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嘉兴斯达半导体股份有限公司

作品数：135 被引量：12H指数：2
相关机构：浙江大学浙江大学杭州国际科创中心中国家用电器研究院更多>>
发文基金：上海市科委科研计划项目更多>>
相关领域：电气工程自动化与计算机技术经济管理一般工业技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 128篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇标准

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 56篇功率模块
  • 28篇半导体
  • 26篇基板
  • 25篇散热
  • 25篇芯片
  • 21篇封装
  • 18篇功率
  • 16篇散热基板
  • 15篇陶瓷
  • 14篇封装结构
  • 13篇键合
  • 11篇信号
  • 11篇陶瓷基
  • 11篇陶瓷基板
  • 11篇凝胶
  • 11篇硅凝胶
  • 9篇电路
  • 9篇引线
  • 9篇铝线
  • 8篇氧化层

机构

  • 135篇嘉兴斯达半导...
  • 5篇浙江大学
  • 4篇浙江大学杭州...
  • 2篇信息产业部电...
  • 2篇中国家用电器...
  • 2篇中家院(北京...
  • 2篇青岛海尔智能...
  • 2篇无锡华润微电...
  • 2篇珠海格力电器...
  • 2篇无锡芯朋微电...
  • 2篇浙江盾安禾田...
  • 2篇安徽中认倍佳...
  • 2篇安徽众家云物...
  • 2篇青岛海尔智能...
  • 1篇清华大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇浙江科技学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国核动力研...
  • 1篇浙江工业大学

作者

  • 2篇徐鸿
  • 2篇任娜
  • 1篇盛况
  • 1篇康敏
  • 1篇汪向荣
  • 1篇蒋帆

传媒

  • 1篇工业仪表与自...
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇中国电机工程...
  • 1篇企业改革与管...

年份

  • 1篇2024
  • 24篇2023
  • 15篇2022
  • 33篇2021
  • 9篇2020
  • 6篇2019
  • 6篇2018
  • 8篇2017
  • 5篇2016
  • 12篇2015
  • 13篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 135 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种水冷散热器基板
本实用新型提供一种水冷散热器基板，包括：一基板主体，基板主体内部中空形成一腔体，基板主体的上表面设有一散热面，沿基板主体的宽度方向的一侧分别设有一进液口和一出液口；多个散热翅片，每个散热翅片沿基板主体的长度方向设置于腔体...
郑松林姚礼军陈烨
一种功率半导体模块的新型封装结构
本发明公开了一种功率半导体模块的新型封装结构，主要包括绝缘散热片、金属引线框架单元和芯片单元，所述绝缘散热片包括绝缘层及分别设置在该绝缘层两侧的内金属导电层和外金属导电层，所述金属引线框架单元主要包括框架引脚输入部、框架...
封丹婷房军军
文献传递
一种功率模块连接质量的检测方法
一种功率模块连接质量的检测方法，所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成，所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层，第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板；所述的检...
胡少华
文献传递
一种沟槽RC-IGBT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种沟槽RC‑IGBT器件结构及其制作方法，主要包括RC‑IGBT器件本体，该RC‑IGBT器件本体集成IGBT与FRD于一体，所述RC‑IGBT器件本体主要包括N型衬底及设置在N型衬底顶部的N型电荷贮存层，...
伽亚帕·维拉玛·苏巴斯永福
文献传递
IGBT器件结构及制备方法
一种IGBT器件结构它包括在硅基板上有N型高电阻率区熔型或外延型硅衬底，在该硅衬底的器件有源区域引入比衬底浓度高的中等浓度N型掺杂区、P型深阱、N型外延硅层、MOS结构的栅区、在所述接近沟槽底部深度处通过对沟槽间的硅外延...
沈华
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CEO认知模式对科技型企业战略决策的影响研究——以英特尔公司为例
2021年
在经济全球化时代,科技型企业的整体发展关乎一个国家的核心竞争力。企业CEO作为企业的最高决策者,他的认知模式影响着企业发展的方向和进程。本文以英特尔公司为例,通过对英特尔公司在发展初期三位CEO认知模式的分析,为我国科技型企业CEO在战略决策中的选择提供有益的参考。
王轶蒋帆
关键词：CEO英特尔
一种功率模块的缺针测试治具
本发明公开了一种功率模块的缺针测试治具，包括机械支撑部及设置在机械支撑部内的测试治具本体，所述测试治具本体主要包括上下设置的探针接触部和探针检测部，所述探针接触部包括第一固定板及垂直设置在第一固定板上的若干接触探针，探针...
沈巧强
文献传递
一种新型压接型功率模块
一种新型压接型功率模块，主要包括圆形晶闸管芯片、绝缘陶瓷片、散热铜基板、功率端子、压块、信号引架、信号引线、塑料外壳、硅凝胶、钼片、密封胶，所述的塑料外壳与散热铜基板通过密封胶粘接在一起，所述的功率端子、钼片、圆形晶闸管...
杨冬伟
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一种压力接触连接的功率端子及使用方法
一种压力接触连接的功率端子及使用方法，所述的功率端子包括：底部与绝缘基板粘连的端子底座，中部封装于模块外壳内部浸入硅凝胶中有若干可拉伸缓冲结构的连杆，以及上部裸露在模块外侧与控制电路板实现压力接触式连接的端子头部；所述的...
鉏晨涛克里斯逊·克罗纳德
文献传递
一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构
本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO<Sub>2</Sub>薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化S...
盛况王珩宇任娜邵泽伟沈华刘志红
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