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阿莫诺公司

作品数：13 被引量：0H指数：0
相关机构：日亚化学工业株式会社更多>>

合作机构

文献类型

  • 13篇中文专利

主题

  • 11篇氮化
  • 11篇氮化物
  • 11篇化物
  • 7篇单晶
  • 6篇激光
  • 5篇块状
  • 5篇镓
  • 5篇衬底
  • 4篇电气器件
  • 4篇气相外延
  • 4篇位错
  • 4篇激光二极管
  • 4篇二极管
  • 4篇板型
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇导体
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇外延法
  • 2篇晶格

机构

  • 13篇阿莫诺公司
  • 4篇日亚化学工业...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
块状单晶含镓氮化物、其获得方法、其制造的衬底以及在该衬底上制造的器件
本发明涉及一种获得块状单晶含镓氮化物的方法，其包括单晶含镓氮化物从含有I族金属离子和受主掺杂剂离子的超临界含氨溶液中晶种结晶的步骤，其中在工艺条件下，所述受主掺杂剂离子与超临界含氨溶剂的摩尔比为至少0.0001。根据所述...
罗伯特·托马什·德维林斯基罗曼·马雷克·多拉津斯基莱谢克·彼得·西尔兹普托夫斯基耶日·加尔钦斯基马里乌什·鲁津斯基
文献传递
氮化物半导体激光装置及其制造方法
本发明涉及一种氮化物半导体激光装置，其在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具备包含半导体活性层的共振器光放射端面上的窗口层，电共振器的放射发出端面至少具有比活性层更宽的能隙，为防止损伤电活性层，被在低温下形成的包...
罗伯特·德维林斯基勒曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·P·谢尔斯普托夫斯基神原康雄
文献传递
由XⅢ族元素氮化物层制成的高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法
本发明涉及一种新型高电子迁移率晶体管(HEMT)，基本由XIII族元素氮化物层制成。与当前这种类型的可用晶体管相反，根据本发明的晶体管是在由含镓氮化物制成的同质衬底(11)上生产，不具有成核层并且它的缓冲层(3)明显比在...
罗伯特·德维林斯基罗曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·P·谢尔斯普托夫斯基神原康雄
文献传递
块状单晶含镓氮化物制造方法
本发明提出一种用来得到块状单晶含镓氮化物、从所得的结晶去除杂质的方法及制造由块状单晶含镓氮化物构成的衬底的工艺。根据本发明，添加有矿化剂的超临界含氨溶剂中的含镓原料得到单晶含镓氮化物的工艺的特征在于原料为金属镓形式和矿化...
罗伯特·德维林斯基罗曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·西尔兹普托夫斯基神原康雄
文献传递
氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法
本发明涉及一种氮化物半导体激光装置，其在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具备包含半导体活性层的共振器光放射端面上的窗口层，电共振器的放射发出端面至少具有比活性层更宽的能隙，为防止损伤电活性层，被在低温下形成的包...
罗伯特·德维林斯基勒曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·P·谢尔斯普托夫斯基神原康雄
文献传递
由XⅢ族元素氮化物层制成的高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法
本发明涉及一种新型高电子迁移率晶体管(HEMT)，基本由XIII族元素氮化物层制成。与当前这种类型的可用晶体管相反，根据本发明的晶体管是在由含镓氮化物制成的同质衬底(11)上生产，不具有成核层并且它的缓冲层(3)明显比在...
罗伯特·德维林斯基罗曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·P·谢尔斯普托夫斯基神原康雄
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外延衬底及其制造方法
本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N-极面与N-极面组成并且所述衬底的位错密度为5×10<Sup>5</Sup>/cm<Sup>2</Sup>...
罗伯特·德维林斯基罗曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·西尔兹普托夫斯基神原康雄
文献传递
模板型衬底及其制造方法
一种用于光电或电气器件的模板型衬底，其包括A)含有至少一种碱金属元素(I族，IUPAC 1989)的块状单晶氮化物层和B)通过气相外延生长来生长的氮化物层，其中层A)与层B)结合在层A)的非N极性面与层B)的N极性面处。...
罗伯特·德维林斯基罗曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·西尔兹普托夫斯基神原康雄
文献传递
外延衬底及其制造方法
本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N－极面与N－极面组成并且所述衬底的位错密度为5×10<Sup>5</Sup>/cm<Sup>2</Sup>...
罗伯特·德维林斯基罗曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·西尔兹普托夫斯基神原康雄
文献传递
模板型衬底及其制造方法
一种用于光电或电气器件的模板型衬底，其包括A)含有至少一种碱金属元素(I族，IUPAC 1989)的块状单晶氮化物层和B)通过气相外延生长来生长的氮化物层，其中层A)与层B)结合在层A)的非N极性面与层B)的N极性面处。...
罗伯特·德维林斯基罗曼·多拉津斯基耶日·加尔钦斯基莱谢克·西尔兹普托夫斯基神原康雄
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