题为“沟槽MOSFET接触件”。本发明公开了一种器件，该器件具有由第一类型的器件单元的阵列构成的有源区域以及由第二类型的器件单元的阵列构成的栅极接触区域或屏蔽接触区域，该第二类型的器件单元的阵列以比第一类型的器件单...
P·文卡特拉曼D·E·普罗布斯特
动态分发网络中的啁啾序列合成
本公开涉及动态分发网络中的啁啾序列合成。本发明公开了一个或多个集成电路的阵列，该一个或多个集成电路的阵列包括：至少一个本地输入端口，用于从本地发生器接收啁啾信号；一个或多个初级输入端口，用于各自从远程源接收相应的啁啾信号...
T·海勒D·埃拉德O·卡茨M·格鲁布曼B·沙因曼D·科尔克斯
文献传递
半导体衬底切割系统及相关方法
本发明题为“半导体衬底切割系统和相关方法”。本发明提供了一种减薄半导体衬底，该减薄半导体衬底的方法的实施方式可以包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底具有在所述第一...
M·J·塞登T·内耶尔F·阿勒斯坦姆
具有改良读出的高动态范围成像系统操作方法
本公开涉及具有改良读出的高动态范围成像像素。本发明提供了一种成像系统，所述成像系统可包括具有双增益像素阵列的图像传感器。每个像素可使用改良三读出法和改良四读出法进行操作，使得所有信号以高增益配置读出，以便防止信号电平出现...
B·克雷默斯T·格蒂斯
斩波器稳定放大器以及滤波器
本实用新型提供了斩波器稳定放大器以及滤波器。斩波器稳定放大器包括第一运算跨导放大器；第一斩波器电路，其耦合至所述第一运算跨导放大器的输入；第二斩波器电路，其耦合至所述第一运算跨导放大器的输出；具有两个截止频率的对称无源R...
C·D·斯坦恩斯库
文献传递
电子设备及其使用方法和形成方法
本发明公开了一种电子设备及其使用方法和形成方法。电子设备可包括HEMT，该HEMT包括沟道层、势垒层和栅极电极。势垒层可以设置在沟道层和栅极电极之间，并且包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分可通过第一部分与沟道层间...
皮特·莫昂阿布舍克·班纳吉S·姆候比阿诺·斯托克曼
文献传递
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