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爱思开新材料有限公司

作品数：21 被引量：0H指数：0
相关机构：SK新技术株式会社韩国化学研究院三星电子株式会社更多>>
相关领域：化学工程医药卫生文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇蚀刻
  • 7篇组合物
  • 6篇烃基
  • 6篇半导体
  • 5篇氧化物
  • 5篇氟化
  • 4篇氧化二氮
  • 4篇一氧化二氮
  • 4篇三氟
  • 4篇三氟化氮
  • 4篇硅烷
  • 4篇反应催化剂
  • 4篇氟化钠
  • 4篇催化
  • 4篇催化剂
  • 3篇绝缘膜
  • 3篇氟化氢
  • 3篇半导体器件
  • 3篇半导体装置
  • 2篇全氟

机构

  • 21篇爱思开新材料...
  • 8篇SK新技术株...
  • 6篇韩国化学研究...
  • 2篇三星电子株式...

年份

  • 3篇2025
  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2016
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三氟胺氧化物的制备方法
本发明涉及三氟胺氧化物的制备方法，其包含以下步骤：在反应催化剂存在下使三氟化氮与一氧化二氮反应来生产中间产物；及使中间产物与氟化钠在高达100mmHg的真空条件下反应来生产三氟胺氧化物。
姜弘锡朴仁濬李寿福苏源郁陆信洪孙银晧金凡植郭正勋权柄香
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耐刮擦性得到提升的高纯度氟化氢储藏容器用金属材料及其制造方法
本发明涉及一种用于对高纯度氟化氢进行储藏的容器用金属材料及其制造方法，尤其涉及一种通过在金属基材表面包含石墨层以及在石墨层内的结构性缺陷空间中形成的氟化镍膜而提升耐腐蚀性以及耐刮擦性，从而可以无污染且高纯度地对腐蚀性气体...
宋泳河金荣汎
蚀刻组合物、使用蚀刻组合物蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法
本发明涉及蚀刻组合物、使用蚀刻组合物蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包含：磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物以及由下式1表示的有机磷酸酯：[式1]<Image file=...
金喆禹李光国郭宰熏金荣汎辛姃河李宗昊赵珍耿
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用于三氟胺氧化物的有效制备的方法与设备
本发明涉及三氟胺氧化物的制备方法，其包括以下步骤：在反应催化剂存在下使三氟化氮与一氧化二氮反应来生产中间产物，其中将反应过程中产生的含氮气(N<Sub>2</Sub>)的未反应气体除去，并且替代地额外注入三氟化氮与一氧化...
姜弘锡朴仁濬李寿福苏源郁陆信洪孙银晧金凡植郭正勋权柄香
文献传递
气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法
提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰...
韩铅沃郑元雄朴金锡朴判贵柳廷昊赵润贞孔炳九金美柾李真旭张彰恩
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高纯度全氟三丙胺(Perfluoro TriPropylAmine，PFTPA)的制造装置和方法
公开一种利用电化学氟化法(ElectroChemical Flurorization，ECF)制造全氟三丙胺(Perfluoro TriPropylAmine，PFTPA)的装置和方法。根据一实施例的制造方法包括：制造步...
姜弘锡苏源郁朴仁浚张奉畯孙银晧金柱贤白知勋吴明锡李明淑李相九陆信洪柳在逸郭正勋张元准丁鹏郡金载昇李寿福河钟郁李光远
金属氧化物膜的原子层蚀刻方法
公开一种金属氧化物膜的原子层蚀刻方法，其中，所述金属氧化物膜形成在基板上的预定下部膜上。根据一实施例的原子层蚀刻方法包括氟化步骤，其中，通过供应含氟气体与所述金属氧化物膜的表面反应以形成氟化表面层；以及化学蚀刻步骤，其中...
郑星雄郭正勋权柄香曹榕浚
利用电化学氟化法制造全氟三丙胺(Perfluoro TriPropylAmine，PFTPA)的装置和方法
公开一种利用电化学氟化法制造全氟三丙胺(Perfluoro TriPropylAmine，PFTPA)的装置和方法。根据一实施例的制造方法为通过将三丙胺(TriPropylAmine，TPA)与氟化氢的混合溶液通过通道处...
姜弘锡朴仁浚苏源郁张奉畯孙银晧金柱贤白知勋吴明锡李明淑李相九陆信洪柳在逸郭正勋张元准丁鹏郡金载昇李寿福
含硅膜的蚀刻方法和包括其的半导体装置的制造方法
根据本发明的含硅膜的蚀刻方法包括将包括第一含硅膜和第二含硅膜的基板引入到蚀刻装置的工艺腔室中的步骤、供应包括F<Sub>3</Sub>NO的至少一种蚀刻气体至所述工艺腔室的步骤、通过将预定的功率施加到保持在预定的压力下的...
郭正勋权柄香曹榕浚权奇清金佑宰
锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法
本发明涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。本发明尤其涉及一种如下的锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法：其在制备单锗烷气体时，利用包含微结构通道的制造装置而在短时间内混合反应物质，并除去所产生的...
李太熙李源镐权炳宽
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