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湖北鼎汇微电子材料有限公司

作品数：86 被引量：0H指数：0
相关机构：湖北鼎龙控股股份有限公司武汉鼎泽新材料技术有限公司长江存储科技有限责任公司更多>>
相关领域：化学工程电子电信金属学及工艺文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 86篇中文专利

领域

  • 14篇化学工程
  • 6篇金属学及工艺
  • 6篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 72篇抛光
  • 63篇抛光垫
  • 32篇光层
  • 22篇研磨
  • 14篇沟槽
  • 14篇半导体
  • 14篇半导体器件
  • 13篇综合性能
  • 9篇研磨设备
  • 9篇平坦化
  • 9篇化学机械抛光
  • 9篇机械抛光
  • 7篇多官能
  • 7篇抛光表面
  • 7篇官能
  • 6篇异氰酸
  • 6篇异氰酸酯
  • 6篇酸酯
  • 6篇抛光液
  • 6篇氰酸

机构

  • 86篇湖北鼎汇微电...
  • 74篇湖北鼎龙控股...
  • 9篇武汉鼎泽新材...
  • 6篇长江存储科技...
  • 1篇长鑫存储技术...

年份

  • 18篇2024
  • 9篇2023
  • 16篇2022
  • 19篇2021
  • 7篇2020
  • 10篇2019
  • 7篇2018
共 86 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种抛光垫
本发明公开了一种抛光垫，解决了现有抛光垫中存在“微笑曲线”和“水波纹”带来的抛光垫的不均一的问题。本发明抛光垫含有聚氨酯抛光层,所述聚氨酯抛光层由异氰酸酯封端的预聚体、发泡剂和固化剂为主要原料反应制得，其所述异氰酸酯封端...
罗乙杰刘敏朱顺全
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一种抛光垫
本实用新型公开一种抛光垫，包括研磨层，所述研磨层包括至少两个同心圆沟槽，定义最内侧的同心圆沟槽为第一同心圆，最外侧的同心圆沟槽为第二同心圆；第一同心圆和第二同心圆界定多个研磨区域，由圆心到研磨层边缘三个研磨区的宽度依次为...
刘敏黄学良邱瑞英王腾杨佳佳张季平
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一种抛光层及其制备方法以及低损伤化学机械抛光垫
本发明涉及一种抛光层及其制备方法以及低损伤化学机械抛光垫，解决了现有抛光层硬度高、损伤率高的问题，本发明方法以由异氰酸酯封端的预聚物、固化剂以及功能填料为原料混合固化而成，其中，所述异氰酸酯封端的预聚物由多官能异氰酸酯和...
朱顺全梅黎黎
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抛光垫及研磨设备
抛光垫，包括：垫片本体，具有研磨面；至少两个相互套设的圈形槽，设置在研磨面上；以及至少一条线形沟槽，设置在研磨面上，穿过每个圈形槽且与被穿过的圈形槽相通，其中，线形沟槽的深度是变化的，深度随着距离最内圈的圈形槽的中心处距...
朱顺全吴晓茜张季平车丽媛
一种抛光垫
本发明涉及一种抛光垫，其中，所述抛光垫包含有抛光层，所述抛光层是由包含有5～100μm孔隙分隔连续的聚氨酯基材形成的闭孔弹性体，聚氨酯基材经包含多官能异氰酸酯，多元醇组合物以及多元胺组合物经反应得到，其中多元胺组合物包含...
罗乙杰陈博张季平高越刘敏蔡龙丹
一种颗粒物清除效率的快速评价方法
本发明公开了一种颗粒物清除效率的快速评价方法，对半导体制造中化学机械抛光处理后的晶圆表面颗粒物的清除效率进行评价，包括：切割处理晶片得到晶片样品，进行沾染实验，获得待清洗的晶样；进行形貌分析，获得清洗前三维形貌图像；用清...
胡怀志刘子龙冉运马超魏志远朱顺全
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抛光垫及其制备方法、应用
本发明公开一种抛光垫及其制备方法、应用。所述抛光垫具有抛光层，所述抛光层具有中心抛光区、环绕所述中心抛光区依次设置的一个或一个以上的中间抛光区以及环绕所述中间抛光区设置的外缘抛光区，且所述中心抛光区为圆形，所述中间抛光区...
朱顺全车丽媛张季平吴晓茜
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一种抛光垫基材及其制备方法
本发明涉及一种抛光垫基材及其制备方法，该抛光垫基材经由以下原料反应得到：聚酯多元醇、聚醚多元醇、异氰酸酯、扩链剂、无机填料、催化剂、表面活性剂、稀释剂。本发明还提供一种抛光垫基材的制备方法，具体包括下述步骤：(1)第一聚...
陈亚春罗乙杰王磊陈博梁雪柳焱林汤舒嵋
一种降噪式真空发生器
本申请提供一种降噪式真空发生器，涉及真空器械领域。降噪式真空发生器包括密封盒，密封盒的内部设置有发生器本体和第一消声器；发生器本体的内部设置有负压腔、进气室、以及排气室，进气室和排气室之间通过气道连通，进气室的截面积和排...
黄振坤
一种抛光垫
本发明公开一种抛光垫，包括研磨层，所述研磨层包括至少两个同心圆沟槽，定义最内侧的同心圆沟槽为第一同心圆，最外侧的同心圆沟槽为第二同心圆；第一同心圆和第二同心圆界定多个研磨区域，由圆心到研磨层边缘三个研磨区的宽度依次为W1...
刘敏黄学良邱瑞英王腾杨佳佳张季平
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