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有研光电新材料有限责任公司
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109
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北京有色金属研究总院
广东先导稀材股份有限公司
广东先导先进材料股份有限公司
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北京有色金属研究总院
广东先导稀材股份有限公司
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作者
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林泉
2篇
李楠
2篇
袁琴
2篇
黎建明
2篇
马英俊
2篇
李超
1篇
方赵刚
1篇
武壮文
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王文山
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王霈文
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杨海
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蔡迅
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闵振东
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稀有金属
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2020
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2019
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2018
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2017
10篇
2016
8篇
2015
7篇
2014
12篇
2013
5篇
2012
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应用于红外晶体内圆切片加工的组合式工装
一种应用于红外晶体内圆切片加工的组合式工装,它包括基座及移动块;该基座为中空的长方筒体,顶部具有横向的长孔;该移动块中部设有固定螺栓,该固定螺栓位于该长孔内;该基座底部一端设有截面呈梯形的槽口,该槽口侧壁设有横向的固定孔...
魏嵘
闵振东
旷文飞
文献传递
一种大尺寸单晶倒角装夹机构
本实用新型涉及一种大尺寸单晶倒角装夹机构,包括基座、第一装夹机构、第二装夹机构和第三装夹机构,基座包括一体成型的底块、楔形装夹块和安装墙,楔形装夹块和安装墙间隔设置于底块的表面,底块的表面的楔形装夹块和安装墙之间设有一坡...
曲骏
闵振东
霍承松
文献传递
锗晶体缺陷图谱
本标准规定了锗多晶、锗单晶制备私机械加_卫过程,卜产生的缺陷,给出’r各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单品、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。
水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法
本发明涉及水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法,包括:将封装好砷化镓多晶料的石英管装入水平单晶炉加热体,接种籽晶;当晶体由高温区生长至距界面区第一固定距离时,以0.5‑3.0℃/h的降温速率降低界面区温度,并以特定速率移...
马英俊
郑安生
马远飞
林泉
易见伟
龙彪
张洁
邢爱君
石英坩埚腐蚀桶及腐蚀结构
本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体公开了一种石英坩埚腐蚀桶及腐蚀结构,包括:桶体,顶部具有开口,用于盛放腐蚀液;桶盖,盖设在开口上;支撑凸起,设置在桶体的底面,用于支撑石英坩埚。通过在桶体内设置支撑凸起,一方面可以支...
柴晨
闵振东
王博
魏炜
林泉
马英俊
许兴
李万朋
张路
刘向前
垂直法单晶生长用坩锅
本实用新型公开了一种垂直法单晶生长用坩锅,该坩锅自上向下依次为等径部分、放肩部分和籽晶腔部分,籽晶腔部分的下端封闭;等径部分和籽晶腔部分为圆柱形,放肩部分为锥形。所述籽晶腔部分长度为60±2mm,内径为16+0.1mm,...
郑安生
于洪国
刘春雷
马英俊
林泉
刘晓慧
文献传递
一种磷化镓单晶拉制过程中再熔接的方法
一种磷化镓单晶拉制过程中再熔接的方法,它包括以下步骤:1).当碰舟或粘舟情况发生后立即停止晶升、埚升;2).用0.5~5℃/min的速率升温,观察微分重量和浮舟转速变化情况;3).当微分重量显示小于1.2~2.0g/mi...
马英俊
林泉
张洁
文献传递
一种垂直梯度凝固法用单晶炉
本实用新型公开了一种垂直梯度凝固法用单晶炉,所述单晶炉包括最外层的圆柱形炉体,所述炉体内部具有一两端开口的圆柱管型石英质炉膛,所述石英质炉膛与炉体之间具有空隙且两者同轴心;所述石英质炉膛内下部具有晶体生长管支撑管,所述晶...
于洪国
张海涛
文献传递
应用于锗单晶生长的掺杂装置
本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置,该掺杂装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和阻挡结构,所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口,所述装置本体的底端设有入口;所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口...
刘志远
李燕
王博
雷同光
王宇
曹旭
赵哲
孔腾飞
邢俊
冯德伸
于洪国
文献传递
水平法砷化镓单晶及切割片现行
于洪国
林泉
马英俊
赵敬平
李素青
马远飞
李万朋
许所成
权盼
朱刘
周铁军
闫方亮
杨丽霞
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