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JX日鉱日石金属株式会社
作品数:
8
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相关机构:
东邦钛株式会社
捷恩智株式会社
智索株式会社
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相关领域:
化学工程
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东邦钛株式会社
捷恩智株式会社
智索株式会社
工程株式会社
JNC株式会社
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化学工程
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四氯化硅
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氯化
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氯化硅
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熔体
机构
8篇
JX日鉱日石...
6篇
东邦钛株式会...
3篇
捷恩智株式会...
2篇
智索株式会社
1篇
JNC株式会...
1篇
工程株式会社
年份
1篇
2016
4篇
2013
1篇
2012
2篇
2011
共
8
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多晶硅制造装置以及多晶硅制造方法
[课题]一种多晶硅的制造装置以及制造方法,将锌还原法中的反应器的休止时间抑制为最小限度,藉此可使多晶硅的生产效率提高,从而可比较廉价且大量地制造多晶硅,上述锌还原法是以固体状态来将产生的硅回收。[解决手段]通过锌来对四氯...
大久保秀一
山口雅嗣
文献传递
高纯度结晶硅、高纯度四氯化硅及其制造方法
本发明之课题为提供一种不仅能满足作为太阳电池用硅原料的品质要求、亦能满足作为最新半导体用硅的品质要求的一部分、价格更低的高纯度结晶硅及其制造方法、及高纯度结晶硅制造中使用的高纯度四氯化硅及其制造方法。本发明的高纯度结晶硅...
林田智
加藤渉
文献传递
四氯化硅的精制方法
揭示一种可解决借由蒸馏或吸附来分离去除有机氯硅烷时所存在的问题的四氯化硅的精制方法。一种四氯化硅的精制方法的特征包含:(1)使包含四氯化硅气体及含氧气体的混合气体,与将温度调整为200~450℃的含有选自由活性碳及担载金...
林田智
濑本治道
マイクロ波加熱によるリン酸カルシウム(Ca3(PO4)2)の炭素熱還元
谷口尚司
砂子真魅
吉川昇
川平啓太
溅射靶
本发明涉及溅射靶,其目的之一在于提供一种可防止溅射靶材的开裂且稳定地保持在基体材料上的溅射靶。本发明提供的溅射靶具有:由金属形成的基体材料、设置于基体材料的一面的溅射靶材、设置于基体材料与上述溅射靶材之间的接合材料,接合...
馆野谕
文献传递
融液保持容器
提供一种融液保持容器,在保持金属融液及/或金属盐融液的融液保持容器中,融液的放热量少,融液的渗透以及裂缝或开裂的发生被抑制在最小限度,此保持容器不仅适合保持融液,还能够防止融液被杂质污染。此融液保持容器保持金属融液及/或...
大久保秀一
文献传递
四氯化硅的精制方法
本发明揭示一种可解决借由蒸馏或吸附来分离去除有机氯硅烷时所存在的问题的四氯化硅的精制方法。一种四氯化硅的精制方法的特征包含:(1)使包含四氯化硅气体及含氧气体的混合气体,与将温度调整为200~450℃的含有选自由活性碳及...
林田智
濑本治道
文献传递
锌气体的供给方法以及供给装置
本发明提供一种以经控制的供给速度供给过度加热至锌的沸点以上的锌气体的方法及装置。本发明的锌气体的供给方法包括:在锌气体蒸发装置中导入熔体锌的步骤;输入与锌气体的供给速度相对应的电力,藉由高频感应加热使锌自己发热而由熔体锌...
大久保秀一
渊上俊光
岩田好喜
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