2024年11月20日
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云南鑫耀半导体材料有限公司
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云南中科鑫圆晶体材料有限公司
昆明云锗高新技术有限公司
云南大学
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云南中科鑫圆晶体材料有限公司
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作者
2篇
王茺
1篇
孙聂枫
1篇
杨杰
1篇
邱锋
1篇
钱俊兵
传媒
6篇
云南化工
3篇
半导体技术
2篇
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稀有金属与硬...
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2021
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2020
5篇
2019
7篇
2018
6篇
2017
9篇
2016
2篇
2015
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一种碳化硅籽晶的粘接后的碳化方法
本发明属于碳化硅单晶生长前处理领域,具体公开一种碳化硅籽晶粘接后减少空腔的碳化方法,(1)把高纯石墨板放在井式炉炉底,然后再把石英筒放置在石墨板上;(2)把粘接好籽晶的石墨台放置到石英筒内,在石墨台上的籽晶上放置一张圆形...
黄四江
王美春
沙智勇
刘得伟
尹归
杨海平
殷云川
一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法
本发明属于锗单晶生长技术领域,具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法,包括以下步骤:单晶锗生长废料融化;废料夹渣降温再结晶:锗废料完全融化为熔融态后,调整加热功率使温度下降15℃~50℃,使熔体再结晶;腔室流场控制:经过再结...
刘得伟
李宝学
杨涛
尹正雄
赵伟
周安祥
陆贵兵
普世坤
文献传递
磷化铟晶圆片清洗装置
本实用新型公开了一种磷化铟晶圆片清洗装置,包括清洗池以及设置在清洗池旁的自动取料机构,清洗池左壁和清洗池右壁上从上到下分别设有若干对喷淋器,自动取料机构包括机架,机架上设有旋转座,旋转座上设有竖直布置的电动执行器,电动执...
韦华
杨春柳
赵兴凯
白良
李世强
黄国勇
钱俊兵
PVT法生长碳化硅单晶用的石墨盖
本实用新型涉及碳化硅单晶生长热场装置领域,具体公开一种PVT法生长碳化硅单晶用的石墨盖,包括籽晶托和导流部件,所述导流部件与籽晶托通过螺纹或卡扣连接,包括圆筒状的扩径环和导流环,所述扩径环和导流环之间间隔一定距离,和籽晶...
刘得伟
黄四江
李宝学
王美春
沙智勇
殷云川
尹归
杨海平
普世坤
超高纯度锗多晶的制备方法
超高纯度锗多晶的制备方法,提供一种通过多次区熔,有效提高锗多晶纯度的锗多晶超高纯度的制备方法。本发明的制备方法应用于锗多晶制备装置,该制备装置包括石英舟、石英管、区熔线圈、支架、进气管、排气管以及区熔小车,石英舟放置在石...
李学洋
柳廷龙
米家蓉
包文瑧
普世坤
张朋
滕文
文献传递
一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置及方法
本发明公开了一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置,由炉体、石墨底座、PBN坩埚和提升装置组成;所述炉体包括6个加热区域和控制加热区域温度的6个温控装置,从下到上依次为第一区、第二区、第三区、第四区、...
韩家贤
王顺金
韦华
赵兴凯
陈娅君
何永彬
柳廷龙
刘汉保
黄平
陈飞鸿
李国芳
一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法
一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法,涉及化合物半导体晶体生长领域,尤其是一种大尺寸VB法和VGF法生长III‑V族单晶生长的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装置及装料方法。本发明的一种大尺寸VGF法砷化镓的装料装...
韩家贤
叶晓达
柳廷龙
王顺金
韦华
赵兴凯
惠峰
刘汉保
黄平
何永彬
王茺
马东升
唐康中
刘吉材
磷化铟单晶
本文件规定了磷化钢单品的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化钢单品锭及磷化钢单晶抛光片。
孙聂枫
李晓岚
王阳
刘惠生
惠峰
李素青
朱刘
王书杰
邵会民
周铁军
史艳磊
付莉杰
王博
张晓丹
姜剑
王宇
一种VGF法生长单晶的循环水温控装置及应用
本发明涉及一种VGF法生长单晶的循环水温控装置及应用,属于半导体材料技术领域,包括单晶炉、循环水系统,所述循环水系统包括循环水箱、主管道、支路管道,循环水依次经主管道、支路管道至单晶炉,经过单晶炉后再依次经支路管道、主管...
陈娅君
刘汉保
普世坤
柳廷龙
叶晓达
柳廷芳
黄平
吕春富
张春珊
王顺金
陈维迪
一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统
一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统,涉及磷化铟单晶生长制备技术领域,尤其是一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统,其特征在于该系统包括单晶炉、氮气瓶、机械泵、减压阀和截止阀,单晶炉与氮气瓶和机械泵分别通过管道进行连通,所述的减压...
囤国超
肖祥江
吕春富
董汝昆
柳廷龙
陈朝向
杨嗣文
梁鹏
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